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bics flash 文章 進(jìn)入bics flash技術(shù)社區(qū)
基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲(chǔ)方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 引言 FLASH(閃速存儲(chǔ)器)作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其他存儲(chǔ)介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性，對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 FLASH的特點(diǎn) FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)器NVM(Non-VolatileMemory)，根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
- 關(guān)鍵字： FLASH NAND
OEM需求拉貨動(dòng)能增溫，第三季NAND Flash品牌營(yíng)收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋(píng)果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，eMMC/eMCP與SSD的成長(zhǎng)力道均高于上半年，NAND Flash價(jià)格表現(xiàn)也相對(duì)穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營(yíng)收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善，而隨著蘋(píng)果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問(wèn)世，整體N
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD iPhone6
提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫(xiě)壽命方法
- 在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備EEPROM。為了存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫(xiě)壽命上存在一定差距，所以在實(shí)際應(yīng)用中，這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)
- 關(guān)鍵字： MSP430 Flash EEPROM
FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少
- 由于航天應(yīng)用對(duì)可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開(kāi)發(fā)最大的不同。當(dāng)高能粒子撞擊可編程邏輯器件時(shí)，撞擊的能量會(huì)改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù)，使系統(tǒng)運(yùn)行到無(wú)法預(yù)知的狀態(tài)，從而引起整個(gè)系統(tǒng)失效。這在航天設(shè)備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢(shì)，可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應(yīng)商。它提供了多種服務(wù)，包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開(kāi)發(fā)工具和設(shè)計(jì)服務(wù)，定位
- 關(guān)鍵字： FPGA FLASH 反熔絲
一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。 關(guān)鍵詞：微控制器 在線仿真 開(kāi)發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM 由于市場(chǎng)對(duì)MCU功能的要求總是不斷變化和升級(jí)，MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展， 因此往往需要對(duì)最初的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優(yōu)點(diǎn)就在于可進(jìn)行高達(dá)上萬(wàn)次的擦寫(xiě)操作，順應(yīng)了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，F(xiàn)lash MCU市場(chǎng)價(jià)格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對(duì)于F
- 關(guān)鍵字： MCU Flash 仿真器
終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)
- TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，固態(tài)硬盤(pán)在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長(zhǎng)9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長(zhǎng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開(kāi)始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(zhǎng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀察的重
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置
基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)
- 摘要：本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運(yùn)行程序時(shí)，采用SWI軟中斷的方法實(shí)現(xiàn)同時(shí)寫(xiě)片外FLASH的例子，詳細(xì)講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計(jì)SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。 1 背景描述 筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關(guān)鍵字： ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
上海海爾：向通用MCU進(jìn)發(fā)
- 今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機(jī)產(chǎn)品，有其自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計(jì)提供了多樣選擇。 專注于專用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么? 處于從專用向通用MCU升級(jí)的開(kāi)端 MCU(單片機(jī)，微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機(jī)，而日本、
- 關(guān)鍵字： 海爾 MCU Flash 201408
FPGA中Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證
- 隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善，F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲(chǔ)器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過(guò)實(shí)際的讀寫(xiě)操作驗(yàn)證
- 關(guān)鍵字： Flash 驅(qū)動(dòng) FPGA
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用
- 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM)，簡(jiǎn)稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見(jiàn)的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性，SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào)，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
基于SPI FLASH的FPGA多重配置
- 通過(guò)FPGA的多重配置可以有效地精簡(jiǎn)控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開(kāi)發(fā)板和配置存儲(chǔ)器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)多重配置進(jìn)行分析，給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟，對(duì)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
- 關(guān)鍵字： FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器
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