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一文帶你搞懂光耦電路設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)步驟+實(shí)際案例
- 今天給大家分享的是光耦電路設(shè)計(jì)。光耦電路的設(shè)計(jì)像設(shè)計(jì) BJT 電路一樣。如果 BJT 有增益或者電流增益，那光耦合器就有 CTR 或電流傳輸比。了解 CTR，并使用，那光耦合電路設(shè)計(jì)的就會(huì)變得容易。一、什么是光耦合器的 CTR？CTR 也就是電流傳輸比，是集電極與正向電流的比率，用%表示：CTR = ( Ic / If ) x 100%集電極電流是流向光耦合器晶體管側(cè)集電極的電流，另一方面，正向電流是流向光耦合器二極管側(cè)的電流?；旧?，二極管側(cè)通過(guò)器件電流傳輸比鏈接到晶體管側(cè)。在設(shè)計(jì)光耦合器電路設(shè)計(jì)時(shí)，也
- 關(guān)鍵字： 光耦合器 CTR BJT 電路設(shè)計(jì)
電壓可以是負(fù)的嗎？了解負(fù)電壓
- 除了解釋負(fù)電壓的性質(zhì)外，本文還簡(jiǎn)要討論了負(fù)電壓是如何產(chǎn)生的，以及為什么它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中有用。負(fù)電壓的概念有時(shí)不如正電壓的概念直觀。也許這是因?yàn)樵S多低電壓電子系統(tǒng)不使用負(fù)電壓電源，或者因?yàn)椤柏?fù)”電壓意味著電源具有“小于零”的能力來(lái)驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)電路。盡管許多有用甚至高性能的設(shè)備可以在沒有負(fù)電壓的情況下設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，但了解負(fù)電壓是了解一般電壓的關(guān)鍵，大多數(shù)從事電子工作的人最終會(huì)遇到需要負(fù)電壓電源的電路（圖1）。同時(shí)使用正極和負(fù)極電源的B類音頻放大器的示意圖。圖1。同時(shí)使用正極和負(fù)極電源的B類音頻放大器的示意圖。你
- 關(guān)鍵字： 雙極結(jié)晶體管，BJT，電壓
通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)
- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
- 關(guān)鍵字： 晶體管 BJT MOSFET
放大器設(shè)計(jì)：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別
- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見的晶體管：BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有
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學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn)：將BJT連接為二極管
- 簡(jiǎn)單的NPN二極管連接目標(biāo)：本次實(shí)驗(yàn)的目的是研究將雙極性結(jié)型晶體管(BJT)連接為二極管時(shí)的正向/反向電流與電壓特性。材料：?? ?ADALM2000 主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊?? ?無(wú)焊面包板?? ?一個(gè)1 kΩ電阻（或其他類似值）?? ?一個(gè)小信號(hào)NPN晶體管(2N3904)說(shuō)明：NPN晶體管的發(fā)射極-基極結(jié)的電流與電壓特性可以使用ADALM2000實(shí)驗(yàn)室硬件和以下連接來(lái)測(cè)量。使用面包板，將波形發(fā)生器W1連接到電阻R1的一端。將示波器
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開關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)使用BJT而非MOSFET？
- MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。但在一些實(shí)例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
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開關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)選擇BJT優(yōu)于MOSFET？
- 開關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)選擇BJT優(yōu)于MOSFET？-MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。但在一些實(shí)例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 （BJT） 可能仍然會(huì)有一定的優(yōu)勢(shì)。特別是在離線電源中，成本和高電壓（大于 1kV）是使用BJT而非MOSFET的兩大理由。
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深入淺出常用元器件系列——BJT
- 一.晶體管主要參數(shù) 晶體管主要參數(shù)我們?cè)谡n本上都學(xué)習(xí)過(guò)，這里不多說(shuō)。只是提醒幾個(gè)容易忽略的問(wèn)題。 1.發(fā)射結(jié)反向電壓， 這是晶體管的一個(gè)極限參數(shù)，也就是說(shuō)如果這個(gè)參數(shù)超額使用晶體管很容易損壞。在datasheet中這個(gè)參數(shù)用V(BR)EB。這個(gè)參數(shù)的是指，當(dāng)集電極開路時(shí)，發(fā)射極-基極的反向擊穿電壓。在正常工作狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)是正偏的或截止的，不存在問(wèn)題。然而在某些場(chǎng)合，例如工作開關(guān)狀態(tài)時(shí)，由于寄生參數(shù)的影響，發(fā)射結(jié)上有可能出現(xiàn)較大的反向電壓擊穿晶體管。所以在設(shè)計(jì)電路時(shí)需要小心考慮這個(gè)參
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BJT參數(shù)測(cè)試儀中數(shù)控微電流源研究與實(shí)現(xiàn)
- 本文介紹了滿足小功率BJT參數(shù)測(cè)試要求的雙極性高精度數(shù)控微電流源，預(yù)置電流直接送入被測(cè)三極管的基極，這樣就不需對(duì)基極電流進(jìn)行采樣，不但簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，而且減小了系統(tǒng)測(cè)試誤差。 在數(shù)字式BJT(Bipolar Junction Transistor，雙極面結(jié)型晶體管)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)中為了準(zhǔn)確測(cè)量交直流放大倍數(shù)、輸入/輸出特性曲線等特性參數(shù)，需要在被測(cè)三極管的基極加合適的偏置電壓，并且所加的偏置電壓根據(jù)測(cè)試的具體參數(shù)不同其大小要能程控變化;另一方面，小功率BJT的基極輸入電流較小，對(duì)其進(jìn)行取樣、處理過(guò)程中
- 關(guān)鍵字： BJT 三極管
我的一些數(shù)字電子知識(shí)總結(jié)（3）
- 簡(jiǎn)介：繼續(xù)把我在學(xué)習(xí)數(shù)字電路過(guò)程中的一些“細(xì)枝末節(jié)”小結(jié)一下，和大家共享。 1、在數(shù)字電路中，BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個(gè)轉(zhuǎn)瞬即逝的過(guò)程，這個(gè)過(guò)程越長(zhǎng)，說(shuō)明它的動(dòng)態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū)，恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個(gè)非常短暫的過(guò)程。因?yàn)槲覀冃枰氖谴_切的0、1值，不能過(guò)于“含糊”，否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會(huì)大打折扣! 2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來(lái)，這樣
- 關(guān)鍵字： CMOS BJT
BJT參數(shù)測(cè)試儀中數(shù)控微電流源研究與實(shí)現(xiàn)
- 在數(shù)字式BJT(Bipolar Junction Transistor，雙極面結(jié)型晶體管)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)中為了準(zhǔn)確測(cè)量交直流放大倍數(shù)、輸入／輸出特性曲線等特性參數(shù)，需要在被測(cè)三極管的基極加合適的偏置電壓，并且所加的偏置電壓根據(jù)測(cè)試的具
- 關(guān)鍵字： BJT 參數(shù)測(cè)試儀 數(shù)控 微電流
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雙載子接面晶體管（Bipolar Junction Transistor，又稱雙極晶體管、雙載子接面三極管）根據(jù)不同的摻雜方式，在同一硅芯片上，制造出三個(gè)摻雜區(qū)域，形成兩個(gè) P-N 結(jié)。
基本上依照極性可分成NPN 、PNP 兩種類。
以 NPN 晶體管為例：在雙載子接面晶體管里，雖然基極內(nèi)的電洞較多，是多數(shù)載子。但是電流的傳遞，主要卻是透過(guò)基極里的少數(shù)載子（即電子）來(lái)完成的，也因此 BJT [ 查看詳細(xì) ]
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