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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品
- 功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為?！伴_”開關(guān)運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零
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如何在電源上選擇MOS管
- 在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時候，在很多電源設(shè)計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時候，在很多電源設(shè)計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。那么柵極電荷和導(dǎo)通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響，主要是傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓?fù)涞牟⑿须娫纯刂频腗OS管在ORing F
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Type-C口統(tǒng)一在即，多節(jié)鋰電池充放電管理難題何解？
- 在USB PD3.0時代，100W的充電功率已經(jīng)能夠滿足絕大多數(shù)便攜設(shè)備的充電需求，如智能手機、平板電腦、筆記本電腦等。最新的USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)，充電功率從原有的100W提升至240W，并支持最大48V的電壓輸出，將快充場景進(jìn)一步延伸到物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能家居、通信和安防設(shè)備、汽車和醫(yī)療等領(lǐng)域。從字面意思來看，常見的便攜式電子設(shè)備如吸塵器、電動工具、音箱等，未來將不再需要使用專用的適配器充電，一套Type-C口快充即可適配日常充電設(shè)備，這不僅會給我們的工作和生活帶來巨大便利，也將大大減少電子垃圾，意義
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工業(yè)和車用USB-Type C接口有何優(yōu)勢？
- 根據(jù)歐盟目前的規(guī)范，到2024年底在歐盟所有銷售的智能型手機、平板計算機和相機都必須配備USB Type-C充電接口。而從2026年春季開始，也將適用于筆記本電腦。因此USB Type-C接口將成為所有USB傳輸技術(shù)中，最受關(guān)注的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。此外，由于印度打算加入歐盟，因此也開始強制使用USB Type-C作為市場上所有智能型手機、平板計算機和筆記本電腦的統(tǒng)一充電接口。這些變化最早可能在2024年在生效。印度這樣做的主要理由，除了符合歐盟的規(guī)范之外，也希望減少使用不同充電接口所產(chǎn)生的電子垃圾（在這種背景之下
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？
- 學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
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短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分
- MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
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TDK推出為USB-C提供完整ESD保護(hù)的超緊湊型TVS二極管
- TDK株式會社（東京證券交易所代碼：6762）針對USB-C端口和其他高速接口的ESD保護(hù)應(yīng)用推出一款超緊湊型TVS二極管。對于USB-C等符合USB4（第1版）規(guī)范且傳輸速度高達(dá)40 Gbit/s的高速接口 (Tx / Rx)，ESD保護(hù)應(yīng)用特別需要具有超低寄生電容和低鉗位電壓的TVS二極管。新的B74111U0033M060和B74121U0033M060型元件的在1 MHz條件下的寄生電容分別為0.48 pF和0.65 pF，鉗位電壓僅為3.8 V或3.9 V，ITLP為8 A，不會干擾信號完整性，
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功率MOS管損壞的典型
- 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
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歐盟：若蘋果限制第三方USB-C充電速度，iPhone將面臨禁售
- 有傳言稱，蘋果計劃在其USB-C配件上實施MFi認(rèn)證，將限制非MFi認(rèn)證的USB-C數(shù)據(jù)線、充電器的數(shù)據(jù)傳輸功能和充電速度。如果蘋果真的這樣做，就違背了歐盟法律的目的。蘋果日前收到歐盟的警告，禁止該公司通過第三方配件限制設(shè)備的充電速度，否則iPhone將在歐洲面臨禁售。這是蘋果繼歐盟去年通過統(tǒng)一充電接口指令之后，遭遇的新一次打擊。歐盟工業(yè)專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）致信蘋果公司警告稱，涉及USB-C的限制是“不可接受的”，如果蘋果公司施加這樣的限制，歐盟將禁止iPhone 15及其后
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英飛凌推出EZ-PD USB-C PD解決方案 支持車載充電應(yīng)用和多媒體共享功能
- 北京時間5月5日消息，英飛凌介紹了EZ-PD CCG7D，這款雙端口USB-C PD（充電）解決方案集成了用于車載充電應(yīng)用的升壓控制器，符合最新的USB Type-C和PD3.1規(guī)范，并獲得了AEC Q-100認(rèn)證。該USB-C PD解決方案可專門用于支持Display port ，即USB-C Alternate 模式的汽車應(yīng)用。英飛凌與中國新能源汽車制造商理想汽車合作，在其新SUV車型理想L9上部署了該解決方案，不僅能夠利用USB接口給電子設(shè)備充電，還能將電子設(shè)備與汽車連接在一起，實現(xiàn)多媒體共享。此外
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英飛凌推出EZ-PD? USB-C PD解決方案
- 【2023年05月5日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）介紹了EZ-PD? CCG7D，這款雙端口USB-C PD（充電）解決方案集成了用于車載充電應(yīng)用的升壓控制器，符合最新的USB Type-C和PD3.1規(guī)范，并獲得了AEC Q-100認(rèn)證。該USB-C PD解決方案可專門用于支持Display port ，即USB-C Alternate 模式的汽車應(yīng)用。英飛凌與中國新能源汽車制造商理想汽車合作，在其新SUV車型理想L9上部署了該解決方案，不僅能
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巧用MOS管的體二極管
- 用過MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀態(tài)的。用過MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀
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貿(mào)澤開售面向便攜式電子應(yīng)用的英飛凌USB Type-C高壓微控制器
- 2023年4月17日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨英飛凌的EZ-PD? PMG1-B1 USB Type-C?微控制器。EZ-PD PMG1-B1微控制器為工程師提供一種集成式單芯片解決方案，適用于需要靈活安全的MCU和更少物料的高壓USB-C應(yīng)用，如電動工具、小家電、電動自行車等。貿(mào)澤電子供應(yīng)的EZ-PD PMG1-B1微控制器是高度集成的單端口USB-C供電 (PD) 解決方案。這些高電壓的可編程U
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蘋果 iPhone 15 Pro 機模曝光：采用 USB-C 接口、固態(tài)按鍵
- 4 月 11 日消息，近日，一段 iPhone 15 Pro 機模的視頻在抖音上流出，展示了該設(shè)備的傳聞設(shè)計。據(jù)悉，iPhone 15 Pro 的主要硬件特性包括固態(tài)按鍵、USB-C 接口和鈦合金框架。視頻并沒有揭示任何新信息，但提供了對 iPhone 15 Pro 可能的外觀的三維展示?？傮w來說，該設(shè)備與 iPhone 14 Pro 相似，最明顯的區(qū)別是音量鍵變長了，而靜音開關(guān)被替換為所謂的“動作按鍵（Action button）”。這個模型很可能是基于 iPhone 保護(hù)殼廠商泄露的 CAD 圖紙制作
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