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結(jié)合超寬帶測(cè)距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來(lái)學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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c-mos 文章進(jìn)入c-mos技術(shù)社區(qū)

基于μC/OS-II的中斷下半部設(shè)計(jì)方案

基于μC/OS-II的中斷下半部設(shè)計(jì)方案,mu;C/OS—II是一個(gè)針對(duì)微控制器和嵌入式應(yīng)用而設(shè)計(jì)的輕量級(jí)實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)，通過(guò)了美國(guó)聯(lián)邦航空管理局符合RTCA D0178B標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。這表明mu;C/OS—II能用于與人性命攸關(guān)的、安全性條件極為苛刻的系統(tǒng)。由于
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 方案半部中斷 C/OS-II 基于

CREE大功率LED (lamp XP-C P3)光源熱性能測(cè)試

光源測(cè)試簡(jiǎn)介本測(cè)試主要針對(duì)CREE提供之1W大功率LED(XP-CP3)emitter光源進(jìn)行熱性能測(cè)試，主要測(cè)試...
關(guān)鍵字：大功率LED lamp XP-C P3 性能測(cè)試

MOS管短溝道效應(yīng)及其行為建模

1　引　言　　目前,實(shí)現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當(dāng)MOS管的溝道長(zhǎng)度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對(duì)器件的特性
關(guān)鍵字：行為建模及其效應(yīng) 管短溝 MOS

電源變壓器的MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器制作

這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛(ài)好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過(guò)程。
關(guān)鍵字：逆變器制作效應(yīng) MOS 變壓器電源

C-RIO柔性測(cè)試技術(shù)在XLM-2線功能測(cè)試臺(tái)中的應(yīng)用

　　摘要：油泵支架功能測(cè)試臺(tái)主要用于油泵支架各項(xiàng)性能的測(cè)試，不但需要系統(tǒng)具有高精度與高實(shí)時(shí)性，而且需要其設(shè)備具有高可靠性與現(xiàn)場(chǎng)抗干擾的能力?；贔PGA的C-RIO測(cè)試技術(shù)必將給工業(yè)測(cè)試場(chǎng)合帶來(lái)一種全新的測(cè)試?yán)碚?從而給工業(yè)測(cè)試技術(shù)帶來(lái)重要而深遠(yuǎn)的影響。　　關(guān)鍵詞：液位阻值測(cè)試;C-RIO測(cè)試系統(tǒng);分布式采集;LabVIEW 　　
關(guān)鍵字： C-RIO 功能測(cè)試臺(tái) 201106 201105

μC/OS-II在幾種處理器上的移植介紹

μC/OS-II在幾種處理器上的移植介紹,mu;C/OS-II操作系統(tǒng)是一種搶占式多任務(wù)、單內(nèi)存空間、微小內(nèi)核的嵌入式操作系統(tǒng)，具有高效緊湊的特點(diǎn)。它執(zhí)行效率高，占用空間小，可移植性強(qiáng)，實(shí)時(shí)性能良好且可擴(kuò)展性強(qiáng)。采用mu;C/OS-II實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)，可以有效地
關(guān)鍵字：介紹移植處理器 C/OS-II

嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)μC/OS-II在GPRS終端系統(tǒng)中的應(yīng)用

嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)μC/OS-II在GPRS終端系統(tǒng)中的應(yīng)用,GPRS是在目前運(yùn)行的GSM網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)，可以采用與GSM同樣的調(diào)制技術(shù)、頻率，以及同樣的TDMA幀結(jié)構(gòu)。利用現(xiàn)有的基站子系統(tǒng)(BSS)，GPRS從一開(kāi)始就可以提供全面的覆蓋?！　PRS終端系統(tǒng)的硬件組成　　G
關(guān)鍵字：終端系統(tǒng) 應(yīng)用 GPRS C/OS-II 實(shí)時(shí) 操作系統(tǒng) 嵌入式

舞臺(tái)功放MOS管改裝方法

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見(jiàn)中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見(jiàn)下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
關(guān)鍵字：方法改裝 MOS 功放舞臺(tái)

μC/OS-II任務(wù)棧處理的改進(jìn)設(shè)計(jì)

已經(jīng)有不少的文章介紹了有關(guān)mu;C/OS-II這個(gè)實(shí)時(shí)內(nèi)核及其應(yīng)用。在很多的處理器上，
mu;C/OS-II都得到了應(yīng)用。mu;C/OS-II是一種源碼公開(kāi)、可移植、可固化、可裁減、可剝奪的
實(shí)時(shí)多任務(wù)操作系統(tǒng)。特別適用于用戶任
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 改進(jìn) 處理任務(wù) C/OS-II

微機(jī)械陀螺的閉環(huán)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

以北京微電子技術(shù)研究所自主研發(fā)的803微機(jī)械陀螺為研究對(duì)象，對(duì)陀螺的閉環(huán)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了分析和設(shè)計(jì)。閉環(huán)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)方式主要有自激和鎖相環(huán)驅(qū)動(dòng)兩種方式，對(duì)關(guān)鍵的C-V轉(zhuǎn)換電路和AGC電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。為以后微機(jī)械陀螺的驅(qū)動(dòng)電路的研究設(shè)計(jì)提供依據(jù)。
關(guān)鍵字：微機(jī)械陀螺閉環(huán) 驅(qū)動(dòng)電路 C-V AGC 201104

μC/OSII中軟件定時(shí)器的優(yōu)缺點(diǎn)與改進(jìn)

mu;C/OSII具有小巧、性能穩(wěn)定、開(kāi)源等眾多優(yōu)點(diǎn)，并且mu;C/OSII大部分用ANSI C語(yǔ)言編寫(xiě)，系統(tǒng)的移植非常容易。在mu;C/OSII I2.81及以后的版本中[2]，加入了對(duì)軟件定時(shí)器的支持，使得mu;C/OSII操作系統(tǒng)更加完
關(guān)鍵字：改進(jìn) 缺點(diǎn) 定時(shí)器軟件 C/OSII

基于MOS開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問(wèn)題研究

摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問(wèn)題，通過(guò)分析其干擾信號(hào)頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實(shí)現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz，4kV脈沖源，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了電磁兼容措施的
關(guān)鍵字：電磁兼容問(wèn)題研究脈沖高壓 MOS 開(kāi)關(guān) 高頻基于

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS-FET與電子管OTL功放的制作
關(guān)鍵字： MOS-FET 電子管 OTL功放

MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
關(guān)鍵字：功率放大器 MOS—FET

MOS—FET甲乙類功率放大器

MOS—FET甲乙類功率放大器
關(guān)鍵字： MOS—FET 甲乙類功率放大器

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c-mos介紹

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c-mos電路

無(wú)需認(rèn)證、小電路板易設(shè)計(jì)type-c供電風(fēng)扇極簡(jiǎn)方案 | 能芯PD協(xié)議芯片ECP5705支持5V、9V、12V、15V、20V電壓選擇，多檔位風(fēng)速自...
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電機(jī)控制器中的MOS驅(qū)動(dòng)
原廠代理AP30N15D永源微、電壓150V30A、N溝道增強(qiáng)型MOSFET、封裝TO-252-3L
深度講解三極管和MOS管下拉電阻的作用
MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)
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