cmos 文章進(jìn)入cmos 技術(shù)社區(qū)

是德科技: 探討 2018 年主要技術(shù)趨勢并分享其深入的見解和預(yù)測

　　區(qū)塊鏈壯大 – 區(qū)塊鏈?zhǔn)且环N為比特幣等加密數(shù)字貨幣提供支持的技術(shù)，它正蓄勢待發(fā)，在各種應(yīng)用中被廣泛采用，并因其固有安全性而使這些應(yīng)用大為受益。基于區(qū)塊鏈的智能安全合約將在各個行業(yè)(從金融、房地產(chǎn)到教育和醫(yī)療)出現(xiàn)。即便是成熟的行業(yè)都可能開始采用這種技術(shù)經(jīng)過許可或?qū)Ｓ械淖凅w，用來驗(yàn)證是否遵從國際流程標(biāo)準(zhǔn)。　　軟件真正無處不在 – 虛擬化技術(shù)推動了大規(guī)模聯(lián)網(wǎng)計(jì)算的變革，使得云基礎(chǔ)架構(gòu)快速興起，這些云基礎(chǔ)架構(gòu)從根本上改變了實(shí)現(xiàn)價值的方式。隨著這種趨勢在聯(lián)網(wǎng)計(jì)算環(huán)境中快
關(guān)鍵字：是德科技 CMOS

誰將主導(dǎo)MEMS的未來？紙還是塑料？

基于塑料或紙基板的元件不像矽基元件那樣快速或精確，但其性能足以滿足短暫使用或經(jīng)常更換的消費(fèi)產(chǎn)品，以及一次性的拋棄式應(yīng)用需求。
關(guān)鍵字：傳感器 CMOS

堅(jiān)決維權(quán) Omnivision豪威科技誓捍衛(wèi)市場領(lǐng)導(dǎo)地位起訴思特威

　　上海知識產(chǎn)權(quán)法院正式受理了OmniVision?Technologies，?Inc.(以下簡稱“豪威科技”或“OminiVison”)訴江蘇思特威電子科技有限公司(以下簡稱“思特威”或“SmartSens”)侵害發(fā)明專利的相關(guān)訴訟。作為原告，豪威科技要求法院判令思特威公司立即停止有關(guān)SC5035型號芯片的專利侵權(quán)行為并進(jìn)行賠償。至此，CMOS制造業(yè)巨頭豪威科技正式展開了其在華針對專利侵權(quán)問題的首次維權(quán)?！　martSens思特威于2011年成立，主營CMOS圖像傳感器芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)
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汽車駕駛輔助系統(tǒng)雙CMOS圖像傳感器采集電路設(shè)計(jì)

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保存BIOS硬件配置CMOS型單片機(jī)時鐘電路設(shè)計(jì)圖

關(guān)鍵字： MCU 時鐘電路 CMOS

揭開廢棄紐扣電池的秘密

揭開廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級，對現(xiàn)代 CMOS 運(yùn)算放大器來說是一項(xiàng)常見的簡單應(yīng)用。
關(guān)鍵字： CMOS CR2032 德州儀器

所有這些干擾都是從哪里來的？

所有這些干擾都是從哪里來的？-自從進(jìn)入市場以來，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來了極大優(yōu)勢。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲（THD+N）特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級。但是，輸入級對 THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復(fù)雜。
關(guān)鍵字： CMOS 電源放大器 THD

硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸

硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級堆棧密不可分。
關(guān)鍵字：硅光子半導(dǎo)體芯片 CMOS 芯片設(shè)計(jì)

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構(gòu)

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時間常數(shù)建立圖像背景模型。
關(guān)鍵字： cmos 憶阻器傳感器

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號和時鐘信號的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號，電路簡單，讀出速率高。
關(guān)鍵字： ccd cmos 圖像傳感器

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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動信息(如日 [ 查看詳細(xì) ]