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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

          工業(yè)成像的CCD及CMOS技術(shù)之對比

          • 在比較CCD和CMOS技術(shù)時(shí)試圖確定一個(gè)“贏家”,但這真的對兩者都有損公正,因?yàn)槊糠N技術(shù)都是獨(dú)一無二的,提供不同的終端用戶優(yōu)勢,東西好不好要看怎么用。
          • 關(guān)鍵字: CCD  CMOS  

          模擬IC與數(shù)字IC異同

          •   處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號(hào)都具有連續(xù)性,可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào),都是脈沖方波。  模擬IC按技術(shù)類型來分有只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對比(VoltageRegulator/Reference)、信號(hào)界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
          • 關(guān)鍵字: 模擬IC  CMOS  

          以高整合度混合信號(hào)單片機(jī)實(shí)現(xiàn)兩線式Force Sensor應(yīng)用設(shè)計(jì)

          •   1.?內(nèi)容簡介  在2015年,蘋果新一代的MacBook和Apple?Watch皆搭載壓力觸控感應(yīng)技術(shù),它被Apple稱為Force?Touch,用戶每次按下觸控板之后除了可以在螢?zāi)豢匆娨曈X回饋,它同時(shí)能夠分辨出用戶點(diǎn)按的力度強(qiáng)弱來做出一系列的相關(guān)操控與應(yīng)用。而本文將介紹以HY16F184內(nèi)建高精密Sigma-delta?24?Bit?ADC搭配Uneo?Force?Sensor來實(shí)現(xiàn)一個(gè)類似Force?Tou
          • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  Force Sensor  

          CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法

          •   本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法,并且對每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明,希望大家能從本文得到有用的知識(shí),解決輸入端多余的問題?! MOS門電路  CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點(diǎn),輸入端信號(hào)易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法:  與門和與非門電路  由
          • 關(guān)鍵字: CMOS  TTL  

          干貨分享:工程師教你如何設(shè)計(jì)D類放大器

          •   D類放大器首次提出于1958年,近些年已逐漸流行起來。那么,什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題。  音頻放大器背景  音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號(hào)。音頻頻率范圍約為20 Hz~20 kHz,因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻帶有限的揚(yáng)聲器時(shí)頻率
          • 關(guān)鍵字: D類放大器  CMOS  

          對比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)

          • 在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中,CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn),高度優(yōu)化于成像應(yīng)用,并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門能力、寬動(dòng)態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端,而是放置晶體管在每一像素內(nèi),來進(jìn)行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個(gè)器件中傳輸,使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
          • 關(guān)鍵字: 成像系統(tǒng)  圖像傳感器  CCD  CMOS  201604  

          什么是TTL電平、CMOS電平?兩者的區(qū)別

          •   TTL電平信號(hào)對于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對稱形式連接的,下面來說一下兩者的區(qū)別?! ∈裁词荰TL電平  TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定,+5V等價(jià)于邏輯"1",0V等價(jià)于邏輯"0",這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng),這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)?! TL電平信號(hào)對于計(jì)算機(jī)處理器控制
          • 關(guān)鍵字: TTL  CMOS  

          芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍

          •   整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗,但受到制程方面的限制,一直無法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文,表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù),制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。   據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),這顆整合7,000萬個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片,采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作,與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和電子設(shè)計(jì)工具均相容,因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
          • 關(guān)鍵字: 芯片  CMOS  

          使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問題

          •   集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類,TTL以速度見長,CMOS以功耗低而著稱,其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí),除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料,了解其引腳分布及極限參數(shù)外,還應(yīng)注意以下幾個(gè)問題?! ?、電源問題  (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V,但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí),最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬,故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
          • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  

          關(guān)于電路的那些常識(shí)性概念

          •   一.TTL  TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V電源。  1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol  Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V  2.輸入高電平和輸入低電平  Uih≥2.0V,Uil≤0.8V  二.CMOS  CMOS電路是電壓控制器件,輸入電阻極大,對于干擾信號(hào)十分敏感,因此不用的輸入端不應(yīng)開路,接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)是噪聲容限較寬,靜態(tài)功耗很小?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: TTL  CMOS  

          歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)

          •   歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項(xiàng)為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計(jì)劃,這項(xiàng)研發(fā)經(jīng)費(fèi)高達(dá)470萬美元的計(jì)劃重點(diǎn)是在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求,以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達(dá)系統(tǒng)。   除了IBM (瑞士),該計(jì)劃將由德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
          • 關(guān)鍵字: 5G  CMOS  

          以高整合度混合信號(hào)單片機(jī)實(shí)現(xiàn)橋式Force Sensor應(yīng)用設(shè)計(jì)

          •   1.?內(nèi)容簡介  在2015年,蘋果新一代的MacBook和Apple?Watch皆搭載壓力觸控感應(yīng)技術(shù),它被Apple稱為Force?Touch,用戶每次按下觸摸板之后除了可以在屏幕看見視覺回饋,它同時(shí)能夠分辨出用戶點(diǎn)按的力度強(qiáng)弱來做出一系列的相關(guān)操控與應(yīng)用。而本文將介紹以HY16F184內(nèi)建高精密Sigma-delta?24?Bit?ADC搭配HDK?Force?Sensor來實(shí)現(xiàn)一個(gè)類似Force?Touc
          • 關(guān)鍵字: 混合信號(hào)  Force Sensor  

          安森美半導(dǎo)體推出先進(jìn)的1300萬像素CMOS圖像傳感器,采用SuperPD PDAF技術(shù)

          •   推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor),進(jìn)一步擴(kuò)展成像方案產(chǎn)品陣容,推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件,針對消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD?相位檢測自動(dòng)對焦(PDAF)像素技術(shù),提供微光下300 ms或更少時(shí)間的對焦速度,即使微光低于25勒克斯(lux)。此外,AR1337通過采用其片上PDAF處理,大大簡化集成到智能手機(jī)平臺(tái)和提高相機(jī)模塊集成商生產(chǎn)能力,較市場上其它
          • 關(guān)鍵字: 安森美  CMOS  

          CMOS傳感器,3D化發(fā)表接二連三

          •   在正在舉行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日~2月4日,美國舊金山)上,與積層CMOS圖像傳感器的3D(三維)化相關(guān)的發(fā)表接連不斷。在有9項(xiàng)演講的“SESSION6 Image Sensors”論壇上,有3項(xiàng)演講是與CMOS圖像傳感器的3D化有關(guān)的。以前業(yè)界就在做3D化嘗試,而此次的3項(xiàng)技術(shù)除了比原來具有更強(qiáng)的低成本和低功耗意識(shí)之外,還在3D化中輕松實(shí)現(xiàn)了“模塊化”。    ?   通過模塊化手段
          • 關(guān)鍵字: CMOS  傳感器  

          摩爾定律邁入“后CMOS”時(shí)代

          •   在英特爾(Intel)負(fù)責(zé)晶圓廠業(yè)務(wù)的最高長官表示,摩爾定律(Moore’s Law)有很長的壽命,但如果采用純粹的CMOS制程技術(shù)就可能不是如此。   “如 果我們能專注于降低每電晶體成本,摩爾定律的經(jīng)濟(jì)學(xué)是合理的;”英特爾技術(shù)與制造事業(yè)群(technology and manufacturing group)總經(jīng)理William Holt,在近日于美國舊金山舉行的年度固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上對近3,000名與會(huì)者表示:“而超越CMOS,我們將看
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  CMOS  
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          cmos digital image sensor介紹

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