cmos digital image sensor 文章進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)

改進(jìn)RGC結(jié)構(gòu)的光互連CMOS前置放大器設(shè)計(jì)

該前置放大器采用了改良后的RGC結(jié)構(gòu)作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結(jié)果表明：在光探測(cè)器結(jié)電容 ...
關(guān)鍵字： RGC CMOS 前置放大器

帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開(kāi)關(guān)電容共模反饋的折疊式共源 ...
關(guān)鍵字：增益高速 CMOS 運(yùn)算放大器

CMOS型單片機(jī)時(shí)鐘電路圖

MCS-51內(nèi)部都有一個(gè)反相放大器，XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端，外接定時(shí)反饋元件以后就組成振蕩器 ...
關(guān)鍵字： CMOS 單片機(jī) 時(shí)鐘電路

新日本無(wú)線推出超低功耗CMOS運(yùn)放NJU77806

新日本無(wú)線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運(yùn)放 NJU77806 的獨(dú)特之處是同時(shí)具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強(qiáng)RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實(shí)用的好產(chǎn)品。
關(guān)鍵字：新日本 CMOS 無(wú)線網(wǎng)絡(luò)

技術(shù)：CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

　　目前，在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中，要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻，使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。　　1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn) 　　1.1功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門(mén)電路的功耗典型值僅為20mW，動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。　　1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
關(guān)鍵字： CMOS 電阻

3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： CMOS LCVCO 電感射頻開(kāi)關(guān) PVT 鎖相環(huán)

MAX4617-MAX4619低電壓、CMOS模擬多路復(fù)用器/開(kāi)關(guān)

概述：MAX4617/MAX4618/MAX4619是高速，低電壓，CMOS模擬集成電路的配置為8通道多路復(fù)用器（MAX4617），兩個(gè)4通道多路 ...
關(guān)鍵字： MAX4617 MAX4619 CMOS 多路復(fù)用器

上海自貿(mào)區(qū)解除游戲機(jī)銷(xiāo)售禁令紅外LED廠受惠

　　隨著上海自貿(mào)區(qū)掛牌時(shí)間的臨近，本周自貿(mào)熱卷土重來(lái)：龍頭股外高橋及陸家嘴連續(xù)收出兩個(gè)漲停板，且漲勢(shì)有向縱深方向擴(kuò)散的跡象。此前，市場(chǎng)人士就已獲悉，允許國(guó)外企業(yè)在華銷(xiāo)售游戲機(jī)將是上海自貿(mào)區(qū)藍(lán)圖的一部分;本月23日晚間，百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿(mào)區(qū)組建合資公司的公告，更是令自貿(mào)區(qū)相關(guān)游戲機(jī)概念的炒作熱潮一觸即發(fā)，百視通昨日就強(qiáng)勢(shì)漲停。　　分析人士表示，百視通與微軟在上海自貿(mào)區(qū)設(shè)立合資公司的舉措表明，實(shí)行了十三年的游戲機(jī)禁令將在上海自貿(mào)區(qū)正式終結(jié);在此背景下，預(yù)計(jì)與游戲機(jī)生產(chǎn)相關(guān)的軟硬件公司，如水晶光電
關(guān)鍵字：紅外LED CMOS

銅柱凸點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流

　　銅柱凸點(diǎn)和微焊點(diǎn)將改變倒裝芯片的市場(chǎng)和供應(yīng)鏈。之所以這樣說(shuō)，是因?yàn)槌艘苿?dòng)產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外，其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更多的I/O個(gè)數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。　　目前全球倒裝芯片市場(chǎng)規(guī)模為200億美元，以年增長(zhǎng)率為9%計(jì)算，到2018年將達(dá)到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中，銅柱凸點(diǎn)式封裝的年增長(zhǎng)率將達(dá)到19%。到2014年，已形成凸點(diǎn)的晶圓中將有50%使用銅柱凸點(diǎn)，從數(shù)量上來(lái)說(shuō)，銅柱凸點(diǎn)式封裝將占到倒裝芯片封裝市場(chǎng)的2/3。　　
關(guān)鍵字： CMOS 倒裝芯片

ASM高級(jí)技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

　　高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應(yīng)用于先進(jìn)互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么? 　　高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進(jìn)是用來(lái)解決標(biāo)準(zhǔn)SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問(wèn)題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)縮減等效氧化物厚度(EOT)，整合這些材料需對(duì)NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件，NMOS元件必須使用低工作函數(shù)金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數(shù)金屬。即便有許多種金屬可供挑選，但其中僅有少數(shù)具有穩(wěn)定的
關(guān)鍵字： ASM CMOS

東芝推出移動(dòng)設(shè)備用的CMOS-LDO

東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）已經(jīng)擴(kuò)充了其200mA單輸出CMOS-LDO穩(wěn)壓器陣容。該系列產(chǎn)品專(zhuān)為移動(dòng) ...
關(guān)鍵字：移動(dòng)設(shè)備 CMOS-LDO

高電壓CMOS放大器利用單個(gè)IC實(shí)現(xiàn)高阻抗檢測(cè)

電壓的準(zhǔn)確測(cè)量需要盡量減小至被測(cè)試電路之儀器接線的影響。典型的數(shù)字電壓表 (DVM) 采用 10M 電阻器網(wǎng)絡(luò)以把負(fù)載效應(yīng)保持在不顯眼的水平，即使這會(huì)引起顯著的誤差，尤其是在包含高電阻的較高電壓電路中。
關(guān)鍵字：凌力爾特 LTC6090 CMOS 放大器電阻器

臺(tái)灣第3季IC封測(cè)產(chǎn)值季增4.5％

　　臺(tái)灣第3季IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值可較第2季成長(zhǎng)4.5%。展望第3季臺(tái)灣半導(dǎo)體封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，IEK ITIS計(jì)劃預(yù)估，第3季臺(tái)灣封裝及測(cè)試業(yè)產(chǎn)值分別可達(dá)新臺(tái)幣757億元和336億元，分別較第2季微幅成長(zhǎng)4.6%和4.3%。　　IEK ITIS計(jì)劃指出，展望第3季，高階智慧型手機(jī)市場(chǎng)反應(yīng)趨弱，封測(cè)廠蒙上一層陰影;第3季智慧型手機(jī)、平板電腦以及大型數(shù)位電視終端產(chǎn)品需求可能趨緩，汰舊換新動(dòng)能略有轉(zhuǎn)弱，整體電子業(yè)庫(kù)存調(diào)整時(shí)間可能拉長(zhǎng)。　　展望今年全年IC封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)，IEK ITIS計(jì)劃指出，雖然高階
關(guān)鍵字： IC封測(cè) CMOS

CMOS圖像傳感器的發(fā)展走向

　　CMOS圖像傳感器能夠快速發(fā)展，一是基于XMOS技術(shù)的成熟，二是得益于固體圖像傳感器技術(shù)的研究成果。進(jìn)入20世紀(jì)90年代，關(guān)于CMOS圖像傳感器的研究工作開(kāi)始活躍起來(lái)。蘇格蘭愛(ài)丁堡大學(xué)和瑞典Linkoping大學(xué)的研究人員分別進(jìn)行了低成本的單芯片成像系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，美國(guó)噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室研究開(kāi)發(fā)了高性能成像系統(tǒng)，其目標(biāo)是滿(mǎn)足NASA對(duì)高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的需要。他們?cè)贑MOS圖像傳感器研究方面取得了令人滿(mǎn)意的結(jié)果，并推動(dòng)了CMOS圖像傳感器的快速發(fā)展。　　當(dāng)前研究開(kāi)發(fā)CMOS圖像傳感器的機(jī)構(gòu)很多，其中
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器

CMOS面陣圖像傳感器之高動(dòng)態(tài)光照渲染技術(shù)

高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)成像的一個(gè)特色，是可用來(lái)拍攝最亮和最暗區(qū)域之間具有寬對(duì)比度的圖像。通過(guò)擴(kuò)展動(dòng)態(tài)范圍，它有助于使此類(lèi)圖像看起來(lái)更為自然。東芝公司的圖像傳感器已開(kāi)發(fā)了HDR功能，可以糾正對(duì)比度高
關(guān)鍵字：渲染技術(shù) 光照動(dòng)態(tài) 圖像傳感器 CMOS

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cmos digital image sensor介紹

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