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CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖
- CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖CMOS-LED數(shù)碼顯示器的，亦叫十進制技術(shù)、譯碼驅(qū)動顯示器，是一種功能齊全，使用 ...
- 關(guān)鍵字： CL102 CMOS-LED 數(shù)碼顯示器
以碳納米管取代銅 TSV芯片效能更好
- 來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn)，以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧，效果會比銅來得更好。 TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個系統(tǒng)，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會導(dǎo)致熱膨脹(thermal expansion)的問題，因為銅遇熱會比周圍的硅材料膨脹更多。 「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅，包括熱
- 關(guān)鍵字： TSV芯片 CMOS
Crocus與中芯國際簽署技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議
- Crocus科技，領(lǐng)先的強化磁性半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)商，和中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”)，中國內(nèi)地最大最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)，今天宣布，正式簽署合作技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，兩家公司將共同開發(fā)針對汽車應(yīng)用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術(shù)。中芯國際將制造和供應(yīng)基于CMOS先進技術(shù)節(jié)點的晶圓，這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進磁性生產(chǎn)設(shè)備上做進一步加工。
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 半導(dǎo)體 CMOS
場效應(yīng)管和CMOS集成電路焊接技巧
- 焊接絕緣柵（或雙柵）場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應(yīng)管。
- 關(guān)鍵字： CMOS 場效應(yīng)管 集成電路 焊接
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