- 什么是CMOS數(shù)碼相機?對于最終用戶而言,采用CMOS技術(shù)的數(shù)碼相機與傳統(tǒng)相機沒有太大不同。大多數(shù)拍照操作方法以及在取景器內(nèi)給被拍對象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里?傳統(tǒng)相機需要使用一個35毫
- 關(guān)鍵字:
數(shù)碼相機 方案 傳感器 CMOS 處理器 采用
- 索尼 (Sony)計劃以 500 億日元 (5.972 億美元) 價格,向東芝 (Toshiba)買回一座半導(dǎo)體工廠,好讓用于智能型手機及其他設(shè)備的影像傳感器 (image sensor) 產(chǎn)能大增一倍。
報導(dǎo)指出,索尼于 2008 年,將該座位于日本長崎的工廠賣給東芝。如今買回,將用以加強其 CMOS 傳感器業(yè)務(wù),使其影像傳感器產(chǎn)量,倍增至相當(dāng)于每月 4 萬顆晶圓。
報導(dǎo)補充,索尼盼藉由增加產(chǎn)量及降低生產(chǎn)成本,好在 CMOS 影像傳感器的市場,追趕上南韓的三星 (Samsung)及其他美
- 關(guān)鍵字:
索尼 CMOS
- 隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展與成熟,CMOS工藝以其低成本、低功耗、高集成度的優(yōu)點使得采用CMOS工藝實現(xiàn)高性能集成鎖相環(huán)具有十分重要的意義和廣闊的前景。
- 關(guān)鍵字:
芯片 設(shè)計 相環(huán) 電荷 CMOS 工藝 基于
- “硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝,硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。
- 關(guān)鍵字:
CMOS 10nm
- Verilog HDL語言是IEEE標準的用于邏輯設(shè)計的硬件描述語言,具有廣泛的邏輯綜合工具支持,簡潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器,給出使用Verilog HDL語言設(shè)計的邏輯驅(qū)動電路和仿真結(jié)果。
- 關(guān)鍵字:
驅(qū)動 電路設(shè)計 敏感 圖像 VerilogHDL CMOS 基于
- 新傳感器產(chǎn)業(yè)作為近兩年來逐漸升溫的新興產(chǎn)業(yè)之一,不斷吸引著各方的眼球。作為信息通信產(chǎn)業(yè)的前沿領(lǐng)域和最新方向,新傳感器產(chǎn)業(yè)是“感知中國”、“智慧地球”的基石,在當(dāng)前更被賦予了全新內(nèi)涵,蘊藏著巨大機遇。在搶抓發(fā)展的大潮中,敢為人先的江陰人當(dāng)然不會放過這一極好的發(fā)展良機。
- 關(guān)鍵字:
CMOS 傳感器
- 本文將以笙科電子的2.4GHz IEEE 802.15.4射頻收發(fā)器(適用于Zigbee標準,RF4CE則是基于Zigbee的遙控器應(yīng)用規(guī)范)為例,介紹超低功率CMOS無線射頻芯片的設(shè)計概要,從電路設(shè)計到系統(tǒng)觀點,說明芯片設(shè)計和應(yīng)用過程中需要考
- 關(guān)鍵字:
芯片 設(shè)計 考慮 射頻 無線 Zigbee CMOS 基于
- 高性能模擬與混合信號IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories (芯科實驗室有限公司)今日發(fā)表業(yè)界最具頻率彈性可在線編程的CMOS時鐘發(fā)生器。新推出的8路時鐘發(fā)生器Si5350/51內(nèi)置壓控石英晶體振蕩器(VCXO),能以單一時鐘IC取代傳統(tǒng)的多器件鎖相環(huán)(PLL)解決方案,與其他時鐘產(chǎn)品相比,Si5350/51可提供兩倍的頻率彈性,且可分別降低70%的抖動和30%的功耗。
- 關(guān)鍵字:
芯科實驗室 CMOS 時鐘發(fā)生器 Si5350/51
- 如何建立一個小型獨立報警電路的CMOS 說明 這是一種小型獨立報警電路的選擇。每個警報的主要特點是線路圖上描述自己。他們都具有非常低的待機電流。因此,他們非常適合電池供電。每個電路對將打印出一張A4紙。
- 關(guān)鍵字:
報警 電路 CMOS 獨立 小型 建立 一個 如何
- 如何建立一個CMOS 4060防盜報警器 說明 這是一個區(qū)域報警 - 自動出入和警笛截止定時器。這將容納所有的常閉輸入設(shè)備一般類型 - 例如磁簧觸點 - 鋁箔膠帶 - PIRs等,但它很容易添加一個常開觸發(fā)。示意圖 當(dāng)
- 關(guān)鍵字:
防盜報警 CMOS 一個 建立 如何
- 如何建立一個更簡單的CMOS單防區(qū)報警器說明 這是一個簡單的單區(qū)防盜報警電路。它的功能包括自動出入境延誤和定時貝爾/警報器停產(chǎn)。它的設(shè)計是與常閉類型的輸入設(shè)備的正常使用,例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動開關(guān)
- 關(guān)鍵字:
防區(qū) 報警 CMOS 簡單 建立 一個 如何
- 如何構(gòu)建基于一個CMOS單防區(qū)報警器 說明 該電路具有自動出入延誤 - 計時鐘切斷 - 和系統(tǒng)重置。它為常開和常閉開關(guān)提供 - 并將滿足通常的輸入設(shè)備(壓力墊,磁簧接觸,鋁箔膠帶,PIRs和慣性傳感器)。 如果綠
- 關(guān)鍵字:
防區(qū) 報警器 CMOS 一個 構(gòu)建 基于 如何
- 這個測試儀的基礎(chǔ)是一個皮爾茲CMOS緩沖振蕩器(圖一)。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個高增益反相放大器。由于這個高增益,這個逆變器比一個非緩沖門消耗的功率低,甚至是很小的信
- 關(guān)鍵字:
CMOS 電感測試儀 方案
- 提出一種標準CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準源,工作電壓為5~10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性,對PTAT基準電流進行動態(tài)電流反饋補償,設(shè)計了一種輸出電壓為1.3 V的帶隙基準電路。使輸出基準電壓溫度系數(shù)在-25~+120℃范圍的溫度系數(shù)為7.427pp-m/℃,在27℃時電源電壓抑制比達82 dB。該基準源的芯片版圖面積為0.022 mm2,適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。
- 關(guān)鍵字:
CMOS 高精度 帶隙基準源
- CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設(shè)計令該產(chǎn)品可實現(xiàn)專業(yè)攝影師所要求的高畫質(zhì),除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態(tài)圖像以外,新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動態(tài)響應(yīng)(DR)像素技術(shù)創(chuàng)新(稱為Aptina DR-Pix技術(shù)),新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR),而無需犧牲高亮度環(huán)境中的表現(xiàn)。高亮度下的最大信噪比可達
- 關(guān)鍵字:
圖像傳感器 CMOS
cmos finfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cmos finfet的理解,并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條