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cmos+dps 文章 進(jìn)入cmos+dps技術(shù)社區(qū)
ams收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)
- 領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商ams(艾邁斯)近日宣布收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)。收購(gòu)?fù)瓿珊?，恩智浦公司旗下先進(jìn)的CMOS集成傳感器產(chǎn)品將全部納入ams旗下，有效拓展ams環(huán)境傳感器產(chǎn)品線。CMOS集成傳感器可在單一傳感器裝置內(nèi)同時(shí)測(cè)量相對(duì)濕度、壓力和溫度等多種環(huán)境參數(shù)。 ams市場(chǎng)營(yíng)銷和策略執(zhí)行副總裁Thomas Riener表示：“環(huán)境傳感器可通過監(jiān)測(cè)氣味、壓力和溫度等信息模擬人體行為，提高人類對(duì)周邊環(huán)境的敏感度。通過使用電子設(shè)備獲取這些信息后，我們可以主動(dòng)高效地
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聯(lián)華電子TSV技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，驅(qū)動(dòng)AMD Radeon R9 Fury X GPU絕佳效能
- 聯(lián)華電子今(20)日宣布，用于AMD旗艦級(jí)繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔 (TSV) 技術(shù)，已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，此產(chǎn)品屬于AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採(cǎi)用了聯(lián)華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術(shù)，在硅中介層上融合 連結(jié) AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超強(qiáng)記憶體頻寬，及遠(yuǎn)超出現(xiàn)今GDDR5業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)達(dá)4倍的每瓦性能
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三維圖像指紋傳感器問世 CMOS一觸即發(fā)
- 日前，加州大學(xué)戴維斯分校和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種基于MEMS和CMOS技術(shù)的超聲波指紋傳感器，可以獲取指紋的三維圖像，這將大大提升指紋識(shí)別的安全性。指紋傳感器越來越被廣泛的應(yīng)用在智能手機(jī)等設(shè)備方面。采用指紋進(jìn)行解鎖與支付等功能，比傳統(tǒng)的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識(shí)別是通過傳感器提取的二維圖像，可以通過打印指紋圖案來繞過指紋認(rèn)證。三維圖像的提取無疑將進(jìn)一步提高指紋識(shí)別的準(zhǔn)確率與安全性。 CMOS圖像傳感器在智能手機(jī)領(lǐng)域獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷 自蘋果發(fā)布iPhone5s后指紋
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
三維圖像指紋傳感器問世 CMOS一觸即發(fā)
- 日前，加州大學(xué)戴維斯分校和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種基于MEMS和CMOS技術(shù)的超聲波指紋傳感器，可以獲取指紋的三維圖像，這將大大提升指紋識(shí)別的安全性。指紋傳感器越來越被廣泛的應(yīng)用在智能手機(jī)等設(shè)備方面。采用指紋進(jìn)行解鎖與支付等功能，比傳統(tǒng)的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識(shí)別是通過傳感器提取的二維圖像，可以通過打印指紋圖案來繞過指紋認(rèn)證。三維圖像的提取無疑將進(jìn)一步提高指紋識(shí)別的準(zhǔn)確率與安全性。 CMOS圖像傳感器在智能手機(jī)領(lǐng)域獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷 自蘋果發(fā)布iPhone5s后指紋
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豪威“中國(guó)化”對(duì)圖像傳感器行業(yè)有何影響？
- 2015年對(duì)CMOS圖像傳感器(CIS：CMOS Image Sensor)行業(yè)來說，是變動(dòng)比較大的一年。Yole Developpement(以下簡(jiǎn)稱Yole)的報(bào)告《2015年CMOS圖像傳感器行業(yè)動(dòng)向(Status of the CMOS image sensor industry 2015)》顯示，CIS市場(chǎng)今年將達(dá)到100億美元。另外，索尼為支撐自己的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和業(yè)績(jī)出色的蘋果產(chǎn)品戰(zhàn)略而實(shí)施的產(chǎn)能投資收到成效，獲得三分之一以上的市場(chǎng)份額，有在整個(gè)智能手機(jī)行業(yè)獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷之勢(shì)。 而索尼的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)
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微光CMOS圖像傳感器讀出電路設(shè)計(jì)
- 當(dāng)前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著CMOS工藝及電路設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過采用專項(xiàng)技術(shù)，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開了CMOS圖像傳感器在微光領(lǐng)域應(yīng)用的序幕。隨著對(duì)微光CMOS圖像傳感器研究的進(jìn)一步深入，在不遠(yuǎn)的未來，微光CMOS圖像傳感器的性能將達(dá)到夜視應(yīng)用要求，在微光器件領(lǐng)域占據(jù)重要地位。 讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測(cè)器微弱的電流、電壓或電阻變化轉(zhuǎn)換成后續(xù)信號(hào)處理電路
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風(fēng)雨欲來，CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)變局已現(xiàn)
- CMOS影像感測(cè)器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機(jī)大幅成長(zhǎng)，未來則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升，預(yù)期2014～2020年復(fù)合年均成長(zhǎng)率將高達(dá)10.6%?？春么艘簧虣C(jī)，中小型CIS晶片商正競(jìng)相展開技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠商為卡位新商機(jī)，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場(chǎng)應(yīng)用大宗，但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
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CMOS影像傳感器市場(chǎng)釀重整，汽車/醫(yī)療/安全監(jiān)控新商機(jī)浮現(xiàn)
- CMOS影像感測(cè)器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機(jī)大幅成長(zhǎng)，未來則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升，預(yù)期2014～2020年復(fù)合年均成長(zhǎng)率將高達(dá)10.6%。看好此一商機(jī)，中小型CIS晶片商正競(jìng)相展開技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠商為卡位新商機(jī)，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場(chǎng)應(yīng)用大宗，但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
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“中芯國(guó)際”大力研發(fā)下一代CMOS邏輯工藝
- 近日，中國(guó)內(nèi)地集成電路晶圓代工企業(yè)—中芯國(guó)際集成電路制造有限公司，與全球領(lǐng)先的信息和通信解決方案供應(yīng)商華為、微電子研究中心之一比利時(shí)微電子研究中心(imec)、國(guó)際無晶圓半導(dǎo)體廠商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約，宣布共同投資中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司，開發(fā)下一代CMOS邏輯工藝。 中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司由中芯國(guó)際控股，華為、imec、Qualcomm各占
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IBM以標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程打造三五族FinFET
- 整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉(zhuǎn)換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程技術(shù)來達(dá)成以上目標(biāo)。 上個(gè)月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù)，現(xiàn)在該公司有另一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)則是聲稱發(fā)現(xiàn)了更好的方法，采用標(biāo)準(zhǔn)塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實(shí)其可行性。 IBMResearch先進(jìn)功能材料部門經(jīng)理、CMOS專家JeanFompeyr
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS
有關(guān)混合信號(hào)的技術(shù)方案及應(yīng)用文獻(xiàn)，包括示波器、信號(hào)調(diào)節(jié)器等
- 混合信號(hào)，一種說法是未來的系統(tǒng)將是大型的混合信號(hào)系統(tǒng)，它所占的比例將會(huì)增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數(shù)位晶片，將來的ASICs會(huì)用到多達(dá)一千五百萬個(gè)邏輯們，而類比和混合信號(hào)電路將會(huì)被留在晶片之外。 RF和混合信號(hào)設(shè)計(jì)的藝術(shù)與科學(xué) 設(shè)計(jì)和生產(chǎn)混合信號(hào)IC不是件易事，尤其是包含RF功能時(shí)尤為如此。之所以存在如此大規(guī)模獨(dú)立的模擬和分立IC市場(chǎng)，是因?yàn)槟M與數(shù)字IC相結(jié)合不是一個(gè)簡(jiǎn)單、明了的過程。模擬和RF設(shè)計(jì)一直被認(rèn)為是&l
- 關(guān)鍵字： ASICs CMOS
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路
- 當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙?，脈沖控制信號(hào)會(huì)通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過
- 關(guān)鍵字： CMOS 模擬開關(guān)
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)cmos+dps的理解，并與今后在此搜索cmos+dps的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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