cmos+dps 文章 進入cmos+dps技術(shù)社區(qū)
銳迪科推出國內(nèi)首顆地面數(shù)字電視廣播射頻接收芯片
- 銳迪科微電子 (RDA) 日前宣布，其應(yīng)用于地面數(shù)字電視接收的高性能射頻接收芯片量產(chǎn)，這也是在該領(lǐng)域國內(nèi)首顆成功上市的芯片，標(biāo)志著國外芯片壟斷國內(nèi)市場的歷史從此改寫。該芯片型號為 RDA5880，采用 CMOS 工藝，QFN32 5*5封裝，片外器件極少，具備高集成度的特點，支持自動增益控制模式，能夠支持目前所有的數(shù)字電視廣播傳輸標(biāo)準(zhǔn)(包括 DVB-T、DVB-C、ATSC、DMB-T/H、CMMB 等)以及模擬電視標(biāo)準(zhǔn)，支持多波段 band III 174M-240M, VHF band 470M-
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芯科實驗室推出高性能單芯片混合電視調(diào)諧器
- 近日， Silicon Laboratories (芯科實驗室有限公司)發(fā)布一款完整的、全球兼容的混合電視調(diào)諧器(hybrid TV tuner)，該Si2170組件在CMOS單芯片上集成了模擬電視解調(diào)器。利用Silicon Labs備受肯定的數(shù)字低中頻架構(gòu)，Si2170成為業(yè)界首個性能超越傳統(tǒng)分立式電視調(diào)諧器的硅電視調(diào)諧器(Silicon TV tuner)，不僅能為電視生產(chǎn)廠商提供更佳的畫質(zhì)，更帶來卓越的模擬和數(shù)字廣播接收能力。超高集成度可減少100多個分立器件的使用，針對數(shù)字電視(iDTV)、機
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飛思卡爾傳感器裝運量突破10億
- 新聞事件： 飛思卡爾半導(dǎo)體傳感器裝運量突破10億只 行業(yè)影響： 飛思卡爾在業(yè)內(nèi)商用汽車傳感器供應(yīng)商中排名第一 代表了飛思卡爾與客戶的一個重要里程碑 飛思卡爾半導(dǎo)體提供的傳感器技術(shù)創(chuàng)新，幫助全球客戶過去三十年在汽車、消費、工業(yè)和醫(yī)療產(chǎn)品上實現(xiàn)重大變化。飛思卡爾一直在傳感器領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，最近其傳感器裝運量突破10億只，取得重要里程碑。 飛思卡爾提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣的傳感器產(chǎn)品系列，在成熟的傳感器市場中擁有強勁的發(fā)展趨勢，該市場涵
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展現(xiàn)深耕決心 中芯提升MEMS為獨立部門
- 繼臺積電上周于技術(shù)論壇中廣發(fā)MEMS英雄帖后，中芯MEMS部門升格為獨立部門，以展現(xiàn)深耕MEMS市場決心。中芯表示，踏入此市場僅約1年，但預(yù)計2009年底前，已有3項商品已可進入大量投產(chǎn)，而市場上每項MEMS產(chǎn)品，中芯至少都有1個客戶，因此對中芯來說，MEMS成長潛力值得期待。 臺積電于上周舉辦技術(shù)論壇中對于MEMS市場相當(dāng)看好，指出進入MEMS市場到現(xiàn)在為止已有7年，當(dāng)中已累計出多項制程及IP技術(shù)，除此之外，臺積電更已可提供標(biāo)準(zhǔn)制程(StandardProcess)，讓MEMS客戶可安心至臺積
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MEMS市場繼續(xù)增長機會多
- 按Yole Developpement報道,全球MEMS工業(yè)正面臨之前從未有過的停滯,2008年的銷售額下降2%,達68億美元,其2009年非?？赡茉鲩L率小于1%。然而當(dāng)汽車電子,工業(yè)壓力傳感器及打印頭市場隨著全球經(jīng)濟下滑時,許多新的MEMS應(yīng)用卻得到切實的增長。 MEMS在消費類電子產(chǎn)品中,如加速度計,陀螺儀的市場繼續(xù)看好,推動供應(yīng)商如STMicron(日內(nèi)瓦),Invensense(加州桑尼威爾),其銷售額有10-30%增長。隨著MEMS在醫(yī)療電子和診斷設(shè)備的應(yīng)用擴大,其市場繼續(xù)增大。今年新
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臺積電MEMS苦練7年 2010年進入收成期
- 臺積電在MEMS領(lǐng)域歷經(jīng)7年苦練后，與客戶關(guān)系由接受指導(dǎo)，轉(zhuǎn)變成共同合作開發(fā)，臺積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處處長劉信生自信表示，臺積電MEMS將迎頭趕上國際IDM廠商腳步，相信2010年臺積電MEMS將進入收成期。 劉信生在出席臺積電技術(shù)研討會時指出，臺積電在MEMS上布局已有7年左右，經(jīng)過幾年努力，相信已可迎頭趕上IDM大廠。臺積電現(xiàn)已能提供多種標(biāo)準(zhǔn)制程模塊(Process Module)供客戶使用，包含蝕刻模塊、掏空模塊等，MEMS客戶至臺積電投產(chǎn)，僅需針對MEMS產(chǎn)品內(nèi)部架構(gòu)設(shè)計，其余交給臺積電
- 關(guān)鍵字： 臺積電 MEMS CMOS 晶圓代工
臺積電搶進電源IC 市場潛力160億美元
- 不僅擴充先進制程研發(fā)、產(chǎn)能，臺積電主流制程技術(shù)也將積極搶攻整合組件廠(IDM)的電源管理IC市場，臺積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處長劉信生表示，目前臺積電在電源管理IC約150億~160億美元市場市占率約個位數(shù)，絕大部分市場由IDM業(yè)者把持，不過未來他看好IDM業(yè)者產(chǎn)能不足情況下轉(zhuǎn)單到晶圓代工的可能性，同時也將全力扶持臺灣IC設(shè)計客戶搶進此一市場。 劉信生表示，在電源管理市場規(guī)模約150億~160億美元中，幾近8~9成是由IDM業(yè)者所把持，目前臺積電不論在設(shè)計環(huán)境與制程平臺上都已做足準(zhǔn)備，積極搶攻此市場
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一種基于真隨機數(shù)發(fā)生器的擴展頻譜CMOS振蕩器的設(shè)
- 采用恒流源充放電技術(shù)，以比較器為核心，利用一種新型真隨機數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生隨機控制信號，設(shè)計一種基于0.5μm CMOS工藝的擴展頻譜振蕩器，振蕩頻率在1～1.6 MHz的范圍內(nèi)。通過Cadence spectre仿真工具對電路進行仿真驗證，結(jié)果表明，該方案能夠在1～1.6 MHz的范圍內(nèi)產(chǎn)生隨機振蕩信號。該振蕩器可以用于改善DC／DC轉(zhuǎn)換器的噪聲性能。
- 關(guān)鍵字： CMOS 隨機數(shù)發(fā)生器 擴展頻譜 振蕩器
基于攝像頭的賽道信息處理和控制策略實現(xiàn)
- 在去年的Freescale全國大學(xué)生智能車大賽中，賽道信息檢測方案總體上有兩大類：光電傳感器方案和攝像頭方案。前者電路設(shè)計簡單、信息檢測頻率高，但檢測范圍、精度有限且能耗較大;后者獲取的賽道信息豐富，但電路設(shè)計和軟件處理較復(fù)雜，且信息更新速度較慢。在比較了兩種方案的特點并實際測試后，我們選擇了攝像頭方案。本文將在獲得攝像頭采集數(shù)據(jù)的前提下，討論如何對數(shù)據(jù)進行處理和控制策略的實現(xiàn)。 數(shù)據(jù)采集 我們選擇了一款1/3?OmniVision?CMOS攝像頭，用LM1881進行信號分離，結(jié)合AD采樣
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韓國半導(dǎo)體代工廠MagnaChip已申請破產(chǎn)保護
- Thomson Reuters12日報導(dǎo)，法院相關(guān)文件顯示，南韓CMOS影像傳感器廠商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美國德拉瓦(Delaware)州地方法院依據(jù)破產(chǎn)法第11章聲請破產(chǎn)保護。根據(jù)報導(dǎo)，MagnaChip列出的資產(chǎn)總額達5,000萬美元，負(fù)債則超過10億美元。 2004年10月自Hynix獨立出來的MagnaChip總部設(shè)于南韓首爾。Magnachip為模擬及先進混合信號制程的專業(yè)半導(dǎo)體代工廠商，且為力旺于韓國首位取得合作的半導(dǎo)體代工策略
- 關(guān)鍵字： Magnachip CMOS 傳感器 液晶顯示器驅(qū)動芯片 微控制器
NEC和東芝將擴展與IBM的芯片技術(shù)協(xié)議
- NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴展與IBM Corp.的研發(fā)協(xié)議，允許聯(lián)合開發(fā)使用于消費者產(chǎn)品的28 納米半導(dǎo)體技術(shù)。 這三家公司18日表示，兩家日本公司將與IBM一起開發(fā)28納米互補型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)技術(shù)。在IBM紐約州East Fishkill的工廠，該團隊還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。 東芝公司2007年12月加
- 關(guān)鍵字： NEC CMOS 28納米 半導(dǎo)體
高性能小型化成霍爾傳感器未來發(fā)展方向
- 霍爾傳感器是一種基于霍爾效應(yīng)的器件，它能實現(xiàn)磁電轉(zhuǎn)換，可用于檢測磁場及其變化。 霍爾效應(yīng)雖然在1879年才被發(fā)現(xiàn)，但是直到20世紀(jì)50年代才出現(xiàn)了對其的應(yīng)用，然而器件成本很高。1965年，人們開始將霍爾傳感器集成進硅芯片中，從而促進了霍爾器件的應(yīng)用。 經(jīng)歷三大發(fā)展階段 霍爾器件的發(fā)展大致可分為三個階段： 第一階段是從霍爾效應(yīng)被發(fā)現(xiàn)到20世紀(jì)40年代前期。最初由于金屬材料中的電子濃度很大,霍爾效應(yīng)十分微弱而沒有引起人們的重視。到了1910年，有人用金屬鉍制成霍爾元件作為磁場傳感器
- 關(guān)鍵字： 霍爾傳感器 CMOS A/D轉(zhuǎn)換器 總線接口
市場前景看好NXP潛心相變存儲器技術(shù)
- NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門，正在研究專有的相變存儲器(PCM)，該公司的首席技術(shù)官Rene Penning de Vries表示該技術(shù)將十分“有希望”。 他表示，“我們已經(jīng)看到了很好性能。下一個問題是是否繼續(xù)生產(chǎn)。”他還補充道，這一決議還未作出。PCM的關(guān)鍵優(yōu)勢在于可以在斷電時也能保存數(shù)據(jù)，作為當(dāng)前環(huán)保節(jié)能戰(zhàn)略的積極響應(yīng)，因此前景十分看好。預(yù)計PCM的性能要好于閃存，并且其幾何尺寸也要比閃存小。 Penning de Vries在
- 關(guān)鍵字： NXP CMOS PCM 嵌入式存儲技術(shù)
中國MEMS市場前景樂觀 汽車電子領(lǐng)域發(fā)展最快
- 2008年，在國際金融危機的影響下，中國網(wǎng)絡(luò)與通信類電子整機、計算機類電子整機、消費類電子整機產(chǎn)量以及汽車電子增速明顯下降，這也直接導(dǎo)致MEMS加速度計、MEMS壓力計、DMD(數(shù)字微鏡元件)、噴墨打印頭、硅麥克風(fēng)等產(chǎn)品需求量快速下滑。2008年，中國MEMS市場規(guī)模達110.6億元，同比增長21.9%，較2007年，市場增速下降接近20個百分點。 MEMS市場前景樂觀 2008年，中國MEMS市場增速大幅回落。然而，作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最為前沿的產(chǎn)品領(lǐng)域之一，未來，MEMS新型顯示器、MEMS
- 關(guān)鍵字： 汽車電子 MEMS CMOS
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