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北大碳基集成電路成果被《2017中國自然指數(shù)》專題報(bào)道
- 2017年5月25日，英國《自然》期刊增刊《2017中國自然指數(shù)》(第5545卷，7655期)出版。最新的自然指數(shù)(nature index)表明，在過去15年中，材料科學(xué)(尤其是納米材料等)領(lǐng)域已成為各國政策制定者的關(guān)注重點(diǎn)，大力投資材料科學(xué)也成為中國整體科技戰(zhàn)略的重要組成部分。近年來，中國始終是在材料科學(xué)領(lǐng)域發(fā)表論文最多的國家，其背后是政府的大規(guī)模資金投入和大力引進(jìn)人才。然而，材料科學(xué)家認(rèn)為，需要將更多的資源投入到基礎(chǔ)研究的轉(zhuǎn)化中;應(yīng)用科學(xué)家表示，如果沒有足夠的扶持，中國在材料研究商業(yè)化方面的努力
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后CMOS時(shí)代 Intel稱有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗
- 自從14nm節(jié)點(diǎn)開始，Intel在傳統(tǒng)CMOS半導(dǎo)體工藝升級上的步伐就慢下來了，Tick-Tock戰(zhàn)略名存實(shí)亡，還被TSMC、三星兩家趕超、奚落，甚至連市值都被TSMC超越了，以致于Intel為了挽回面子都想法推動(dòng)新的半導(dǎo)體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié)，對此Intel也不是沒有準(zhǔn)備，最近他們公布了后CMOS時(shí)代的一些技術(shù)思路，Intel的目標(biāo)是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品，電壓可以低至0.5V，這在目前的晶體管下是不可能的。 根據(jù)EE
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索尼再現(xiàn)黑科技:將DRAM集成到CMOS傳感器
- 索尼這幾年的手機(jī)之路走得并不平坦，不過沒有隨波逐流，漸漸變得默默無聞。作為黑科技的代名詞，索尼在半導(dǎo)體上的造詣可不是一般的強(qiáng)大?？赡芎芏嗳藭X得索尼沒聽說在半導(dǎo)體上有哪些重大貢獻(xiàn)，但是如果索尼的半導(dǎo)體工廠停工，因?yàn)槿虻氖謾C(jī)CMOS大部分來自索尼。 索尼XZ Prumium 索尼鏡頭 索尼展示技術(shù) 在今年的MWC上，索尼除了帶來全新的智能手機(jī)之外，他們還帶來了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)索尼官方介紹，三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號處理電路之間加入一層
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索尼革命性拍照黑科技：把內(nèi)存塞進(jìn)CMOS
- 盡管近段時(shí)間索尼忙于月底的MWC 2017，但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日，索尼推出了一款劃時(shí)代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解，索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進(jìn)行改進(jìn)，在像素層和信號處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理 技術(shù)介紹稱，大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力，從而拍攝快速移動(dòng)物體時(shí)能夠更加從容，有效減少拍攝時(shí)所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象，使得抓拍、慢動(dòng)作都會更加
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CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析
- 1 CMOS集成電路的性能及特點(diǎn) 1.1 功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW，動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。 1.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單，供電電源體積小，基本上不需穩(wěn)壓。國產(chǎn)CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作?！ ?.3
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CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價(jià)格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價(jià)的趨勢已逐漸趨緩，智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn)，預(yù)料2017年初市場需求不減，報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。 以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。 造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì)，讓高階手機(jī)市場的CMOS影像傳
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CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價(jià)格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價(jià)的趨勢已逐漸趨緩，智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn)，預(yù)料2017年初市場需求不減，報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。 以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。 造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì)，讓高階手機(jī)市場的CMOS影像傳
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CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價(jià)格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價(jià)的趨勢已逐漸趨緩，智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn)，預(yù)料2017年初市場需求不減，報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。 以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。 造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì)，讓高階手機(jī)市場的CMOS影像傳
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數(shù)字集成電路的四大性能檢測技巧
- 一、電壓法判斷數(shù)字集成電路好壞 1、如果數(shù)字集成電路的供電電壓正常，焊接良好，而測得其電源引腳的電壓值過低，則可判定該被測數(shù)字集成 電路已損壞。 2、如果測得數(shù)字集成電路電源電壓引腳的電壓值正常，但其他引腳的電壓值大多失常，則說明接地引腳是虛焊，而該集成電路大多正常。 3、如果測得數(shù)字集成電路的個(gè)別或少數(shù)幾個(gè)引腳的電壓值偏離正常值較大，則應(yīng)先檢查與這個(gè)引腳所對應(yīng)原外圍元器件電路是否有故障，如電阻短路、斷路、電容漏電或被擊穿等。若外圍元器件電路無故障，則說明該被測數(shù)字集成電路已損壞。
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