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ASM高級技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)
- 高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應用于先進互補式金氧半導體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么? 高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進是用來解決標準SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)縮減等效氧化物厚度(EOT)，整合這些材料需對NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件，NMOS元件必須使用低工作函數(shù)金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數(shù)金屬。即便有許多種金屬可供挑選，但其中僅有少數(shù)具有穩(wěn)定的
- 關(guān)鍵字： ASM CMOS
臺灣第3季IC封測產(chǎn)值季增4.5％
- 臺灣第3季IC封測產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值可較第2季成長4.5%。展望第3季臺灣半導體封裝測試產(chǎn)業(yè)趨勢，IEK ITIS計劃預估，第3季臺灣封裝及測試業(yè)產(chǎn)值分別可達新臺幣757億元和336億元，分別較第2季微幅成長4.6%和4.3%。 IEK ITIS計劃指出，展望第3季，高階智慧型手機市場反應趨弱，封測廠蒙上一層陰影;第3季智慧型手機、平板電腦以及大型數(shù)位電視終端產(chǎn)品需求可能趨緩，汰舊換新動能略有轉(zhuǎn)弱，整體電子業(yè)庫存調(diào)整時間可能拉長。 展望今年全年IC封裝測試產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)，IEK ITIS計劃指出，雖然高階
- 關(guān)鍵字： IC封測 CMOS
CMOS圖像傳感器的發(fā)展走向
- CMOS圖像傳感器能夠快速發(fā)展，一是基于XMOS技術(shù)的成熟，二是得益于固體圖像傳感器技術(shù)的研究成果。進入20世紀90年代，關(guān)于CMOS圖像傳感器的研究工作開始活躍起來。蘇格蘭愛丁堡大學和瑞典Linkoping大學的研究人員分別進行了低成本的單芯片成像系統(tǒng)開發(fā)，美國噴氣推進實驗室研究開發(fā)了高性能成像系統(tǒng)，其目標是滿足NASA對高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的需要。他們在CMOS圖像傳感器研究方面取得了令人滿意的結(jié)果，并推動了CMOS圖像傳感器的快速發(fā)展。 當前研究開發(fā)CMOS圖像傳感器的機構(gòu)很多，其中
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
“韓流”席卷全球LED等數(shù)字產(chǎn)品市場
- 據(jù)2012年全球“主要商品與服務份額調(diào)查”顯示，在調(diào)查所涵蓋的50個品類中，韓國三星電子集團在7個品類上占據(jù)全球份額榜首。包括LG電子等在內(nèi)，韓國企業(yè)在數(shù)字產(chǎn)品市場方面擴大了優(yōu)勢。另一方面，日本企業(yè)則在數(shù)字產(chǎn)品零部件和相機領(lǐng)域保持領(lǐng)先。在日元趨于貶值的2013年，日本企業(yè)的卷土重來值得期待。 三星位居全球份額榜首的是，手機終端、智能手機、有機EL面板、平板電視、鋰離子電池、用于個人電腦等的半導體存儲器DRAM以及NAND型閃存等7大品類。而在液晶面板、平板電腦、白色發(fā)光二
- 關(guān)鍵字： LED CMOS
富士/松下聯(lián)手打造有機CMOS傳感器
- 有機材質(zhì)在顯示領(lǐng)域已經(jīng)應用了多年(比如AMOLED)，相比傳統(tǒng)的非有機材質(zhì)，它的色彩表現(xiàn)更加鮮艷，并且具有廣視角、高對比度等優(yōu)勢。本周富士、松下聯(lián)合宣布了他們共同打造的有機CMOS傳感器，將有機材料首次應用到CMOS傳感器上。 傳統(tǒng)影像傳感器一般由硅光電二極管、金屬連接層、分色濾鏡以及微透鏡等結(jié)構(gòu)組成，而富士、松下聯(lián)合研發(fā)的這種有機CMOS傳感器使用高吸收率的有機材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅光電二極管，感光層厚度減小至0.5微米。 據(jù)了解，這種新型有機CMOS傳感器在性能和有諸多提升和改進，比如動態(tài)范
- 關(guān)鍵字： CMOS 傳感器
聯(lián)電宣布與IBM共同開發(fā)10奈米CMOS制程
- 晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與IBM 共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10納米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協(xié)議。 擁有IBM的支援與know-how，聯(lián)電將可持續(xù)提升其內(nèi)部自行研發(fā)的14納米FinFET 技術(shù)，針對行動運算與通訊產(chǎn)品，提供富競爭力的低耗電優(yōu)化技術(shù)。雙方計劃開發(fā) 10納米制程基礎(chǔ)技術(shù)，以滿足聯(lián)電客戶的需求。聯(lián)電將指派工程團隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10納
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 CMOS
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