摘要:針對CMOS集成電路的故障檢測,提出了一種簡單的IDDQ靜態(tài)電流測試方法,并對測試電路進行了設計。所設計的IDDQ電流測試電路對CMOS被測電路進行檢測,通過觀察測試電路輸出的高低電平可知被測電路是否存在物理缺
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電路設計 測試 IDDQ 電路 CMOS
電子技術的電控電路常采用CMOS邏輯控制系統(tǒng),通過多年的維修實踐,我們自行設計和安裝了簡易集成邏輯門電...
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CMOS 集成電路 測試儀
摘要:為了滿足深亞微米級集成電路對低溫漂、低功耗電源電壓的需求,提出了一種在0.25mu;m N阱CMOS工藝下,采用一階溫度補償技術設計的CMOS帶隙基準電壓源電路。電路核心部分由雙極晶體管構成,實現(xiàn)了VBE和VT的線性
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研究 電壓 基準 CMOS 低溫
便攜產(chǎn)品電源設計需要系統(tǒng)級思維,在開發(fā)由電池供電的設備時,諸如手機、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗產(chǎn)品,如...
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LDO 功耗 壓差分析
電容式麥克風的中心議題: 電容式微麥克風原理電容式麥克風的解決方案: 電容式微麥克風原理 CMOS微機電麥克風電路設計 CMOS微機電麥克風工藝分類 純MEMS與CMOS工藝的差異 隨著智能手機
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CMOS 電容式 麥克風 詳解
擁有模擬和數(shù)字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) ,推出業(yè)界首款擁有突破性 ±50 ppm 頻率精度和超低功耗的 CMOS 振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器,在任何要求 ±50 ppm 時間基準的廣泛應用中,節(jié)省功耗高達 75%,包括計算、通信和消費市場。
IDT 新的 3LG 系列 CrystalFree CMOS 振蕩器確保 ±50
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IDT CMOS
應當可以這樣理解:DCDC的意思是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉換),只要符合這個定義都可以叫DCDC轉換器,包 ...
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LDO DC-DC
便攜產(chǎn)品電源設計需要系統(tǒng)級思維,在開發(fā)由電池供電的設備時,諸如手機、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗產(chǎn)品,如果電 ...
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低壓差 線性 穩(wěn)壓器 LDO 壓差
電源是各種電子設備必不可缺少的組成部分,其性能的優(yōu)劣直接關系到電子設備的技術指標及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線性電源和開關電源兩大類,由于開關電源內部關鍵元器件工作在高頻開關狀態(tài),本
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設計 開關電源 LDO 基于
??????? LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)發(fā)展至今已經(jīng)成為一個成熟的器件。根據(jù)經(jīng)濟發(fā)展規(guī)律,成熟產(chǎn)業(yè)必定要走一條向下的路線,走向夕陽,在這個創(chuàng)新無處不在的時代,著眼朝陽產(chǎn)業(yè)才是獲得豐厚利潤的源泉,而在這個時間點,恩智浦選擇切入LDO領域,理由何在?
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NXP LDO 智能手機
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ:NXPI) 近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器(LDO)開始供貨。該產(chǎn)品具有超低壓差的特性,在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級芯片級封裝 (WLCSP),所占用的電路板空間極小,是設計尺寸有限且對電池壽命要求極高的移動設備的理想之選。手機電池的放電幾乎與時
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NXP LDO LD6806CX4
本文討論圖1所示的基本PLL方案,并考察每個構建模塊的電源管理要求。圖1.顯示各種電源管理要...
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電源管理 VCO LDO 濾波
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器(LDO)開始供貨。該產(chǎn)品具有超低壓差的特性,在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級芯片級封裝 (WLCSP),所占用的電路板空間極小,是設計尺寸有限且對電池壽命要求極高移動設備的理想之選。
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恩智浦 LDO LD6806
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