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低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)淺談
- 引言便攜電子設(shè)備不管是由交流市電經(jīng)過(guò)整流(或交流適配器)后供電，還是由蓄電池組供電，工作過(guò)程中，電源電壓...
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超低壓差線性穩(wěn)壓器(ULDO)的拓?fù)浼軜?gòu)及應(yīng)用
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 低壓差穩(wěn)壓器 LDO 拓?fù)浼軜?gòu) ULDO
凌力爾特 推出采用 4mm x 4mm QFN 或 TSSOP-20E 封裝的 36V、1.5A (ISW) 降壓和升壓型穩(wěn)壓器以及線性控制器
- 2008 年 12 月 3 日 － 北京 － 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出采用 4mm x 4mm QFN 或 TSSOP-20E 封裝的 36V、1.5A (ISW) 降壓和升壓型穩(wěn)壓器以及線性控制器 LT3570。該器件在 2.5V 至 36V (40VMAX) 的 VIN 范圍內(nèi)工作，非常適合于汽車應(yīng)用中常見的負(fù)載突降和冷車發(fā)動(dòng)情況。獨(dú)立輸入引腳可以連接在一起以用單輸入工作，或可以從獨(dú)立輸入電源軌工作。降壓型穩(wěn)壓器在電壓低至 0.8V 時(shí)可以
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飛兆半導(dǎo)體的300mA低VIN LDO為數(shù)字應(yīng)用提供高效率和節(jié)省空間優(yōu)勢(shì)
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為對(duì)能量敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供300mA低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器解決方案，在效率、瞬態(tài)響應(yīng)和占位面積方面實(shí)現(xiàn)平衡。FAN2564是低VIN LDO產(chǎn)品，能提供開關(guān)穩(wěn)壓器相似的效率，而占位面積僅有一個(gè)LDO的大小。傳統(tǒng)的LDO穩(wěn)壓器為數(shù)字處理器提供低電壓，這些LDO穩(wěn)壓器直接與電池連接，使得效率低下。FAN2564穩(wěn)壓器具有100mV的壓降，工作電壓可低至1.8V，允許設(shè)備使用系統(tǒng)中現(xiàn)有的低電壓電源進(jìn)行后置調(diào)節(jié)。通過(guò)使用低VIN工作，
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無(wú)線芯片在高集成化中尋找機(jī)遇挑戰(zhàn)竟?fàn)?/a>
- 連接性是未來(lái)電子產(chǎn)品最值得期待的特性，幾乎所有的電子產(chǎn)品消費(fèi)者都希望能夠通過(guò)無(wú)線連接與其他設(shè)備進(jìn)行互動(dòng)，因此，未來(lái)每個(gè)電子產(chǎn)品都有一個(gè)射頻收發(fā)模塊將成為無(wú)線芯片最主要的市場(chǎng)推動(dòng)力，在這樣龐大的市場(chǎng)機(jī)遇面前，并不是每個(gè)公司都可以分一杯羹，隨著無(wú)線技術(shù)的成熟，無(wú)線市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)遠(yuǎn)比以前更為激烈和復(fù)雜。 集成化趨勢(shì) 無(wú)線半導(dǎo)體市場(chǎng)在早期以手機(jī)半導(dǎo)體為主，基帶是最早無(wú)線芯片的核心，TI正是以此奠定多年無(wú)線半導(dǎo)體老大的地位，隨著基帶技術(shù)的成熟和普及，NXP、Skyworks、ADI和MTK等公司
- 關(guān)鍵字： 無(wú)線半導(dǎo)體 博通 CMOS CSR 藍(lán)牙
低功耗高增益CMOS LNA的設(shè)計(jì)
- 0 引言 快速增長(zhǎng)的無(wú)線通信市場(chǎng)使得無(wú)線通信技術(shù)向著低成本、低功耗、高集成度的方向發(fā)展，同時(shí)CMOS技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到深亞微米水平，這使CMOS器件的高頻特性得以進(jìn)一步改善，目前已能與SiGe器件和GaAs器件相媲美。此外，CMOS器件功耗極低且集成度高，因而深亞微米CMOS技術(shù)在無(wú)線通信系統(tǒng)中具有應(yīng)用潛力。低噪聲放大器(LNA)是無(wú)線通信系統(tǒng)射頻接收機(jī)前端的關(guān)鍵模塊，在接收并放大信號(hào)的過(guò)程中起著關(guān)鍵性的作用，其增益、噪聲、線性度等都將直接影響著整個(gè)接收機(jī)的性能。典型的接收機(jī)的接收信號(hào)強(qiáng)度在-120～-
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賽普拉斯為用于機(jī)器視覺與運(yùn)動(dòng)分析應(yīng)用的 LUPA 高速 SXGA CMOS圖像傳感器添加色彩
- 2008 年 11 月 17日，北京訊，—— 日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司 (NYSE: CY) 宣布推出具有高靈敏度以及高速超級(jí)擴(kuò)展圖形陣列 (SXGA) 分辨率 CMOS 色彩圖像傳感器的商用樣片。最新 130 萬(wàn)像素 LUPA-1300-2-color 傳感器具有觸發(fā)式與流水線式同步曝光與片上數(shù)字低壓差分信號(hào) (LVDS) 輸出。該圖像傳感器開發(fā)用于需要區(qū)分不同色彩的機(jī)器視覺與運(yùn)動(dòng)分析應(yīng)用，其不僅可具有 500 幀每秒 (fps) 的高幀速率，同時(shí)還能夠提供可實(shí)現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 CMOS 傳感器 LUPA-1300-2-c
賽普拉斯針對(duì)機(jī)器視覺與全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用推出全球數(shù)據(jù)吞吐能力最高的 CMOS 圖像傳感器
- 2008 年 11 月 17 日，北京訊 – 日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NYSE: CY)宣布提供推出具有 13.2Gbps 業(yè)界最高數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)吞吐能力的 CMOS 圖像傳感器商用樣片。最新 300萬(wàn)像素 LUPA-3000 傳感器具有 485幀/秒 (fps)高幀速率的觸發(fā)式與流水線式同步快門以及能夠確保保真圖像與快速讀取的視窗功能。該款傳感器還具有片上數(shù)字低壓差分信號(hào) (LVDS) 輸出，其能夠簡(jiǎn)化機(jī)器視覺與全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用的傳感器數(shù)據(jù)傳輸與整體攝像機(jī)設(shè)計(jì)。 LUPA-3000
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 CMOS LUPA-3000
CMOS集成電路中ESD保護(hù)技術(shù)研究
- 靜電在芯片的制造、封裝、測(cè)試和使用過(guò)程中無(wú)處不在，積累的靜電荷以幾安培或幾十安培的電流在納秒到微秒的時(shí)間里釋放，瞬間功率高達(dá)幾百千瓦，放電能量可達(dá)毫焦耳，對(duì)芯片的摧毀強(qiáng)度極大。所以芯片設(shè)計(jì)中靜電保護(hù)模塊的設(shè)計(jì)直接關(guān)系到芯片的功能穩(wěn)定性，極為重要。隨著工藝的發(fā)展，器件特征尺寸逐漸變小，柵氧也成比例縮小。二氧化硅的介電強(qiáng)度近似為8×106V／cm，因此厚度為10 nm的柵氧擊穿電壓約為8 V左右，盡管該擊穿電壓比3.3 V的電源電壓要高一倍多，但是各種因素造成的靜電，一般其峰值電壓遠(yuǎn)超過(guò)8 V
- 關(guān)鍵字： CMOS ESD
賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的定制 CMOS 圖像傳感器系列贏得第 100 個(gè)設(shè)計(jì)中標(biāo)
- 2008 年 11 月12 日，北京訊 – 日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NYSE: CY) 宣布該公司已經(jīng)完成其第 100 項(xiàng)定制 CMOS 圖像傳感器設(shè)計(jì)。賽普拉斯豐富的產(chǎn)品系列能夠滿足眾多應(yīng)用需求，如：工業(yè)與醫(yī)療 X 光成像、內(nèi)窺鏡檢查、機(jī)器視覺、太空星體跟蹤與遙感、條形碼閱讀器、生物測(cè)量、高速線陣傳感器以及高速運(yùn)動(dòng)分析傳感器等。 這些廣泛的定制設(shè)計(jì)中標(biāo)包括 Vision Research、Toshiba Teli、Micro Imaging 和 ARRI 公司的多項(xiàng)設(shè)計(jì)以及全球其
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 CMOS ARRI 傳感器
DRAM廠另謀出路 搶進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)
- DRAM現(xiàn)貨價(jià)跌破一美元，DRAM廠為了維持12吋廠利用率，但又不想再繼續(xù)燒錢生產(chǎn)DRAM，所以包括力晶及茂德，已經(jīng)開始把12吋廠產(chǎn)能移轉(zhuǎn)投入晶圓代工市場(chǎng)。據(jù)了解，兩家業(yè)者利用12吋廠經(jīng)濟(jì)規(guī)模優(yōu)勢(shì)，大搶LCD驅(qū)動(dòng)IC、CMOS感測(cè)器等訂單，已對(duì)聯(lián)電、世界先進(jìn)等造成沖擊。 DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)探底，燒錢速度愈來(lái)愈快，DRAM廠為了守住手中現(xiàn)金，均大砍明年資本支出，延緩50奈米制程微縮。再者，因?yàn)?0奈米以下DRAM制程需導(dǎo)入先進(jìn)的浸潤(rùn)式微影技術(shù)，投資金額過(guò)于龐大，也不適合將現(xiàn)有12吋廠進(jìn)行改建。所
- 關(guān)鍵字： DRAM CMOS
廣泛應(yīng)用的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)
- 0引言隨著系統(tǒng)集成技術(shù)(SOC)的飛速發(fā)展，基準(zhǔn)電壓源已成為大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路和幾乎所有數(shù)字...
- 關(guān)鍵字： CMOS 基準(zhǔn)電壓源
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