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          奧地利微電子推出低壓差穩(wěn)壓器LDO AS1360

          • 奧地利微電子公司推出了只需極低靜態(tài)電流的LDO AS1360,進(jìn)一步擴(kuò)展了公司的低壓差穩(wěn)壓器(LDO)產(chǎn)品列表。該器件可以延長低功耗應(yīng)用的工作時(shí)間,并可采用價(jià)格較低廉的小尺寸、1µF陶瓷輸出電容。  奧地利微電子公司標(biāo)準(zhǔn)線性事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)Walter Moshammer表示:“即便采用小電容,AS1360仍可實(shí)現(xiàn)最低的靜態(tài)電流、精密的輸出電壓容限、低壓差以及卓越的動(dòng)態(tài)性能,從而降低了外部元器件成本并延長了電池壽命。這些特性組合極具吸引力,使 AS1360
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  奧地利微電子  穩(wěn)壓器  LDO  AS1360  模擬IC  電源  

          凌力爾特推出低噪聲、低壓 1.1A LDO LT1965

          • 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)推出具有高功率密度的低噪聲、低壓 1.1A LDO LT1965。LT1965 在滿負(fù)載時(shí)具有僅為 300mV 的低壓差,并具有 1.8V 至 20V 的寬 VIN 能力和 1.2V 至 19.5V 的低可調(diào)輸出。僅為 40uVRMS 
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  凌力爾特  LDO  LT1965  模擬IC  電源  

          小型的簡單PWM降壓控制器可以代替高電流LDO

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 安森美半導(dǎo)體  LDO  PWM  

          應(yīng)用指南:帶外部旁路控制的智能LDO調(diào)節(jié)器

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 安森美半導(dǎo)體  LDO  MC33565  

          富鼎先進(jìn)推出新款300mA LDO APE8800A

          •     富鼎先進(jìn)(APEC)推出一款高性能300mA低壓降線性穩(wěn)壓器APE8800A。該款芯片具有極低壓降(250mV@300mA),極低的靜態(tài)電流(30uA)、低噪音、高穩(wěn)定性及高PSRR值(60dB@120Hz)LDO電路,除適用于使用電池電源系統(tǒng)(BatteryPowerSystem)及數(shù)碼相機(jī)(DSC)、LCDModule、卡片閱讀機(jī)(CardReader)、個(gè)人數(shù)字處理機(jī)(PDA)、通訊產(chǎn)品和無線裝置的產(chǎn)品(WirelessDevice),也可廣泛應(yīng)用于一般電子產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  富鼎  300mA  LDO  APE8800A  

          Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開關(guān)

          •   日前,Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開關(guān),這些器件將高開關(guān)速度與高信號(hào)帶寬進(jìn)行了完美結(jié)合,可用于眾多開關(guān)應(yīng)用,其中包括音頻、視頻、數(shù)據(jù)及電源。   Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個(gè)可獨(dú)立選擇的 44V SPST 開關(guān),每個(gè)均具有 4Ω 的典型導(dǎo)通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度,這兩個(gè)參數(shù)是低失真音頻信號(hào)開關(guān)的理想?yún)?shù)。   所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
          • 關(guān)鍵字: Vishay  SPST  CMOS  開關(guān)  

          超高速0.18μm CMOS復(fù)接器集成電路設(shè)計(jì)

          • CMOS工藝具有價(jià)格便宜、集成度高、功耗低的特點(diǎn)。隨著CMOS工藝的發(fā)展,器件特征頻率大幅提高,采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設(shè)計(jì)的單片集成超高速4:1復(fù)接器。
          • 關(guān)鍵字: 0.18  CMOS  超高速  復(fù)接器    

          凌力爾特推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080

          •   凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080,該器件可以輕松并聯(lián)以散布熱量,并可用單個(gè)電阻器調(diào)節(jié)。這種新型架構(gòu)穩(wěn)壓器采用電流基準(zhǔn),允許以一小段印刷電路板布線作為鎮(zhèn)流器和共用多個(gè)穩(wěn)壓器的電流,從而在所有沒有散熱器的表面貼裝系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)多重放大線性調(diào)節(jié)。   LT3080 沒有任何折衷地實(shí)現(xiàn)了高性能。該器件具有 1.2V 至 40V 的寬輸入電壓能力,滿負(fù)載時(shí)低壓差電壓僅為 300mV。輸出電壓是可調(diào)的,具有 0V 至 40V 的
          • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  LDO  LT3080  計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)儀器  傳感器  

          Sipex發(fā)布創(chuàng)新的無旁路電容低噪LDO-SP6260

          •   日前,Sipex公司發(fā)布SP6260,一個(gè)用來為射頻系統(tǒng)供電的低噪LDO,該裝置用一個(gè)簡單的創(chuàng)新電路而不必使用旁路電容,適用于低輸出噪聲要求的應(yīng)用,如手機(jī)和便攜式設(shè)備。   SP6260在沒有必要的旁路電容時(shí)產(chǎn)生最小輸出噪聲30uvm為(10kHz-100khz),使其成為對(duì)電路板空間的要求最小的LDO穩(wěn)壓器。其最小壓差為150mv@ 100mA,關(guān)閉電流0.1uA,而靜態(tài)電流僅為25uA,從而最大化電池壽命。   此外,SP6260還具有出色的70dB的電源抑制比,進(jìn)而隔絕與其它應(yīng)用電路間的噪聲
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  Sipex  LDO  SP6260  電容器  

          Sipex發(fā)布新型無旁路電容低噪LDO

          • Sipex公司公布SP6260,一個(gè)用來為射頻系統(tǒng)供電的低噪LDO,該裝置用一個(gè)簡單的創(chuàng)新電路而不必使用旁路電容,適用于低輸出噪聲要求的應(yīng)用,如手機(jī)和便攜式設(shè)備。   SP6260在沒有必要的旁路電容時(shí)產(chǎn)生最小輸出噪聲30uvm為(10kHz-100khz),使其成為對(duì)電路板空間的要求最小的LDO穩(wěn)壓器。其最小壓差為150mv@ 100mA,關(guān)閉電流0.1uA,而靜態(tài)電流僅為25uA,從而最大化電池壽命。   此外,SP6260還具有出色的70dB的電源抑制比,進(jìn)而隔絕與其它應(yīng)用電路間的噪聲干擾
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  LDO  Sipex  電容器  

          面向高要求應(yīng)用的先進(jìn)技術(shù)和新型LDO功能

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: LDO  美國國家半導(dǎo)體  

          富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶提供全套解決方案

          •   富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通株式會(huì)社、富士通微電子美國公司(FMA)以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導(dǎo)體公司(Jazz)將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設(shè)備的片上系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品。根據(jù)各方簽署的協(xié)議備忘錄,此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號(hào)專業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結(jié)合,使兩家公司能夠?yàn)镾oC客戶提供高性能的客戶自有工具(COT)代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進(jìn)的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝,提供給捷智高精度的RF模型
          • 關(guān)鍵字: 65nm  90nm  CMOS  RF  代工  富士通  捷智  

          低電壓CMOS運(yùn)算放大器輸入級(jí)的研究

          • 近年來,電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展,需要低電壓、低功耗的集成電路,以延長電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數(shù)字電路和模擬電路的整個(gè)系統(tǒng)同時(shí)封裝和制造在一個(gè)芯片上。因此,低電壓、低功耗的要求,不僅是對(duì)數(shù)字集成電路,也同樣針對(duì)于模擬集成電路。由于數(shù)字集成電路工作在開關(guān)狀態(tài),通過合理減小電路尺寸,不難滿足其要求。但是,對(duì)于模擬集成電路,由于場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降,如果采用低電壓供電,將使輸出范圍大大減小,輸出電流的信噪比(S/N)減小,共模抑制比(CMRR)降
          • 關(guān)鍵字: CMOS  低電壓  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  運(yùn)算放大器  模擬IC  電源  

          高效電荷泵,將5V電壓轉(zhuǎn)換為3.3V

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: MaximIntegratedProducts  LDO  

          TPS79918 LDO可支持向StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30)升級(jí)

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: LDO  德州儀器  
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