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高云半導(dǎo)體宣布加入RISC-V基金會(huì)
- 廣東佛山，2017年10月18日訊，作為國內(nèi)領(lǐng)先的可編程邏輯器件供應(yīng)商，廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡稱“高云半導(dǎo)體”)今天宣布加入RISC-V基金會(huì)，成為該組織成員中第一家中國FPGA供應(yīng)商。此舉是繼2016年加入MIPI聯(lián)盟后高云半導(dǎo)體又一次加入國際性行業(yè)聯(lián)盟組織，進(jìn)一步向業(yè)界表達(dá)其致力于發(fā)展成為全球FPGA供應(yīng)商的愿景。 RISC-V是一種新型的指令集架構(gòu)(ISA)，其初衷是支持計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)研究與教育，目前在RISC-V基金會(huì)的領(lǐng)導(dǎo)下已經(jīng)成為行業(yè)通用的標(biāo)準(zhǔn)開放架構(gòu)。RISC-V&nb
- 關(guān)鍵字： 高云 RISC-V
1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世
- 三星計(jì)劃在明年推出容量達(dá)1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 三星(Samsung)計(jì)劃明年推出容量達(dá)1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達(dá)到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。 三星的Tbit NAND可支持高達(dá)每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個(gè)堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達(dá)4
- 關(guān)鍵字： V-NAND NVMe
三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達(dá)1Tb
- 相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。 在舊金山的閃存峰會(huì)上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費(fèi)級產(chǎn)品。 三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。 如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。 其
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線投產(chǎn)
- 據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達(dá)20萬片，并計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)充生產(chǎn)設(shè)備，解決近年來全球半導(dǎo)體市場上供不應(yīng)求的局面。 據(jù)了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動(dòng)工建設(shè)，日均投入1.2萬名施工人員，耗時(shí)兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。 三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
UltraSoC宣布推出業(yè)界首款支持RISC-V的處理器跟蹤技術(shù)
- 領(lǐng)先的嵌入式分析技術(shù)開發(fā)商UltraSoC日前宣布：公司已經(jīng)開發(fā)出處理器跟蹤技術(shù)，可支持基于開源RISC-V架構(gòu)的產(chǎn)品。UltraSoC公司已經(jīng)為處理器跟蹤技術(shù)開發(fā)了一套規(guī)范，將提供給RISC-V基金會(huì)(RISC-V Foundation)作為整個(gè)開源規(guī)范的一部分。此外，UltraSoC如今成為了首家可提供此項(xiàng)功能的生態(tài)系統(tǒng)參與者?！ ?家內(nèi)核(core)供應(yīng)商也已經(jīng)宣布他們支持新的跟蹤規(guī)范，使該規(guī)范成為軟件開發(fā)人員的一項(xiàng)關(guān)鍵功能，而不必?fù)?dān)心其使用的是何種處理器;該規(guī)范的交付是RISC-V生
- 關(guān)鍵字： UltraSoC RISC-V
中國全面布局基于5G的自主車車通信技術(shù)
- 從車載信息服務(wù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用聯(lián)盟獲悉，我國已啟動(dòng)車用77-81GHz毫米波雷達(dá)無線技術(shù)和頻率劃分研究試驗(yàn)工作。同時(shí)，工業(yè)和信息化部日前發(fā)文委托車載信息服務(wù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用聯(lián)盟(TIAA)和中國信息通信研究院開展基于自主知識產(chǎn)權(quán)、用于智能交通車車通信的LTE-V無線技術(shù)和頻率劃分研究試驗(yàn)工作。 此次，啟動(dòng)LTE-V無線技術(shù)和頻率劃分研究試驗(yàn)工作表明，中國已經(jīng)開始全面布局基于5G的自主車車通信技術(shù)，并以此支持具有我國先進(jìn)通信技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化和商用化，提升中國智能汽車、車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的核心競爭能力，支撐中國自主技術(shù)成為20
- 關(guān)鍵字： 5G LTE-V
基于OP97A的V/I轉(zhuǎn)換電路
- OP97運(yùn)放輸出量程為±3.3V的電壓，需加一級V/I轉(zhuǎn)換電路。V/I轉(zhuǎn)換電路如圖所示。通過設(shè)置固定的5個(gè)碼值：FFFF,BFFF,8000,4000,0,用安捷倫高精度6位半萬用表的Agilent34401,上電后經(jīng)過8個(gè)小時(shí)測試，其分辨率和精度均能達(dá)到15...
- 關(guān)鍵字： OP97A V I轉(zhuǎn)換電路
基于Altera cyclone V SOC的JPEG編碼分析
- H.264等視頻壓縮算法在視頻會(huì)議中是核心的視頻處理算法，它要求在規(guī)定的短時(shí)間內(nèi)，編解碼大量的視頻數(shù)據(jù)，目前主要都是在DSP上運(yùn)行。未來在添加4k*2k、H.265編解碼等功能，并要求控制一定成本的情況下，面臨DSP性能瓶
- 關(guān)鍵字： altera Cyclone V SoC FPGA DSP
基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移
- 航空氣象要素對飛行安全的影響越來越大，氣象探測設(shè)備的重要性也越來越高。成陽國際機(jī)場配備了風(fēng)廓線雷達(dá)，能夠?yàn)楹娇诊w行提供機(jī)場上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度?；诒Ｕ巷L(fēng)廓線雷達(dá)正常運(yùn)行的目的，通過Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復(fù)時(shí)間提高了95%。
- 關(guān)鍵字： 故障轉(zhuǎn)移集群 Hyper-V 風(fēng)廓線雷達(dá) 平均故障修復(fù)時(shí)間
三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密
- 備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。 三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 圖1：三星T3 2TB S
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？
- 三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
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