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基本半導體——第三代半導體前景無限
- 相比于數(shù)字半導體，我國在模擬與功率半導體的差距要更大一些，因為功率器件不僅僅是產(chǎn)品設計的問題，還涉及到材料等多個技術環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點迎頭趕上的領域之一。作為國內第三代半導體領軍企業(yè)，基本半導體技術營銷副總監(jiān)劉誠表示，公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊等，基本半導體碳化硅功率器件產(chǎn)品性能處于國內領先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應用領域，市場潛力大，也是基本半導體要重點發(fā)力的市場。站在劉誠的角
- 關鍵字： 基本半導體 MOSFET 中國芯
Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本
- 如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率，之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復雜的拓撲結構。此外，電力電
- 關鍵字： MOSFET MCU IGBT
原廠MOSFET價格一年漲3倍：還會繼續(xù)漲價
- 相比去年，已有多款MOSFET產(chǎn)品漲價幅度超過3倍，而供貨周期也無限延長。由于缺貨的確定短期內得不到解決，有業(yè)內人士認為下半年該產(chǎn)品依舊會漲價。芯研所7月24日消息，自2020年以來，在供需層面多種因素的疊加作用下，功率器件MOSFET價格持續(xù)大漲。近日由于馬來西亞、臺灣等地區(qū)新冠肺炎疫情延燒，導致產(chǎn)能下降，在過去的一個月，英飛凌、意法半導體、安森美等IDM大廠又再度將產(chǎn)品的價格上調了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠年內訂單已全部排滿，各大MOSFET廠仍在不斷上調MOSFET價格。相比去年，
- 關鍵字： MOSFET
使用IC采樣保持放大器
- 采樣保持(S/H)功能是數(shù)據(jù)采集和模數(shù)轉換過程的基礎。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態(tài)。在第一種狀態(tài)下，對輸入信號采樣，同時傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態(tài)下，保持最后一個采樣值（保持），直到再次對輸入采樣。在大多數(shù)應用中，S/H用作數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉換器的“前端”。這樣使用時，S/H主要用于在執(zhí)行模數(shù)轉換所需的時間段內，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。具體來說，S/H是數(shù)據(jù)轉換系統(tǒng)必須具備的系統(tǒng)功能模塊，所用的模數(shù)轉換器在進行轉換期間，必須提供恒定且準確的模擬輸入。逐次逼近類型模數(shù)轉換器就是
- 關鍵字： MOSFET
大聯(lián)大品佳集團推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案
- 大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解決方案。圖示1-大聯(lián)大品佳推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案的展示板圖當前，系統(tǒng)對于電源設計要求正在變得愈發(fā)苛刻。隨著能源法規(guī)不斷完善，針對效率的要求不斷提高，在電源已做到極致的情況下，單純地使用原始架構已不能滿足需求，因此必須有新一代的架構設計來滿足現(xiàn)行的需求。大聯(lián)大品佳針對高效率的5G電源應用，基于NXP技術推出了open frame解決方案，該方案搭載輸入端同步整流技術IC
- 關鍵字： MOSFET
硅晶體管創(chuàng)新還有可能嗎？ 意法半導體超結MDmesh案例研究
- 前言自從固態(tài)晶體管取代真空電子管以來，半導體工業(yè)取得了令人驚嘆的突破性進展，改變了我們的生活和工作方式。如果沒有這些技術進步，在封城隔離期間我們就無不可能遠程辦公，與外界保持聯(lián)系。總之，沒有半導體的技術進步，人類就無法享受科技奇跡。舉個例子，處理器芯片運算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力，在芯片單位面積上擠進更多的晶體管。根據(jù)摩爾定律，晶體管密度每18個月左右就提高一倍，這個定律控制半導體微處理器迭代50多年?，F(xiàn)在，我們即將到達原子學和物理學的理論極限，需要新的技術，例如，分層垂直堆疊技術。同時，我們
- 關鍵字： MOSFET
貿澤與Vishay攜手推出全新電子書介紹汽車級電子元件的新應用
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日宣布與Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新電子書An Automotive Grade Above（推動汽車電子進一步發(fā)展），探討支持電動汽車 (EV) 充電、車載信息娛樂系統(tǒng)等各種汽車應用所需的高性能解決方案。在這本電子書中，來自貿澤和Vishay的行業(yè)專家就現(xiàn)代汽車設計中一些富有創(chuàng)新性的技術提出了深入的見解，這些技術包括用于人機交互的光電傳感器和用于電動/混動汽車設計的光
- 關鍵字： MOSFET
儲能領域蘊藏節(jié)能機會 ADI積極推動節(jié)能減排
- ADI 公司的檢測、信號轉換和信號處理技術為全球的能源基礎設施提供支持。從發(fā)電端的發(fā)電機電流電壓監(jiān)測/ 風機振動監(jiān)測、輸電環(huán)節(jié)的導線舞動監(jiān)測/ 導線覆冰監(jiān)測/ 地質災害監(jiān)測、變電環(huán)節(jié)的變壓器振動監(jiān)測到配電環(huán)節(jié)故障指示以及用電環(huán)節(jié)的電力計量，從微電網(wǎng)和公用事業(yè)到數(shù)據(jù)中心和工廠，再到最大限度提高可再生能源利用率及支持電動汽車充電樁的大規(guī)模部署，ADI的高性能半導體解決方案可幫助合作伙伴設計智能、靈活、高效的電力與能源系統(tǒng)。ADI中國汽車技術市場?高級經(jīng)理 王星煒1? ?儲能系統(tǒng)B
- 關鍵字： 202107 MOSFET 儲能
ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導通電阻的新一代雙極MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設備和基站（冷卻風扇）的電機驅動。近年來，為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下，
- 關鍵字： MOSFET
Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產(chǎn)領先Qrr品質因數(shù)80 V/100 V MOSFET
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內極低的Qrr品質因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
- 關鍵字： Nexperia MOSFET
安森美半導體推出創(chuàng)新的超高密度離線電源方案
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日推出業(yè)界首款專用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現(xiàn)類似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開關取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關類型，無論是超級結
- 關鍵字： MOSFET
功率器件的演變
- 隨著世界中產(chǎn)階級的增加以及汽車、暖通空調（HVAC）和工業(yè)驅動更加電氣化，電力需求只會增加。在每個功率級（發(fā)電、配電、轉換和消耗）所能達到的能效將決定整個電力基礎設施的負擔增加程度。在每個功率級，能效低會導致產(chǎn)生熱量，這是主要的副產(chǎn)物。通常，消除熱量或以其他方式處理熱量需要消耗更多的能量。因此，減少每一功率級產(chǎn)生的廢熱具有相當大的影響。在轉換級，電力電子器件產(chǎn)生的熱量主要歸咎于導通損耗和開關損耗。更高能效的半導體意味著更少的熱量，因此也減少了能源浪費。低能效的半導體產(chǎn)生的熱量是不可利用的，且大多是不需要的
- 關鍵字： 202105 MOSFET
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