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	coolsic mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹
          
                                                            
            
                    	
          • 我們先來看看MOS關(guān)模型：



            Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
            Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
            耗盡區(qū)電容
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  功耗計(jì)算                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時(shí)電壓檢測(cè)同步MOSFET控制方案
          
                                                            
            
                    	
          • 標(biāo)簽：電源 諧振轉(zhuǎn)換器 高壓電源 直流電源   MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來越多，設(shè)備功能的高功耗對(duì)環(huán)境的影響也越來越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓?fù)渚哂休^高效率，很多大功率消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)
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          • 關(guān)鍵字：
                        同步  MOSFET  控制  方案  檢測(cè)  電壓  電源  轉(zhuǎn)換  效率  定時(shí)                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          功率器件的新時(shí)代汽車電子功率MOSFET技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  功率器件  汽車電子                            
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          MOSFET雙峰效應(yīng)的評(píng)估方法簡介
          
                                                            
            
                    	
          • 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  雙峰效  方法                            
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          瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管(超級(jí)結(jié)MOSFET)，具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。
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          • 關(guān)鍵字：
                        瑞薩  MOSFET                          
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          MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法
          
                                                            
            
                    	
          • 我們先來看看MOS關(guān)模型：



            Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
            Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
            耗盡區(qū)電容
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  功耗計(jì)算  方法                            
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          Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET  SiA436DJ                          
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          高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應(yīng)用
          
                                                            
            
                    	
          • 前言近年來，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴(yán)重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視，更造...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        高效能  Power  MOSFET                          
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          MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用
          
                                                            
            
                    	
          • 鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動(dòng)工具、電...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MHP技術(shù)  鋰電池  電路保護(hù)  MOSFET                          
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          理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  開關(guān)損耗  主導(dǎo)參數(shù)                          
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          羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        羅姆  MOSFET  DC/DC                          
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          恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 恩智浦半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼：NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        恩智浦  MOSFET                          
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          IR推出車用功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅(jiān)固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        IR  MOSFET                          
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          能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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          • 關(guān)鍵字：
                        情況  解析  方案  相關(guān)  MOSFET  電阻  下降  功率  能使導(dǎo)                          
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          coolsic mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條coolsic mosfet!
           
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