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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2
- b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā) 隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設備、OA設備、FA設備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機械實現(xiàn)、并擁有所有觸點構(gòu)成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
- 關(guān)鍵字： Panasonic MOSFET PhotoMOS
基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制
- 采用功率MOSFET及其驅(qū)動器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號產(chǎn)生、驅(qū)動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設計及測試結(jié)果，并對其應用特點進行了分析和討論。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 激光器 觸發(fā)系統(tǒng)
Diodes 推出小型SOT963封裝器件
- Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。 Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。 現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET BJT TVS
IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負載開關(guān)、輕載電機驅(qū)動，以及電信設備等應用。 新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優(yōu)化了性能及價格。 IR
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET
2009年度電源產(chǎn)品獎評選結(jié)果揭曉
- 2010年6月8日，由中國電子技術(shù)權(quán)威雜志《電子產(chǎn)品世界》舉辦的“2009年度電源產(chǎn)品評選”活動在“第七屆綠色電源與電源管理技術(shù)研討會”舉行了頒獎典禮。社長陳秋娜女士宣布了最終的獲獎結(jié)果，中國電源學會常務理事長李龍文和陳秋娜女士分別為獲獎廠商代表進行頒獎。本次活動中共收到來自近20家國內(nèi)外電源廠商提交的五大類別60多款產(chǎn)品，經(jīng)網(wǎng)上票選和專家測評最終的分別選出最佳創(chuàng)新獎和最佳應用獎獲獎產(chǎn)品，另外還同時從所有參選產(chǎn)品中特別評選出了兩款綠色電源獎產(chǎn)品獎。
- 關(guān)鍵字： 電源管理 MOSFET LED驅(qū)動
晶圓代工漲15% 模擬IC點頭
- 包括德儀、 英飛凌、國家半導體(NS)、安森美(On Semi)等IDM廠，開出高于業(yè)界水平價格，包下 臺積電、 聯(lián)電、世界先進等晶圓代工產(chǎn)能，成熟制程產(chǎn)能不足問題，已對立锜、致新等臺灣模擬IC業(yè)者造成排擠效應。為了避免下半年旺季時無貨可出，臺灣業(yè)者只能松口答應調(diào)漲代工價10%至15%不等幅度，以便爭取到更多產(chǎn)能。 下半年將進入手機及計算機銷售旺季，不論市場是否對市場需求有所疑慮，但業(yè)界仍認為旺季仍會有旺季應有表現(xiàn)，至少第3季的手機、筆電、消費性電子產(chǎn)品等出貨量，與去年同期相較仍有2成至3成的年
- 關(guān)鍵字： 飛思卡爾 MOSFET 模擬IC
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