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SK海力士推出首款自研CXL控制器：臺積電負責制造
- 2月19日消息，據(jù)報道，SK海力士已經(jīng)準備好首款自研CXL（Compute Express Link）控制器，支持CXL 3.0/3.1標準，由臺積電（TSMC）負責制造，選擇更為先進的工藝。同時，SK海力士還在積極推進2.5D和扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術的開發(fā)，并計劃將相關芯片技術商業(yè)化。據(jù)消息透露，SK海力士計劃從2025年第一季度末開始批量生產(chǎn)基于CXL標準的DDR5內(nèi)存模塊，進一步鞏固其在高端內(nèi)存市場的領先地位。CXL作為一種開放性的互聯(lián)協(xié)議，能夠?qū)崿F(xiàn)CPU與GPU、FPGA或其他加速器之間
- 關鍵字： 海力士 CXL 臺積電
?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應商
- 三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內(nèi)存供應商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標志著三星在旗艦智能手機中首次沒有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案，這也讓外界對三星內(nèi)存技術的競爭力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內(nèi)存供應商，這次卻打敗三星成為了第一供應商，似乎折射出內(nèi)部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題，三星DS（設備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗）部門交付Galaxy S25系列手機開發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品，導致MX部門的手
- 關鍵字： ?三星 Galaxy S25 內(nèi)存 美光 DRAM LPDDR5X
買方采購策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價走跌
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季進入淡季循環(huán)，DRAM市場因智能手機等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔心美國可能拉高進口關稅的疑慮，已提前備貨，進而造成DRAM均價下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預估將擴大至8%至13%，若計入HBM產(chǎn)品，價格預計下跌0%至5%。PC DRAM價格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢表示，2024年第四季PC OEM在終端銷售疲弱，DRAM價格反
- 關鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢
美國商務部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片
- 12 月 11 日消息，美國商務部周二表示，作為2022 年《芯片和科學法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（當前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導體。該機構表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創(chuàng)造約 20,000 個新工作崗位。美國商務部還表示，美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴建
- 關鍵字： 美國 美光科技 生產(chǎn)芯片 半導體 DRAM 內(nèi)存芯片 存儲芯片
提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
- 摘要隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產(chǎn)生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著降低了節(jié)點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F
- 關鍵字： 泛林集團 DRAM
在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
- DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)結構越趨復雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品
- 關鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢
北京君正：21nm DRAM新工藝預計年底推出
- 近日，北京君正在接受機構調(diào)研時就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預計21nm的今年年底會推出，20nm預計將于明年中前后推出，后續(xù)還會繼續(xù)進行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關于存儲中各類市場的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領域。存儲產(chǎn)品價格方面，北京君正的存儲產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場，這個市場的價格變動特點和消費類市場不同，這幾年行業(yè)市場存儲價格高點是2022年，2
- 關鍵字： 北京君正 21nm DRAM
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
- 11 月 6 日消息，天風證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進 CPU 封裝。雖此事近來成為焦點，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
- 關鍵字： 郭明錤 英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL
研華新一代CXL 2.0內(nèi)存，數(shù)據(jù)中心效率大革新！
- 2024 年 10 月，研華科技宣布推出新一代SQRAM CXL 2.0 Type 3 內(nèi)存模塊。Compute Express Link (CXL) 2.0 是內(nèi)存技術的下一代進化產(chǎn)品，可通過高速、低延遲的互連實現(xiàn)內(nèi)存擴展和加速，滿足大型 AI 訓練和高性能計算集群的需求。 CXL 2.0 建立在 CXL 規(guī)范的基礎上，引入了內(nèi)存共享和擴展等高級功能，使異構計算環(huán)境中的資源利用效率更高，在當今高性能計算領域引起了廣泛關注。通過E3.S 2T規(guī)格擴展內(nèi)存在傳統(tǒng)的內(nèi)存架構中，固定的內(nèi)存分配常常導致資源利用率
- 關鍵字： 研華 CXL 2.0 內(nèi)存模塊
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
- 關鍵字： 鎧俠 存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊
HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升
- TrendForce指出，隨著AI服務器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
- 關鍵字： HBM DRAM TrendForce
三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計算
- 三星電子今日宣布，已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應用程序的理想選擇之一。三星半導體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個領域，例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站，這將進一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動駕駛等傳統(tǒng)應用領域之外的應用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執(zhí)行副總裁裴永哲（Bae YongCh
- 關鍵字： 三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能計算
SK海力士CXL優(yōu)化解決方案成功搭載于全球最大開源操作系統(tǒng)Linux
- 2024年9月23日，SK海力士宣布，公司已將用于優(yōu)化CXL*（Compute Express Link）存儲器運行的自研軟件異構存儲器軟件開發(fā)套件（HMSDK）*中主要功能成功搭載于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux*上。SK海力士表示：“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲器產(chǎn)品而備受矚目，公司自主研發(fā)的CXL優(yōu)化軟件HMSDK，其性能已獲得國際認可，并成功應用于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux中。這標志著不僅是如HBM等超高性能硬件實力方面，公司的軟件競爭力也獲得廣泛認可，具有重大意義?！蔽磥?/li>
- 關鍵字： SK海力士 CXL Linux
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