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	ddr2-400
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計,本白皮書討論各種存儲器接口控制器設計所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗證的參考設計來為您自己的應用(從低成本的 DDR SDRAM 應用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣的更
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          • 關(guān)鍵字：
                        接口  控制器  設計  存儲器  SDRAM  Xilinx  FPGA  DDR2  采用                          
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          Nufront第三代處理器采用Cadence接口IP解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 全球電子設計創(chuàng)新領先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司 (NASDAQ: CDNS)，日前宣布Nufront(新岸線)的NS115芯片組采用了Cadence可配置的DDR3/3L/LPDDR2存儲控制器與硬化PHY IP核，應用于其雙核ARM Cortex –A9移動應用處理器。TSMC 40LP工藝， 32位DDR3/LPDDR2接口的數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達800Mbps，并能提供對超薄筆記本、平板電腦和智能手機等產(chǎn)品至關(guān)重要的基于數(shù)據(jù)流量的自動功耗管理。 Cadence 的DDR3/3L/LPDDR2 IP
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          • 關(guān)鍵字：
                        Cadence  DDR2  IP核                          
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          一種矢量信號發(fā)生器設計與實現(xiàn)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 摘要：充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號的特點，以FPGA為邏輯時序控制器，設計并實現(xiàn)了一種靈活、簡單、低成本的矢量信號發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例，詳細介紹了矢量信號發(fā)生器的設計方案與實現(xiàn)過程，使用Verilog HDL描述并實現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時序控制和FPGA的邏輯控制。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DDR2 SDRAM  FLASH  201205                          
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          StellamarXilinxXC3S400AN數(shù)字ADC音頻評估方案
          
                                                            
            
                    	
          • Stellamar 公司的數(shù)字ADC采用Xilinx公司的 XC3S400AN FPGA,平均功耗低50%,面積低50%,非常低的工作電壓,高達14位的有效位,14位500Hz的SNR為90dB,數(shù)字典輸出,數(shù)字測試,過采樣,不會丟失碼,極低的失調(diào)漂移,能用在苛刻的環(huán)
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          • 關(guān)鍵字：
                        StellamarXilinxXC3  StellamarXilinxXC  S400  400                            
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          可獲得400VP-P輸出的高電壓增強器電路功能及原理
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能OP放大器的輸出振幅幅值為正負10~30V，需要數(shù)百伏幅值的靜電激勵器或壓電器件就要使用專門的激勵放大器，也有采用由耐高壓晶體管組成的獨立電路的。本電路主要應用OP放大器的直流特性，在OP放大器后面增加
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          • 關(guān)鍵字：
                        VP-P  400  高電壓  電路功能                            
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          高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 摘要：為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設計方法，提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況，在Xilinx的ML506開發(fā)
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          • 關(guān)鍵字：
                        接口  設計  DDR2-SDRAM  理系  圖像  處理  高速                          
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          基于USB2.0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設計
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：采用DDR2SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)，給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方...
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          • 關(guān)鍵字：
                        USB2.0  DDR2  數(shù)據(jù)采集                          
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          基于Cyclone III FPGA的DDR2接口設計分析
          
                                                            
            
                    	
          • DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，即雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎上發(fā)展而來的，能夠在時鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，可以在與SDRAM相同的總線時鐘頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。雖然DDR2和DDR一樣,都采用相同采樣方式進行數(shù)據(jù)傳輸，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Cyclone  FPGA  DDR2  III                            
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          ASIC原型驗證板DDR2 速率再攀高峰
          
                                                            
            
                    	
          • 　　唐芯微電子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA單顆(MB3100-A5/8)和雙顆(D-MB3100A)原型驗證平臺半年來在用戶項目使用中，從性能、價格、穩(wěn)定性來說已得到了用戶的很高評價，當然，唐芯微人還是不失抓住每一次售后機會，把握用戶提出的問題和建議，配合用戶完成項目的同時對這款產(chǎn)品進行一次次優(yōu)化修正，不但用戶對唐芯微電子售后服務有了更進一步體會，而且?guī)醉椉夹g(shù)成果的突破也讓用戶刮目相看。
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          • 關(guān)鍵字：
                        ASIC  DDR2                          
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          基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設計與FPGA實現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          •     摘要： 采用DDR2 SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)， 給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案， 同時提出了對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的改進思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的實現(xiàn)方法。

            0 引
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        DDR2  FPGA  USB  數(shù)據(jù)采集                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設計與仿真
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設計與仿真, 摘  要： 介紹了DDR2嵌入式系統(tǒng)的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具，并基于Hyperlyxn仿真工具對IBIS模型進行仿真分析，給出了一個具體的DDR2嵌入式系統(tǒng)的設計過程和方法?！　‖F(xiàn)代電子設計和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        設計  仿真  系統(tǒng)  嵌入式  Hyperlynx  DDR2  基于                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計,　　本白皮書討論各種存儲器接口控制器設計所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗證的參考設計來為您自己的應用(從低成本的 DDR SDRAM 應用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        接口  控制器  設計  存儲器  SDRAM  Xilinx  FPGA  DDR2  基于                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          基于BGA7127設計的400-2700MHz 0.5W高線性放大技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 本文介紹了BGA7127主要特性和優(yōu)勢，功能方框圖以及920 MHz 到 960 MHz，1930 MHz 到 1990 MHz，2110 MHz 到 2170 MHz和2405 MHz 到 2485 MHz的應用電路及相應的材料清單。NXP公司的BGA7127是 400-2700MHz 0.5W高線性
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          • 關(guān)鍵字：
                        線性  放大  技術(shù)  0.5W  400-2700MHz  BGA7127  設計  基于                          
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          美光推出內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場的 理想存儲解決方案。
　　美光的2Gb DDR2產(chǎn)品過渡到更先進的 50 納米制程節(jié)點， 反映出美光對市場所需的技術(shù)的承諾和持續(xù)投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  50納米  DDR2                          
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          鎂光開始出貨50nm 2Gb DDR2 內(nèi)存芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板電腦市場。
　　該芯片采用低電壓DDR2標準制造，可與英特爾開發(fā)代號Oak Trail的Atom系統(tǒng)協(xié)同工作，容量方面，該芯片從512Mb到2Gb不等，可構(gòu)成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內(nèi)存條，實現(xiàn)8億MT/s傳輸能力。
　　得益于較小的制程，這款芯片可以工作在1.55V的低壓下，以降低系統(tǒng)的電源需求。
　　鎂光預計這種DD2存儲芯片將在2010年9月開始出樣，年末之前量產(chǎn)出貨。
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          • 關(guān)鍵字：
                        鎂光  50納米  DDR2                          
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