ddr3 文章 進入ddr3 技術(shù)社區(qū)
集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收2010第一季營收續(xù)成長6.9%
- 根據(jù)集邦科技公布價格，DDR3合約季均價與現(xiàn)貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現(xiàn)貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價持平，持續(xù)維持在高檔價格。 由于計算機系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉(zhuǎn)進至DDR3，使買方亦努力拉
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AMD 集顯SOC芯片將采用基于體硅制程的40nm制程技術(shù)制作
- AMD公司據(jù)稱已經(jīng)收到了首批Fusion集顯處理器產(chǎn)品Ontario的試產(chǎn)樣件。Ontario是Fusion集顯處理器系列產(chǎn)品中專門面向上網(wǎng)本， 平板電腦以及其它低功耗設備的處理器。這款處理器將采用內(nèi)部集成Bobcat架構(gòu)雙核x86處理器核心的設計，同時還將集成DX11級別集顯核心和 DDR3內(nèi)存控制器。不過從本質(zhì)上講，Ontario其實算是一款單芯片式的SOC產(chǎn)品。據(jù)Xbit labs網(wǎng)站的報道，Ontario芯片將會使用基于體硅的40nm制程工藝制作。 這款芯片的可能代工方將有Globalf
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全球最大容量 爾必達4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成
- 日本DRAM大廠爾必達今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內(nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。 爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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壞消息：DDR2/DDR3芯片價格仍保持漲勢
- 1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位，顯示目前內(nèi)存芯片市場仍處于供不應求的緊張局面。據(jù)消息來源表示，造成這種局面 的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動作;另外一方面，由于PC廠商事先預計到了這種狀況，因此這些廠商事先都采取了較大量訂貨的策 略，而這則進一步加劇了這種危機。 據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計，3月18日，打標和eTT(即經(jīng)過芯片廠商完全測試，但沒有打上原廠激光標記的芯片)1Gb DDR2芯片的價格分別上升了3.97%和4.3
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三星、力晶猛喊節(jié)制擴產(chǎn) DRAM廠：高手過招戲碼
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺參加全球半導體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風向球。權(quán)五鉉表示，2010年下半DRAM價格可以維持穩(wěn)定，未來DRAM業(yè)者不應一昧地追求價格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴充產(chǎn)能;力晶董事長黃崇仁在現(xiàn)場亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴產(chǎn)，要追求合理價格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠高層過招，成為整個論壇最大高潮。 權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導體市場及
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DDR3測試產(chǎn)能不足 DRAM封測廠加緊進設備
- 隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進DDR3，對后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測試、預燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測廠上演搶機臺戲碼，希望能夠盡量提前讓機臺進駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復正常，存儲器封測廠3月接單熱絡，預期單月營收應可處于歷史高檔水平。 受惠于2010年存儲器市場復蘇，以及DDR2轉(zhuǎn)換至DDR3速度加快，力成訂單能見度延展至6~7月，華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載，客戶端需求非常強勁，產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測試部分，卡在測試機臺供應不及，測試產(chǎn)能不足
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三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
- 三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35%，能為數(shù)據(jù)中心、服務器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。 三星指出，目前服務器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內(nèi)存條，總?cè)萘孔畲?6GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，內(nèi)存子系統(tǒng)功耗可達210W，換
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鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
- 鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設在Boise的研發(fā)中心開始研制。 兩家廠商預計將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的試樣生產(chǎn)，并將于今年下半年開始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。 兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少，可節(jié)省30%電能。 這款42nm 2Gb
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三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內(nèi)存芯片
- 三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。 三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
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DRAM跌價襲擊 模塊廠1月營收處變不驚
- 2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。 存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
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IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
- IDT 公司推出首款針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、移動及嵌入式計算系統(tǒng)以最高效率運行，通過監(jiān)測各子系統(tǒng)的溫度來節(jié)省總電力，提高可靠性和性能。 全新的IDT溫度傳感器可測量計算子系統(tǒng)的局部溫度，一旦溫度上升超過預定水平，系統(tǒng)控制器就會通過控制系統(tǒng)帶寬、調(diào)整內(nèi)存刷新率或改變風扇速度進行響應。此外，如果溫度達到臨界點，新的IDT溫度傳感器可以觸發(fā)一個子系統(tǒng)關(guān)閉，從而提高可靠性。IDT 的產(chǎn)品包括一個獨立溫度傳感器(TS3000B3)，以及一
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