國際DRAM廠供應貨源不足因應旺季需求 OEM廠轉向臺廠尋求產能支應。由于OEM計算機大廠擔心進入下半年產業(yè)旺季后,目前庫存貨源可能不敷使用,近期紛紛開始增加對DRAM廠下單,惟國際DRAM廠已陸續(xù)轉移產能生產標準型DRAM顆粒以外的產品,因此供貨情況未能滿足國際OEM計算機廠需求,為此,OEM計算機廠也轉向臺灣DRAM廠尋求產能支應,且以過去主力供應現(xiàn)貨市場的DRAM廠為主,據傳訂單數(shù)量相當驚人。 TRI觀點:以產業(yè)鏈各廠商的動態(tài)來觀察DRAM產業(yè)目前上下游市況如下:
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DRAM 存儲器
DRAM廠商第2季財報恐多出現(xiàn)赤字,早盤股價紛紛拉回修正,盤中力晶、南科、茂德跌幅均超過1%以上,茂硅一度跌停。 據港臺媒體報道,DRAM 價格第 2 季處于低檔,在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)會計盈轉虧,稅后虧損 1.28 億美元、每股虧損 0.2&nbs
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DRAM 存儲器
進入第二季底,多數(shù)DRAM廠原本為應對季底作帳而壓低DRAM報價,不過,由于日前合約價公布后竟逆勢上漲1~3%,讓所有DRAM廠吃下定心丸,不再擔心DRAM現(xiàn)貨價恐將因DRAM廠拋貨而產生跌價壓力。DRAM渠道商指出,現(xiàn)在DRAM廠態(tài)度可說是相當強硬,客戶端若無法接受其報出價位,寧可不賣也不愿壓低報價。 全球DRAM最新合約價公布后,盡管無法達到DRAM廠原本希望上調到3~5%的幅度,但部份OEM電腦大廠已接受DRAM廠上調1~3%的事實,而DRAM廠之所以能順勢漲價,最重要因素在于目
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DRAM 其他IC 制程
5月26日消息,近幾個月以來,全球DRAM大廠為配合英特爾(Intel)及國際計算機大廠全力推動DDRII成為下一世代的計算機主流架構,紛紛加速將產能轉換至DDRII,因而造成DDR產出量迅速下滑。也由于計算機大廠對于DDRII做出“過于樂觀”的錯誤判斷,反而需回頭向中國臺灣DRAM廠采買更多的DDR顆粒以因應市場需求。 DRAM廠指出,過去幾個月以來,戴爾(Dell)、惠普(HP)等個人計算機(PC)大廠,對于推升DDRII成為市場主流的態(tài)度越來越積
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DRAM 存儲器
近來臺灣DRAM晶圓廠人事異動頻繁,包括華邦電(2344)原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國,以及力晶(5346)原創(chuàng)始元老曾邦助,都相繼轉換跑道,為其他DRAM業(yè)者效力,加上華邦電近半年來亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動率偏高情況,DRAM業(yè)界多認為,盡管人員流動不至于影響DRAM廠既有運作,但仍凸顯出DRAM產業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。 華邦電發(fā)言人溫萬壽19日表示,王其國原任華邦電BG2(Business Group 2)事業(yè)群總經
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DRAM 其他IC 制程
根據彭博資訊(Bloomberg),證券業(yè)者花旗集團旗下半導體分析師,宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調高,理由是認為DRAM價格下跌的狀態(tài)將開始減緩。 據了解,花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調高至“買進”,Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調高至“持有”,韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出,價格可能在下個月或其后一個約觸底,而全球
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2005年3月A版 盡管2005年世界半導體業(yè)的銷售值勢比上年大幅下降,但銷量將繼續(xù)快速增長。為迎接這一需求,2005年300mm晶圓片生產線將加速建設。據iSuppli公司預測,當年將共建成16條生產線,比2003和2004年所建線加在一起還多。 2005年建設高潮是經歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線,其回報在2001年經濟衰退中受到嚴重打擊,可執(zhí)著堅持的公司卻在2004年半導體市場再創(chuàng)新高時獲得豐厚回報。 
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英飛凌科技公司在2004年IEEE(電子和電氣工程師學會 2004年12月13~15日于美國舊金山舉行)國際電子器件會議(IEDM)上,展示了該公司具有高生產性的、適合未來DRAM產品的70 nm工藝技術,此技術以在300 mm晶圓上的深溝(DT)單元為基礎。目前全球25%的DRAM生產都是以溝槽技術為基礎的。在其報告中,英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術特征――包括首次在基于溝槽技術的DRAM生產流程中使用高介電常數(shù)物質。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術突破,顯示了溝槽技術的可伸縮性。
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iSuppli最新發(fā)布的報告指出,今年上半年全球DRAM市場規(guī)模比去年同期增長66%,中國市場增長88%,其次為亞太地區(qū)(不含中國)的81%。日本經濟情況改善,其DRAM銷售增 長70%。美國僅僅增長48%,遠不及全球的66%。 在主要供貨商方面,Hynix、Elpida Memory與大部份臺灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長;而三星、美光與英飛凌的市場份額則在下降。中國是全球增長最迅速的DRAM市場,Hynix是該地區(qū)的領導廠商,市場占有率高達42%,去年同期為40%。
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企業(yè)網路設備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示,日內發(fā)表其獲獎產品Dragon入侵偵測系統(tǒng)(Intrusion Detection System;IDS)的最新版本。Dragon 5在其基礎架構中加入更好的延展性、可用性與彈性,以強化企業(yè)網路的安全
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IDS 凱創(chuàng) DDR2 DRAM
1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功。
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華晶 DRAM
1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功。
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芯片 DRAM
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