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Diodes推出超微型二極管
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封裝的產(chǎn)品。這批首次推出的6.0V 基納二極管及開關(guān)二極管以0.6 x 0.3 x 0.3毫米的規(guī)格供應(yīng)，比采用DFN1006-2封裝的同類產(chǎn)品節(jié)省70%的印刷電路板空間，并降低40%的離板高度。
- 關(guān)鍵字： Diodes X3-DFN0603-2 二極管
Diodes霍爾效應(yīng)開關(guān)使便攜式產(chǎn)品更趨小巧
- Diodes 公司推出全球體積最小的可編程、全極性霍爾效應(yīng)開關(guān)。這款A(yù)H1892器件適用于受空間限制的便攜式及電池驅(qū)動產(chǎn)品，包括平板電腦、智能手機和攝像機，特別適合接近效應(yīng)與位置檢測的需要。AH1892是一款微功率器件，采用微型的四引腳0.7 x 0.7 x 0.5毫米U-WLB0707-4封裝，體積比一般三引腳TSOT封裝產(chǎn)品小十七倍。
- 關(guān)鍵字： Diodes AH1892 霍爾效應(yīng)
Diodes推出低功耗高頻頭電源管理及控制集成電路系列
- Diodes公司推出新型的低功耗高頻頭(Low Noise Block，簡稱LNB)電源管理及控制集成電路系列，適用于機頂盒、內(nèi)置衛(wèi)星調(diào)頻器的電視，以及計算機衛(wèi)星調(diào)諧器卡等不同產(chǎn)品。全新ZLPM8000系列以提升產(chǎn)品效率和可靠性為設(shè)計原則，務(wù)求為制造商帶來所需的靈活性，迎合全球衛(wèi)星電視標(biāo)準(zhǔn)的要求。 三款率先面世的單輸出器件包括：高電流ZLPM8010(750mA)及低電流 ZLPM8011(450mA)，兩者均功能完備，支持DiSEqC 1與DiSEqC 2標(biāo)準(zhǔn);而低電流ZLPM8012(450
- 關(guān)鍵字： Diodes 電源管理
Diodes微型過壓鉗有效保護便攜式設(shè)備
- Diodes公司推出AP9060過壓鉗位器，用以保護便攜式應(yīng)用中的電源管理集成電路 (PMIC)。該產(chǎn)品采用1.1 x 1.4 x 0.8毫米的小型 W-DFN1114-3封裝，適用于最新一代的電池供電產(chǎn)品，包括智能手機、平板電腦及超迷你筆記本電腦。 該新器件能支持很寬的3V至30V的充電器輸出電壓，把通至PMIC的電壓限制在安全的11V鉗位電壓之內(nèi)。AP9060通過反饋回路控制一個MOSFET開關(guān)，有效地維持鉗位電壓水平。該器件使用超低的偏置電流，將自身發(fā)熱量降至最低，從而提升產(chǎn)品的可靠性。
- 關(guān)鍵字： Diodes 電源管理
Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評級要求。 這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下，保證器件正常
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 控制器
MOSFET控制器有助提升PSU效率
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評級要求。
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXGD3104N8
diodes介紹
二極管（同見雙極晶體管，半導(dǎo)體，晶體管）
diodes(See also bipolar transistors;semiconductors;transistors)
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