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          中芯國際今年仍盈利無望 赴內地上市存障礙
          
                                                            
            
                    	
          • 　　中芯國際連年虧損，今年也不例外;該公司行政總裁張汝京表示，今年仍然可能無法實現(xiàn)盈利目標，但對集團整體展望仍是正面。
　　中芯第三季業(yè)績因DRAM價格走弱而虧損2,555萬美元，外電引述張汝京的話表示，若集團的DRAM業(yè)務能夠達到收支平衡，全年才有望獲得盈利。
　　集團早前預期今年DRAM業(yè)務將難有明顯改善。此外，張汝京表示，中芯仍計劃于內地上市，但目前仍存有許多障礙。
　　集團于上海的12英寸芯片生產線，昨日正式投產，初期投資4.5億美元，未來投資總額將增加至20億美元。張汝京表示，上海的生產線
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          • 關鍵字：
                        消費電子  中芯國際  DRAM  芯片  消費電子                          
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          分割DRAM虧損部門 矽統(tǒng)裁員不裁錢
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據臺灣媒體報道，芯片大廠矽統(tǒng)也將步威盛步伐，進行重整計劃，上月爆出消息，矽統(tǒng)將虧損關鍵DRAM模塊部門分割獨立為子公司昱聯(lián)科技外，近期傳出，矽統(tǒng)將大舉進行裁員。矽統(tǒng)表示，由于DRAM跌價重創(chuàng)，前三季都大虧，為改善這一局面，矽統(tǒng)將進行規(guī)模重整，調整營運步伐，進行有效裁員，期望至明年上半年慢慢回升績效，至明年下半年，可望營收回升，整體回暖。
　　威盛和矽統(tǒng)都曾是英特爾的勁敵，帶給英特爾極大的威脅，但由于一些技術上以及專利方面的原因，以及全球大氣候的影響，慢慢被強勁的對手比拼，聲勢日漸低落，即使全力一搏，
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          • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  芯片  矽統(tǒng)  模擬IC  電源                          
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          DRAM市場基礎繼續(xù)惡化 預計08年資本開支下滑超過30%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內存市場基礎繼續(xù)惡化，大多數DRAM供應商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?！?
　　預計2008年，DRAM領域的資本開支將下滑超過30%，原來預計下降20%。這將導致總體內存資本開支減少10-12%。
　　在DRAM市場經歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計
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          • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  三星  NAND  EDA  IC設計                          
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          第三季度NAND閃存銷售額增長37%，達42億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　市場調研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導體全球銷售額增長37%，達到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內的消費電子產品需求刺激下的連續(xù)增長勢頭，本季度可能結束。由于產量增長速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價格將下降18%。
　　韓國海力士半導體第三季度增長最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達到8.06億美元。它的市場份額是19%，在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應商三星電子，市場份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數量
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          • 關鍵字：
                        NAND  閃存  DRAM  存儲器                          
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          NEC電子開發(fā)出40納米DRAM混載系統(tǒng)LSI 混載工藝技術
          
                                                            
            
                    	
          • 　　NEC電子近日完成了兩種線寬40納米的DRAM混載系統(tǒng)LSI工藝技術的開發(fā)，使用該工藝可以生產最大可集成256MbitDRAM的系統(tǒng)LSI。40nm工藝技術比新一代45nm半導體配線工藝更加微細，被稱為45nm的下一代產品。此次，NEC電子推出的工藝中，一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝，它可使邏輯部分的處理速度最快達到800MHz，同時保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝，它的功耗約為內嵌同等容量SRAM的1/3左右。
　　UX8GD和 UX8LD 是在線寬從55nm縮小至40nm的
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          • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  NEC  DRAM  LSI                          
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          供應過剩 NAND及DRAM行情短期進一步惡化
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國iSuppli調研結果顯示，由于供應過剩與價格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內進一步惡化。
　　NAND閃存方面，預計512M產品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價格下跌的主要原因韓國內存廠商將生產能力從DRAM轉移至NAND閃存，從而導
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          • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  NAND  DRAM  閃存  MCU和嵌入式微處理器                          
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          2007年上半年DRAM模塊市場晴雨表 金士頓仍是霸主
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據iSuppli公司，2007年上半年金士頓鞏固了自己在全球品牌第三方DRAM模塊市場中的領先地位，但同期增長最快的則是規(guī)模較小的創(chuàng)見與記憶科技。
　　2007年上半年，臺灣創(chuàng)見DRAM模塊銷售收入比2006年同期大增77.3%，在所有的供應商中增長率最高。其銷售收入從2006年上半年的1.41億美元增長到2.5億美元。創(chuàng)見在品牌第三方DRAM模塊市場中的排名從2006年上半年時的第10升至第六。
　　iSuppli公司的存儲IC和存儲系統(tǒng)總監(jiān)兼首席分析師Nam Hyung Kim表示：“由于創(chuàng)見
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          • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  金士頓  臺灣  MCU和嵌入式微處理器                          
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          08年半導體設備市場前景黯淡 產能利用率面臨下降風險
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2008年半導體設備市場前景黯淡，資本開支預計下滑超過3%。Hosseini預測，前端設備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年，而后端設備預計也充滿變數。
　　他在報告中指出，“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化，由于芯片單元增長率出現(xiàn)拐點，2008年上半年晶圓廠產能利用率面臨下降風險。我們預計前端設備訂單繼續(xù)下滑，下滑情況可能會持續(xù)到2008年第3季度?！彼瑫r表示，“從2007年第3季度到2008年第3季度，預計后端訂單勢頭平緩至下滑，之后有望重現(xiàn)恢復?！?
　　他最大的擔憂在DRAM行業(yè)，預計“整
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          • 關鍵字：
                        模擬技術  電源技術  半導體  DRAM  芯片  元件  制造                          
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          美半導體產業(yè)協(xié)會:近期半導體市場不會衰退
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據國外媒體報道，美國半導體產業(yè)協(xié)會(SIA)表示，近期內半導體市場不大可能出現(xiàn)衰退。它認為今年全球芯片的銷售額將增長3%，在隨后三年中的增長速度會更高一些。
　　SIA表示，它預計全球的芯片銷售額將由去年的2477億美元增長至2571億美元，增長速度低于今年年初時預期的10%。
　　6月份，SIA將今年芯片銷售額的增長速度預期下調到了1.8%，主要原因是幾種關鍵市場的低迷━━其中包括微處理器、DRAM和閃存。此后，微處理器的銷售出現(xiàn)了強勁增長，迫使SIA提高了對芯片銷售額增長速度的預期。
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          • 關鍵字：
                        模擬技術  電源技術  半導體  芯片  DRAM  模擬IC  電源                          
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          三星DRAM銷售穩(wěn)居冠軍，但市場份額不保
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據市場調研機構iSuppli公布的調查報告顯示，韓國三星電子在今年第三季度全球DRAM儲存芯片市場的銷售收入仍穩(wěn)坐冠軍寶座，但其部分市場份額卻被位居第二的Hynix奪走。
　　據國外媒體報道，iSuppli在上周四發(fā)布的報告中表示，在第三季度中Hynix有非常受矚目的表現(xiàn)，它的成長速度相當迅猛，并在逐步縮小與三星的差距。據悉，第三季度三星的市場份額為27.7%，位居全球第一，其銷售收入比第二季度下降了2.9%為19.33億美元;排在第二位的是Hynix，其第三季度收入比第二季度增長了15.4%達到1
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          • 關鍵字：
                        消費電子  三星  DRAM  冠軍  嵌入式                          
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          晶圓廠陸續(xù)上線 08年閃存產能將首超DRAM內存
          
                                                            
            
                    	
          • 　　研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，閃存產能將在2008年首次超過DRAM內存。
　　根據SMA報告，閃存產能從2000年以來已經增長了四倍，達到相當于290萬片200毫米硅晶圓的規(guī)模。相比之下，DRAM產能自那時起僅增長225%。
　　報告表示，從2005年到2008年底的三年間，閃存制造商增加的產能是之前四年增加量的六倍。
　　預計2008年和2009年，將有另外超過十座晶圓廠上線。SMA預計，當設備裝機完成時，將帶來每月相當于150萬片2
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          • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  內存  晶圓  MCU和嵌入式微處理器                          
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          第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進制程受益
          
                                                            
            
                    	
          • 　　對全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財報進行分析可以發(fā)現(xiàn)，在該季度，代工業(yè)整體需求旺盛，一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢。不過，雖然需求旺盛，但是由于代工產品種類及技術水平的差別，各代工廠在凈利潤方面卻是冷暖自知，中芯國際(SMIC)成為DRAM價格嚴重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損，但是通過與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動下，不久中芯國際有望走出低迷。
　　第三季度代工需求旺盛
　　綜合各家代工廠第三季度的財報，可以發(fā)現(xiàn)(見表“全球前
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          • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  中芯國際  IC  DRAM  模擬IC                          
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          IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增
          
                                                            
            
                    	
          • 　　IDC在最新的《全球半導體市場預測》中預測，2007年全球芯片銷售收入增長速度放慢將為2008年的大增長奠定基礎。
　　據國外媒體報道，2007年全球芯片市場的增長速度將只有4.8%，2006年的這一數字只有8.8%。IDC預測，2008年的增長速度將達到8.1%。
　　報告指出，如果產能增長速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢，芯片市場的增長速度會更快。市場潮流是合并和收購，這可能會改變業(yè)界的競爭格局。
　　IDC負責《全球半導體市場預測》的項目經理戈帕爾說，今年上半年芯片市場的供過于求降低了對各
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          • 關鍵字：
                        消費電子  芯片  DRAM  NAND  EDA  IC設計                          
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          應用材料總裁談芯片業(yè) 閃存與移動視頻是關鍵
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國和歐洲市場強勁的季節(jié)銷售，以及緊隨其后的中國新年銷售旺季，將有助于決定DRAM是否供過于求、邏輯芯片供應正在減少以及2008年全球芯片產業(yè)走向。
　　應用材料總裁兼首席執(zhí)行官MikeSplinter預測，如果情況不是很好，2008年半導體產業(yè)發(fā)展可能不會太強勁。2007年，半導體設備資本開支增長率為0到5%之間，而半導體收入增長預計為5%到10%之間。
　　Splinter表示，“尚未為止，2007年半導體產業(yè)未現(xiàn)繁榮景象。這不是因為銷售沒有增加，而是由于遭遇沉重的價格壓力。粗略估計，邏輯芯片
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          • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  芯片  半導體  MCU和嵌入式微處理器                          
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          IC單位出貨量強勁 面臨廠商無利潤繁榮局面
          
                                                            
            
                    	
          • 　　最近公布的數據顯示，2007年IC單位出貨量將增長10%，略高于市場調研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來，IC單位出貨量一直保持兩位數的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數據轉換(58%)、和汽車相關的模擬IC(32%)出貨量強勁增長，正在推動總體產業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。
　　1980年以來，IC產業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數增長率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長速
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          • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  IC  DRAM  NAND  模擬IC                          
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          dram 介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 
 
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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