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          SK海力士計劃明年第二季量產10 納米DRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 　　繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。
　　來自產業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設為 Alius，已準備進入量產前置作業(yè)。SK 海力士目前已經完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。
　　半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產品開發(fā)才算完成。據(jù)報
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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          SK 海力士計劃明年第二季量產10 納米DRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 　　繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。
　　來自產業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設為 Alius，已準備進入量產前置作業(yè)。SK 海力士目前已經完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。
　　半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產品開發(fā)才算完成。據(jù)報
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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          美光重心押注臺灣 3D DRAM封測廠和華亞科擴建案投資達千億
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美光全數(shù)收購華亞科股權，華亞科并于6日下市，美光定于12日舉行華亞科加入美光典儀，并將宣布在中國臺灣地區(qū)擴大投資案，包括3D DRAM封測廠和華亞科擴建案，估計總投資金額上看千億元新臺幣。
　　美光已網羅前艾克爾總經理梁明成出任負責美光存儲器后段封測廠投資案，12日華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Durcan)將親自主持，預料將同步宣布相關人事及擴大在臺投資布局。
　　這也是美光繼在大陸西安廠之后，在海外最大手筆的封測投資計劃，美光也借由邀請包括臺灣桃園市長鄭文燦及經濟部長等相
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          • 關鍵字：
                        美光  DRAM                          
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          美光計劃擴大3D DRAM封測廠和華亞科擴建案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　繼以一千三百億元新臺幣收購華亞科股權后，美光決定擴大在臺投資，計劃在中科興建美光在海外首座3D架構的存儲器封測廠，并網羅前艾克爾(Amkor)總經理梁明成出任這項業(yè)務臺灣區(qū)總經理，新投資計劃預定十二日宣布。
　　梁明成四日證實已于十月底離開艾克爾，但因美光還未正式對布發(fā)布人事，他低調表示還在休息，詳細職務等美光宣布。
　　據(jù)了解，美光收購華亞科股權案已進入尾聲，華亞科已于十一月卅日停止交易，美光預定十二日舉辦華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Duncan)將再度親自抵臺主持，預料
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          • 關鍵字：
                        美光  DRAM                          
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          一文看盡最新最全的大陸晶圓廠產能數(shù)據(jù)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 無論如何，產業(yè)要想發(fā)展、進步，就必須要有投資，而投資必然會伴隨著風險，大量資金和資源投入，都打了水漂的情況以前也曾頻頻出現(xiàn)過，只希望在國家大力扶持下的IC產業(yè)，能盡量少走彎路，早日實現(xiàn)中國“芯”，強國夢。
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          • 關鍵字：
                        晶圓  DRAM                          
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          三星內存霸占手機：市場份額創(chuàng)紀錄
          
                                                            
            
                    	
          • 　　市調機構DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)顯示，2016年第三季度的全球移動DRAM內存市場上，三星電子的份額已經達到創(chuàng)紀錄的64.5%，比此前季度提高了3.0個百分點。
　　當季，三星移動內存業(yè)務收入達29.6億美元(約合人民幣205億元)，環(huán)比大漲22.4%。
　　作為三星的頭號對手，SK海力士的份額從25.1%下降到了22.8%，基本上只有三星1/3的規(guī)模，不過兩家合計已經占到了87.3%。
　　美光位列第三，但形勢也不太好，跌落到10.6%。臺灣南亞有所上升，但也不過1.3%。
　　上
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          第三季移動DRAM內存產值季增16.8%
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，受惠于全球智能手機進入傳統(tǒng)備貨旺季，加上各DRAM產品價格同步上揚，第三季行動式內存總產值達45.88億美元，季成長約16.8%。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季有蘋果iPhone 7與三星Note 7旗艦機型發(fā)布，讓全球行動式內存出貨大增，縱使Note 7受爆炸影響于第四季宣布停產，先前的備料動作已為第三季行動式內存的營收做出貢獻。
　　以三大DRAM廠行動式內存營收市占來
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          • 關鍵字：
                        DRAM                          
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          TrendForce：價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內存的產出，轉為行動式內存與服務器用內存。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型內存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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          • 關鍵字：
                        TrendForce  DRAM                          
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          價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內存的產出，轉為行動式內存與服務器用內存。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型內存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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          • 關鍵字：
                        DRAM  南亞科                          
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          日本半導體產業(yè)發(fā)展歷程解讀
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 目前世界半導體產業(yè)進入到寡頭時代，競爭格局相對穩(wěn)定。盡管日本企業(yè)在半導體設備行業(yè)份額日益減少，但在半導體的一些其他細分行業(yè)以及半導體材料領域， 日本企業(yè)仍保持著優(yōu)勢地位。
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          • 關鍵字：
                        半導體  DRAM                           
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          DRAM戰(zhàn)國時代 長江存儲、聯(lián)電、合肥長芯三大勢力將對決
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當大陸DRAM產業(yè)龍頭。
　　盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術，由
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          • 關鍵字：
                        DRAM  長江存儲                          
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          SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓國經濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產的DRAM為目前獲利性高的主力產品，2016年底生產比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產比重。
　　SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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          SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓國經濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產的DRAM為目前獲利性高的主力產品，2016年底生產比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產比重。
　　SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
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                        SK海力士  DRAM                          
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          賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲器解決方案，實現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網應用的瞬時啟動
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　賽普拉斯半導體公司今日宣布其一款用于支持瞬時啟動應用的全新小尺寸存儲器解決方案已驗證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲器。該方案在一個低引腳數(shù)封裝內結合了用于實現(xiàn)快速啟動和隨開隨用高速NOR閃存，和用于擴展便箋式存儲器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設計。 該解決方案可用于廣泛的應用類別，包括
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          • 關鍵字：
                        賽普拉斯  DRAM                           
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          dram 介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 
 
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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