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三星半導體 vs. SK海力士 誰更會做生意?
- 受惠于2014年DRAM市場好轉(zhuǎn),南韓兩大半導體廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也創(chuàng)下了亮眼的成績。兩者相較,三星半導體部門雖然在營收、營利規(guī)模上贏過SK海力士,不過SK海力士營利率表現(xiàn)則是優(yōu)于三星。 韓媒Money Today報導,三星半導體部門從2014年第3季開始,連2季取代了負責主力智能型手機事業(yè)的IM(Information technology & Mobile Communications)部門,拿下三星獲利金雞母頭銜。S
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三星2015年發(fā)展計劃:發(fā)力芯片和半導體業(yè)務(wù)
- 2015年三星為保持盈利還得打一場艱苦戰(zhàn)。據(jù)報道,韓國科技巨頭三星四季度移動業(yè)務(wù)盈利縮水2/3,不過需求旺盛卻使三星半導體業(yè)務(wù)盈利增長超過預(yù)期。 那么三星在2015該如何打一場翻身仗呢?增加投資支出。從三星的發(fā)展歷程來看,不管市場狀況如何,三星從來都不會放松對未來的投資。三星投資者關(guān)系主管 羅伯特-李(Robert Yi)表示:“去年,三星對于生產(chǎn)設(shè)備的投資達到了23.4萬億韓元,這和我們之前的計劃無差。 就單個業(yè)務(wù)來看,半導體和顯示器業(yè)務(wù)的投資額分別為14.3萬億韓元和4萬億韓元。
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20納米轉(zhuǎn)換困難重重 4GB DDR4主流之路恐延后
- DRAM廠轉(zhuǎn)進20納米制程困難重重,業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導入終端應(yīng)用的時間點,會遞延至2016年第1季,象征4GbDDR4成為主流的時間點也會延后。然而美光旗下華亞科表示,目前20納米制程轉(zhuǎn)進速度一切都如預(yù)期,年底會有8萬片的12吋晶圓轉(zhuǎn)進20納米制程,資本支出不會改變。 日前傳出韓系存儲器廠25納米制程的產(chǎn)品未過PCOEM客戶認證,導致部分貨源流入現(xiàn)貨市場,這也代表進入先進制程技術(shù)后,產(chǎn)品認證的嚴格度大幅攀升,未來20納米制程世代的問題更嚴重,轉(zhuǎn)進20納米制程
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今年DRAM整體跌幅有限 研調(diào)看好南亞科獲利
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷認為,在需求面不弱、新一代產(chǎn)品DDR4與LPDDR4比重增加價格提升下,2015年DRAM整體跌幅有限,從各DRAM廠的競爭態(tài)勢來看,三星在各領(lǐng)域中制程轉(zhuǎn)進進度最快,成本下降比其他競爭廠商明顯,臺系廠商部分,南亞科(2408-TW)轉(zhuǎn)型為利基型記憶體公司,仍將有不錯的獲利空間。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示,1月標準型記憶體價格大部分還在議定當中,目前看來月跌幅不超過6%
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無線應(yīng)用成2015半導體市場最大增長動力
- 2015年全球半導體行業(yè)收入預(yù)計將達3580億美元,較2014年增長5.4%,但仍然低于之前5.8%的增長預(yù)期。 半導體市場的增長動力包括智能手機專用標準電路ASSP,以及超移動PC和固態(tài)硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。 “由于DRAM恢復(fù)傳統(tǒng)的降價方式,而整個行業(yè)需要消耗假期的過多庫存,因此2015年的半導體收入增長可能較2014年的7.9%有所放緩?!睒I(yè)內(nèi)人士認為,“由于供應(yīng)短缺,DRAM價格在2014年基本保持堅挺,使之成為2014年增速最
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SK海力士與美光制程慢 與三星差距拉大至兩年
- 韓國業(yè)界高層向韓國時報透露,今年新訂單暢旺,芯片業(yè)者可望荷包滿滿,然而SK海力士制程發(fā)展較慢,若追上三星,今年下半或許會有新一波“懦夫博弈”(game of chicken),意味業(yè)者可能會流血競爭,擴產(chǎn)搶市占。 相關(guān)人士說,三星電子添購設(shè)備,生產(chǎn)更多服務(wù)器和計算解決方案用的DRAM,并擴增第17線廠產(chǎn)能。據(jù)傳三星接獲大單,會增產(chǎn)企業(yè)服務(wù)器用的20納米內(nèi)存。業(yè)界高層說,不是所有內(nèi)存商都能開心度過今年,三星和SK海力士的制程技術(shù)拉大至兩年,可能會有新一輪的生存大戰(zhàn)。
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平板裝置對移動DRAM需求持續(xù)增加
- 市場研究機構(gòu)TechNavio 近期發(fā)布的報告指出,全球平板電腦(tablet)市場對 DRAM 的需求持續(xù)增加,其營收在 2018年以前將以10.64%的復(fù)合年平均成長率(CAGR)溫和成長,不過供應(yīng)商們?nèi)悦媾R一些挑戰(zhàn)。 根據(jù)TechNavio的估計,平板電腦用行動DRAM市場營收規(guī)模在 2014為15.1億美元,預(yù)計該數(shù)字將在 2018年增加到25億美元,成長率約9.3%;以出貨量來看,2013年平板電腦用行動DRAM位元出貨量為22.4億Gbit ,之后將以每年35.3%的平均成長率在20
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半導體事業(yè)關(guān)鍵時刻 救了三星的面子與里子
- 三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財報,營收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元),其中半導體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻達一半以上,可說是最大功臣。 據(jù)韓媒ChosunBiz報導,三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財報,業(yè)績終于跌回升,營收為52兆韓元,營業(yè)利益達5.2兆韓元。 韓國KDB大宇證券推估,三星電子DS部門第4季貢獻營業(yè)利益約2.9兆韓元,比IT暨移動通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營業(yè)利益(2
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存儲器市場再下一城 三星量產(chǎn)20納米GDDR5
- 三星(Samsung)宣布將以該公司20奈米(nm)先進制程,量產(chǎn)業(yè)界首款8Gb第五代繪圖雙倍資料率(GDDR5)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)。GDDR5為目前市場上被廣泛采用的獨立型(Discrete)繪圖記憶體。 三星電子記憶體銷售與行銷執(zhí)行副總裁Joo Sun Choi表示,三星預(yù)期8Gb GDDR5 DRAM可提供原始設(shè)備制造商(OEM)最高效的繪圖記憶體解決方案,并為游戲機(Game Console)、筆記型電腦及桌上型電腦等裝置提供出色的效能。 Joo Sun Choi進一步
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Gartner:蓬勃的DRAM市場為內(nèi)存制造商帶來增長
- Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計結(jié)果,2014年全球半導體總營收為3398億美元,與2013年的3150億美元相比增長7.9%。前25大半導體廠商合并營收增長率為11.7%,優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場營收的72.1%,比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示:“就群體來看,DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢始于2013年DRAM市場因供給減少及價格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今,2014年營收也因而增長31.
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三星系統(tǒng)IC事業(yè)營收下滑 2014年南韓系統(tǒng)IC貿(mào)易逆差16億美元
- 據(jù)觀察,受制于蘋果(Apple)應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)轉(zhuǎn)單,三星電子(Samsung Electronics)智能手機銷售成長趨緩,且三星AP不易整合LTE(Long Term Evolution)等功能,使得2014年三星系統(tǒng)IC事業(yè)營收與南韓系統(tǒng)IC出口金額皆較2013年下滑,也導致南韓系統(tǒng)IC貿(mào)易在歷經(jīng) 2011~2013年連續(xù)3年順差后,2014年轉(zhuǎn)為逆差16億美元。 南韓將半導體貿(mào)易統(tǒng)計區(qū)分為存儲器與非存儲器兩大項,主因為其半導體以存儲器為大宗出
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韓媒:三星DRAM制程獨強、SK海力士慘,恐掀大戰(zhàn)
- 三星電子自打嘴巴,先前口口聲聲說沒必要擴產(chǎn)破壞市場,不料近來卻一再傳出擴產(chǎn)DRAM消息!繼高盛之后,韓媒也爆料稱市場可能會掀起新一波廝殺血戰(zhàn),報導稱SK 海力士 (SK Hynix )和美光(Micron Technology)的微縮制程不夠先進,可能會遭受重創(chuàng)。 韓國時報(Korea Times)14日報導,南韓業(yè)界高層向該報透露,今年新訂單暢旺,晶片業(yè)者可望荷包滿滿,然而SK海力士制程發(fā)展較慢,若追上三星,今年下半或許會有新一波「懦夫博弈」(game of chicken),意味業(yè)者可能會流
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dram 介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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