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預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產品低,因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因,供應方面:三星擴大減產、美光祭出逾20%的漲幅等,持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動,華為Mate
- 關鍵字: Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
通脹沖擊消費電子終端買氣,2022年DRAM模組廠營收年減4.6%
- 受高通脹沖擊消費電子產品買氣影響,據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計,2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元,年衰退約4.6%;其中各模組廠因供應的領域不同,使得各家營收表現(xiàn)差異較大。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計,2022年全球前五大存儲器模組廠占整體銷售額90%;前十名則合計囊括全球模組市場的96%營業(yè)額,其中Kingston(金士頓)的市占達78%,雖營收小幅下跌,仍維持全球第一。盡管終端市場需求不佳,但基于Kingston品牌規(guī)模,加上完整的產品供應鏈,使得其營收衰退幅度較小,僅衰
- 關鍵字: 消費電子 DRAM 模組
三星、SK海力士拿到無限期豁免權
- 10月9日,韓國總統(tǒng)辦公室通報,美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下,三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備,該決定一經通報即生效。據(jù)悉,無限期豁免將通過更新Validated End-User(VEU)清單來取得。若被納入該清單,便無需額外獲得許可,代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示,“通過與相關政府的密切協(xié)調,與我們在中國的半導體生產線運營有關的不確定性已大大消除?!盨K海力士則表示,“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信,這一決定將
- 關鍵字: 三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略
- 面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道,隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》(CHIPS法案)資金分配和限制的國家安全護欄,韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務,并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內需求的產品。關于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響,人們有不同的意見。但有一點是肯定的:希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件,并在未來10年內避免在中國進行實質性產能擴張。商務部的新聞稿顯示,補貼接受者在
- 關鍵字: CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
集邦咨詢:2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%,DRAM 要開啟增長周期
- IT之家 9 月 27 日消息,存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道,伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產,已經市場去庫存效果顯現(xiàn),預估 NAND Flash 價格回暖之后,DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損,2023 年以來已經進行了多次減產,目前相關效果已經顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產,主要集中在 128 層以下產品中,在 9 月產量下降了
- 關鍵字: 存儲 DRAM NAND Flash
存儲廠商持續(xù)減產,市場何時迎來供需平衡?
- 受高通貨膨脹、消費電子需求疲軟等因素影響,存儲市場發(fā)展“遇冷”,鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動減產,2023年三星宣布加入減產行列。不過,由于市場需求持續(xù)衰弱,2023年存儲市況仍未復蘇,價格不斷下跌,廠商業(yè)績承壓。這一背景下,部分存儲廠商期望通過繼續(xù)減產維穩(wěn)價格,推動市場供需平衡。近日,臺灣地區(qū)《工商時報》等媒體報道,DRAM廠商南亞科將跟進大廠減產策略,調整產能、降低稼動率、彈性調整產品組合和資本支出,根據(jù)客戶需求和市場變化動態(tài)調整,以應對市場疲軟,預計產能將動態(tài)調降20%以內。此前,全球市場
- 關鍵字: 存儲廠商 DRAM TrendForce
3D DRAM 設計能否實現(xiàn)?
- 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
- 關鍵字: DRAM
DRAM的變數(shù)
- 一路暴跌的半導體行業(yè)在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù),第二季 DRAM 產業(yè)營收約 114.3 億美元,環(huán)比增長 20.4%,終結連續(xù)三個季度的跌勢。存儲作為行業(yè)的風向標,止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后,不知道還有多少變數(shù),又何時傳遞給整個半導體行業(yè)呢?經歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報告,2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營收為 181.9 億美元,環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度,DRAM 供應商庫存快速堆積,為搶占第四季度的出貨市
- 關鍵字: DRAM
dram 介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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