德國總理默克爾15日在柏林的一次演講中暗示，政府可能對本國半導體企業(yè)提供財政資助，以幫助這些企業(yè)更好地與美國公司競爭。
默克爾在演講中比較了德國英飛凌、奇夢達與美國英特爾的情況，并認為英特爾獲得了美國政府經濟刺激計劃的慷慨支持。她表示，對歐洲僅剩的幾家半導體生產商，政府可能需要對其提供資助。
數(shù)據(jù)顯示，受經濟衰退影響，DRAM價格過去一年下跌58%。德國半導體企業(yè)深受打擊，奇夢達已經于今年1月23日申請破產保護。
據(jù)悉，由于德國9月27日將迎來全國大選，總理默克爾和其挑戰(zhàn)者副總理兼外
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英飛凌 DRAM 半導體
中國臺灣存儲芯片生產商茂德科技董事長陳民良周二表示，公司正與數(shù)家企業(yè)就開展戰(zhàn)略合作生產芯片事宜進行談判。
陳民良在年度大會上向公司股東表示，茂德科技將利用其臺中的工廠生產DRAM芯片。
該公司還將打算利用其新竹的芯片廠生產非主流DRAM產品和非DRAM芯片。
由于存儲芯片行業(yè)供應過剩及全球經濟滑坡導致的需求下滑，茂德科技此前八個季度連續(xù)虧損，導致公司現(xiàn)金緊張，舉步維艱。
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茂德 DRAM 存儲芯片
過去一向扮演DRAM市場領頭羊的三星電子(Samsung Electronics)，在近期這波合約價上漲過程中，卻表現(xiàn)異常的沈默，存儲器業(yè)者表示，三星不僅不愿意跟進調漲，甚至業(yè)界不斷傳出三星有意不讓1Gb容量DDR2價格上漲超過1.5美元、甚至1.3美元，似乎不想讓原本奄奄一息的臺廠，再度有喘息機會，加上DRAM產業(yè)前景仍不明確，終端需求回籠跡象還不明顯，但卻已傳出多家DRAM廠開始低調增加投片量，希望能趕上2009年下半PC市場傳統(tǒng)旺季，這不僅讓整體DRAM市場彌漫著相當詭異氣氛，亦讓臺DRAM廠對
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三星 DRAM 晶圓 DDR2
據(jù)港臺媒體報道，美國國家標準和技術研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究，希望能為內存科技打開新的大門。這項技術雖然相當創(chuàng)新，但其實去年已經先由惠普對外展示它靈活的形式，讓外界為之驚艷。
根據(jù)《CENT》報導，NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成，是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIS
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惠普 DRAM 內存 軟性憶阻器
《山寨科技創(chuàng)了什么新》一文(本刊5月5日號總第267期)發(fā)表以后，讀者的熱情反應與分歧的意見，讓遠在大洋彼岸的我始料未及。在本文中，我試圖再次整理山寨中的創(chuàng)新因素，讓居廟堂之高者明白，創(chuàng)新不必非來自于高高在上的微軟、諾基亞或者默克，也不必像當年搞“兩彈一星”那樣舉全國之力傾斜投入，關鍵在于利用市場全球化、技術開放化的強大推手，在國際價值產業(yè)鏈上配置資源。
中國要走的自主知識產權的創(chuàng)新道路上，山寨科技的摸索已經為我們探明了前進的路徑：
研發(fā)模式：螞蟻雄兵的模塊化開發(fā)強
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TI DRAM 手機
臺灣“經濟部”部長尹啟銘周六表示，將由政府主導出資成立的臺灣記憶體公司(TMC)，將獲日本政府投資，但他不愿透露金額及其他細節(jié)。分析師解讀，臺灣及日本有此意外之舉，應是希望藉此聯(lián)合起來，與全球龍頭——韓國三星抗衡。
對于日本政府有意投資TMC的最新進展，富邦投顧研究部協(xié)理李克揚分析，“對兩邊的產業(yè)界都有好處?，F(xiàn)在就是大家一起在想辦法，希望這次可以一起活下來，或是最少保持跟得上三星的競爭力。”
李克揚表示，日本政府應該亦
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TMC DRAM
NAND Flash經歷2個月價格狂飆后，近期市場買氣一夕轉淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價時，通路商一度擔心會缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費者需求不振，導致中間通路商手上庫存整個塞住，并造成16Gb產品現(xiàn)貨價跌破4美元心理關卡，合約價漲勢亦熄火，模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應在營收表現(xiàn)上。
模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場
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蘋果 DRAM NAND
據(jù)臺灣媒體報道，日前由于科技產業(yè)景氣有所回暖，繼臺積電決召回被裁員的員工后，臺灣地區(qū)DRAM廠商力晶已宣布，即日起員工無薪假由原來的8天減為4天。
據(jù)悉，此前力晶員工的無薪假期為1周休2天，1個月無薪假期為8天，相當于減薪20%至30%。
此外，臺積電、聯(lián)電及旺宏，在4月就全面取消無薪休假，但其他產能不足的廠商仍然在實施無薪假。(舟舟)
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力晶 DRAM
存儲器芯片產業(yè)景氣在歷經兩年來的大滑坡之後，看來似乎已經落底，但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。
更慘的是，部分分析師認為近期存儲器芯片價格上漲，讓迫切需要進行的產業(yè)重整工作受阻，使得產業(yè)仍呈現(xiàn)過度擁擠狀態(tài)，易于受到周期性景氣榮枯的沖擊。
“除了產業(yè)龍頭三星電子之外，其他動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)業(yè)者都必需想出對策以保留現(xiàn)金及繼續(xù)存活。”富邦投顧研究部協(xié)理李克揚表示。
長期來看，部分業(yè)者很難獨自走出活路。
臺灣政府今年稍早成立臺灣存儲器公司(TM
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三星 DRAM 存儲器
根據(jù)《埃達荷政治家報》網(wǎng)站報導，DRAM大廠Micron Technology正對外尋求資金以擴展 LED制造業(yè)務，且同時考慮生產太陽能板。
美國埃達荷州政府看好Micron的未來表現(xiàn)，亦積極向美國能源部申請，由該州能源資源局撥款500萬美元。
由于DRAM業(yè)務虧損連連，Micron索性裁員并關閉部份產線，連閃存部門也分拆出去與 Intel(英特爾) 共組合資企業(yè)IM Flash Technologies LLC。
有意改變營運重心的Micron，逐漸將眼光放在技術水準類似，獲利卻更
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Micron DRAM LED
海力士半導體公司(Hynix Semiconductor, Inc.，other-otc:HXSCF)、LG Electronics (KRX:066570)、三星電子株式會社(other-otc:SSNLF) 和Silicon Image公司日前宣布組成一個行業(yè)聯(lián)盟，推廣串行端口內存技術(SPMT?)在市場的應用，努力使之成為行業(yè)標準。作為首個針對動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的內存規(guī)范，SPMT將首先把目光對準手機市場，推動產生能夠運行數(shù)據(jù)高度密集的富媒體應用、同時電池壽命更長的新一代移動設備。
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Hynix DRAM 串行端口
據(jù)市場研究公司Gartner本周一發(fā)表的初步統(tǒng)計數(shù)字顯示，全球DRAM內存行業(yè)今年第一季度繼續(xù)萎縮，銷售收入下降到了8年以來的最低的并且繼續(xù)增加虧損。
Gartner稱，今年第一季度全球DRAM內存行業(yè)的銷售收入是35.7億美元，同比下降了41%，是2001年第四季度以來銷售收入最低的。第一季度的數(shù)字還顯示比去年第四季度43.8億美元的銷售收入減少了18%。
DRAM內存行業(yè)的下降是從兩年前開始的，過多地建設工廠導致了內存芯片過剩。全球經濟衰退減少了內存芯片向PC的銷售進一步損害了DRAM
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三星 DRAM 內存
DRAM產業(yè)的春天逐漸來臨，臺系DRAM廠包括力晶、南亞科、華亞科等將逐漸縮短員工無薪假，力晶從5月底開始，無薪假由塬本8天縮短為4天;南亞科除12吋廠因轉換制程之故，部分生產線人員未能如期歸隊，內部評估將提早結束這波無薪假;華亞科亦表示，已減少休無薪假的員工數(shù)和天數(shù)，逐漸增加12吋廠投片量。顯示近期DRAM價格上揚，對于搖搖欲墜的DRAM產業(yè)果然是一帖特效藥!
隨著晶圓代工、面板廠紛取消無薪假，這次終于輪到DRAM廠，力晶、南亞科、華亞科都將陸續(xù)縮短無薪假的天數(shù)，將大部分員工召回公司上班，目前
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力晶 DRAM
韓國電子公司三星宣布，預估今年DRAM出貨量將增長10-15%，而NAND閃存出貨則估計上漲25-30%。
三星高層曾在 4月表示，預估廣泛用于個人電腦的DRAM芯片，在今(2009)年出貨量將有10%-15%的增長，由去年10月的預估值降下來。
在互聯(lián)網(wǎng)上公開的簡報文件顯示，三星也預期專用于消費性電子設備的NAND，今年出貨將增長25-30%。
三星近兩年來經歷了嚴酷的低迷時期，而在大量減產調整庫存后，今年經濟情況才開始有起色。
盡管三星對于生產過剩的風險相當謹慎，分析師卻對
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三星 DRAM
今年第一季封裝測試大廠賠多賺少，力成(6239)以每股稅后純益1.31元，穩(wěn)居類股每股盈余獲利王，力成董事長蔡篤恭與國內存儲器顆粒廠熟識，內存廠面對去年以來景氣嚴苛沖擊，各家財務狀況也面對有史以來最大挑戰(zhàn)，然在生死存亡之際，蔡篤恭認為，下半年主流顆粒價格將有機會挑戰(zhàn)每顆1.5美元，一線大廠有機會挑戰(zhàn)獲利。
大廠減產DRAM再跌不易
從第一季底開始，DRAM現(xiàn)貨價、合約價呈現(xiàn)大幅上揚走勢，目前已經達每顆1.3美元之上，創(chuàng)下今年度以來新高紀錄，根據(jù)蔡篤恭的預估，一線廠商三星電子、爾必達、海力士
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DRAM 封裝
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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