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08年半導體設備市場前景黯淡 產能利用率面臨下降風險
- 2008年半導體設備市場前景黯淡,資本開支預計下滑超過3%。Hosseini預測,前端設備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年,而后端設備預計也充滿變數。 他在報告中指出,“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化,由于芯片單元增長率出現拐點,2008年上半年晶圓廠產能利用率面臨下降風險。我們預計前端設備訂單繼續(xù)下滑,下滑情況可能會持續(xù)到2008年第3季度?!彼瑫r表示,“從2007年第3季度到2008年第3季度,預計后端訂單勢頭平緩至下滑,之后有望重現恢復。” 他最大的擔憂在DRAM行業(yè),預計“整
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 半導體 DRAM 芯片 元件 制造
晶圓廠陸續(xù)上線 08年閃存產能將首超DRAM內存
- 研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示,閃存產能將在2008年首次超過DRAM內存。 根據SMA報告,閃存產能從2000年以來已經增長了四倍,達到相當于290萬片200毫米硅晶圓的規(guī)模。相比之下,DRAM產能自那時起僅增長225%。 報告表示,從2005年到2008年底的三年間,閃存制造商增加的產能是之前四年增加量的六倍。 預計2008年和2009年,將有另外超過十座晶圓廠上線。SMA預計,當設備裝機完成時,將帶來每月相當于150萬片2
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 內存 晶圓 MCU和嵌入式微處理器
第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進制程受益
- 對全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財報進行分析可以發(fā)現,在該季度,代工業(yè)整體需求旺盛,一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢。不過,雖然需求旺盛,但是由于代工產品種類及技術水平的差別,各代工廠在凈利潤方面卻是冷暖自知,中芯國際(SMIC)成為DRAM價格嚴重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損,但是通過與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動下,不久中芯國際有望走出低迷。 第三季度代工需求旺盛 綜合各家代工廠第三季度的財報,可以發(fā)現(見表“全球前
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 中芯國際 IC DRAM 模擬IC
應用材料總裁談芯片業(yè) 閃存與移動視頻是關鍵
- 美國和歐洲市場強勁的季節(jié)銷售,以及緊隨其后的中國新年銷售旺季,將有助于決定DRAM是否供過于求、邏輯芯片供應正在減少以及2008年全球芯片產業(yè)走向。 應用材料總裁兼首席執(zhí)行官MikeSplinter預測,如果情況不是很好,2008年半導體產業(yè)發(fā)展可能不會太強勁。2007年,半導體設備資本開支增長率為0到5%之間,而半導體收入增長預計為5%到10%之間。 Splinter表示,“尚未為止,2007年半導體產業(yè)未現繁榮景象。這不是因為銷售沒有增加,而是由于遭遇沉重的價格壓力。粗略估計,邏輯芯片
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 芯片 半導體 MCU和嵌入式微處理器
IC單位出貨量強勁 面臨廠商無利潤繁榮局面
- 最近公布的數據顯示,2007年IC單位出貨量將增長10%,略高于市場調研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來,IC單位出貨量一直保持兩位數的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數據轉換(58%)、和汽車相關的模擬IC(32%)出貨量強勁增長,正在推動總體產業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來,IC產業(yè)單位出貨量有兩次實現連續(xù)三年保持兩位數增長率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長速
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DRAM十月價格持續(xù)下跌;ETT現貨價急漲12%
- 上周(10/15-10/22)現貨市場eTT顆粒呈現近幾周少見的急漲局面,DDR2512MbeTT價格收在1.17美元,漲幅約11.9%;相較之下,品牌顆粒仍呈現平穩(wěn)走勢,上漲至1.37美元,幅度為1.4%。根據集邦科技(DRAMeXchange)分析指出,上周DDR2eTT的強勁漲勢,是因為eTT主要的供貨商進行70nm轉進,供給量減少,部份買主逢低買進拉抬買氣,進而帶動價格上揚,因此這波價格上揚主要是短期市場操作結果,而非市場終端需求帶動;此外,這波投機性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒,并沒有
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 集邦 DRAM ETT MCU和嵌入式微處理器
DRAM現貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清
- 現貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后,暫時止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場方面,由于現貨市場供給數量仍舊不足,上周也曾出現缺貨狀況,價格持續(xù)小幅上揚,DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。 十月份合約市場相當清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認為,倘若預期十一
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微處理器
1美元失守!臺DRAM廠難逃虧損百億
- 全球DRAM現貨價16日正式跌破1美元重要心理關卡,以目前現貨報價及DRAM廠每月產能狀況推估,臺DRAM廠力晶、茂德及南科3雄每月合計將蒙受約1億美元損失,且未來虧損數字恐持續(xù)擴大,若2007年底前DRAM現貨價無法翻揚,初步估計臺DRAM3雄從現在起到2007年底前總共將虧掉新臺幣100億元以上,其中,以力晶處境最為不利。  
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 1美元 MCU和嵌入式微處理器
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]