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半導(dǎo)體與DRAM產(chǎn)值 同步創(chuàng)史上新高
- 以智慧型手機(jī)為首的行動(dòng)裝置全球熱賣，帶動(dòng)今年前5月半導(dǎo)體產(chǎn)值創(chuàng)下史上新高，達(dá)6003億元、年增14.2%。其中，低迷多年的DRAM出頭天，價(jià)量齊揚(yáng)，以產(chǎn)值615億元也創(chuàng)下歷史新高，一口氣較去年同期成長(zhǎng)56.9%。 半導(dǎo)體是臺(tái)灣重要的外銷產(chǎn)業(yè)之一，今年上半年南韓及日本的出口衰退最多，對(duì)馬來西亞及菲律賓的出口成長(zhǎng)最快速。 經(jīng)濟(jì)部今天公布上述臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)值的統(tǒng)計(jì)結(jié)果。更進(jìn)一步看，其中以積體電路業(yè)產(chǎn)值3916億元占65%為最大宗，半導(dǎo)體封裝及測(cè)試業(yè)產(chǎn)值1647億元占27%居次，2者合占逾9
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第三季移動(dòng)存儲(chǔ)器體價(jià)格持平 廠商獲利穩(wěn)定
- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，2014年第三季行動(dòng)式記憶體價(jià)格與前季相較相對(duì)持穩(wěn)，所有產(chǎn)品線的跌幅皆落在5%以內(nèi)，其中大部分的智慧型手機(jī)廠甚至在第三季的采購(gòu)價(jià)格與前季完全相同，在行動(dòng)式記憶體連續(xù)跌價(jià)超過兩年的前例看來，今年受旺季需求支撐所呈現(xiàn)的價(jià)格持平走勢(shì)相當(dāng)難得，DRAM廠在該領(lǐng)域的獲利持續(xù)向上攀升。 DRAMeXChange研究協(xié)理吳雅婷表示，智慧型手機(jī)仍是第二季最大的需求來源，其中由于正值中國(guó)地區(qū)電信系統(tǒng)由3G轉(zhuǎn)4GTD-LTE，
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工程師們心目中那永遠(yuǎn)的十款王牌存儲(chǔ)器
- 在如今這工程師漫山遍野的年代，工程師已經(jīng)變得隨處可見、遍地都是，但我相信每個(gè)工程師心目中都有屬于自己的“王牌”器件。如電腦的記憶芯片 - 存儲(chǔ)器，SRAM、DRAM、EEPROM、PLASH、可讀寫類、只可讀類等等。同時(shí)存儲(chǔ)器在我們?nèi)粘Ｉ钪幸搽S處可見，每人必備的U盤、硬盤、光盤等等，所以作為工程師的我們必須關(guān)注下這十款經(jīng)典的存儲(chǔ)器。下面就為大家?guī)砉こ處焸冃哪恐心怯肋h(yuǎn)的十款“王牌”存儲(chǔ)器。 NO.1：24C16 火熱度：????? 一款非常
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2013年全球內(nèi)存模塊廠營(yíng)收排名
- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存研究部門DRAMeXchange最新發(fā)表的模塊營(yíng)收調(diào)查顯示，2013年全球模塊市場(chǎng)總銷售金額約為73億美元，相較于2012年55億美元，大幅提升32%，主要受益于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格的上漲、現(xiàn)貨市場(chǎng)轉(zhuǎn)趨熱絡(luò)及合約市場(chǎng)的比重提升。2013年模塊廠前十名幾乎囊括全球模塊市場(chǎng)中88%的營(yíng)業(yè)額，其中金士頓穩(wěn)坐模塊廠龍頭，年?duì)I收增長(zhǎng)約32%;威剛與記憶科技則分居二、三名，營(yíng)收也大幅增長(zhǎng)116%及37%。由于模塊廠營(yíng)業(yè)項(xiàng)目轉(zhuǎn)趨多元，本次排名僅針對(duì)各家模塊廠的DRAM營(yíng)收做統(tǒng)計(jì)
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DRAM價(jià)格居高不下 智能手機(jī)需求旺
- 近來DRAM價(jià)格晶片大宗訂單的價(jià)格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應(yīng)給日益成長(zhǎng)的智慧手機(jī)市場(chǎng)，令人擔(dān)心個(gè)人電腦(PC)未來的供應(yīng)。預(yù)料在8月之前蘋果最新iPhone晶片采購(gòu)達(dá)到高峰前，DRAM晶片價(jià)格都不會(huì)下滑。 在6月下半個(gè)月期間，DRAM產(chǎn)業(yè)指標(biāo)產(chǎn)品2GBDDR3的大宗訂單價(jià)格約莫每單位2.03美元，而4G的繼格約每單位33美元。雖然這些價(jià)格與6月上半個(gè)月差不多，但與去年同期相比勁增20%。目前2GBDDR3現(xiàn)貨價(jià)約為每單位2.2美元。 市場(chǎng)需求上升不只來自蘋果，隨著中國(guó)
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DRAM下季合約價(jià)喊漲
- DRAM拉貨潮啟動(dòng)，加上芯片廠制程推進(jìn)受阻，主流DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨報(bào)價(jià)攀上4.35美元，創(chuàng)近一年半新高價(jià)，本季漲幅近二成，有機(jī)會(huì)向歷史新高4.6美元邁進(jìn)，華亞科、南科將成為大贏家。 DRAM市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示，本季DRAM現(xiàn)貨價(jià)與合約價(jià)價(jià)差已達(dá)20%，預(yù)估第3季合約價(jià)看漲5%至10%。IC通路商透露，三星已率先鳴槍，通知旗下通路商及委托制造廠(OEM)廠，7月起漲幅10%，揭開DRAM另一波漲勢(shì)。 集邦預(yù)期，下半年DRAM因各大芯片廠并無考慮增產(chǎn)，加上制程推進(jìn)和良率提升進(jìn)度緩慢，將
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基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進(jìn)先出存儲(chǔ)功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當(dāng)中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實(shí)時(shí)顯示控制領(lǐng)域中.往往需要對(duì)大量數(shù)據(jù)進(jìn)行快速存儲(chǔ)和讀取，而這種先進(jìn)先出的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)很好地適應(yīng)了這些要求，是傳統(tǒng)RAM無法達(dá)到的。 許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個(gè)FIFO芯片級(jí)聯(lián)擴(kuò)展，這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本高。本文分別針對(duì)Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進(jìn)行接口連接和編程控制，來
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受惠三大因素上半年半導(dǎo)體業(yè)淡季不淡
- 根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)觀察，2014上半年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)受惠于中國(guó)大陸與新興市場(chǎng)智慧手機(jī)需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來LCDTV需求等三大因素，拉動(dòng)了智慧手機(jī)晶片、驅(qū)動(dòng)IC及電視SoC晶片之營(yíng)收持續(xù)高漲，形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)少見的淡季不淡現(xiàn)象。 展望2014下半年，雖為傳統(tǒng)旺季，但中國(guó)大陸6月份縮減了3G智慧型手機(jī)補(bǔ)助，為市場(chǎng)投下變數(shù)，中國(guó)4G/LTE手機(jī)的銷售情形，將成為左右臺(tái)廠營(yíng)收的重要關(guān)鍵。拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預(yù)估，2014下半年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)營(yíng)收預(yù)估達(dá)80.7億美元，較去年同
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海力士超車美光 躍居全球最大PC DRAM廠
- 南韓第二大記憶體廠SK海力士(SKHynix)首季超越勁敵美光，成為全球PC用動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶體(DRAM)第一大廠。 市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli數(shù)據(jù)顯示，SK海力士PC用DRAM首季市占率33.2%，重新奪回全球排名首位，而原居領(lǐng)先位置的美光則自前季的36.4%下滑至32.1%。另外，三星電子拿下26.3%的市占率，位居第三。 在伺服器用DRAM的市占率排名上，遙遙領(lǐng)先的三星拿下43.5%、SK海力士34.1%居次、美光則為21%。 美光在行動(dòng)裝置市場(chǎng)以29.8%的市占率上板回
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基于CPLD的DRAM控制器設(shè)計(jì)方法
- 80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場(chǎng)的上導(dǎo)產(chǎn)品之一，已廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內(nèi)，集成有DRAM RCU單元，即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動(dòng)產(chǎn)生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。經(jīng)適當(dāng)編程后，RCU將向?qū)⑻幚砥鞯?BIU(總線接口)單元產(chǎn)生存儲(chǔ)器讀請(qǐng)求。對(duì)微處理器的存儲(chǔ)器范圍編程后，BIU單元執(zhí)行刷新周期時(shí)，被編程的存儲(chǔ)器范圍片選有效。 存儲(chǔ)器是嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的重要組成部分之一。通常采用靜態(tài)
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美光半導(dǎo)體移動(dòng)DRAM 架構(gòu)總監(jiān) Daniel Skinner榮獲 JEDEC最高榮譽(yù) “卓越獎(jiǎng)”
- 美光半導(dǎo)體技術(shù)有限公司移動(dòng) DRAM 架構(gòu)總監(jiān) Daniel Skinner榮獲JEDEC(即“固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)”)最高榮譽(yù)“卓越獎(jiǎng)”。 該殊榮是對(duì)其擔(dān)任LPDDR3 和 LPDDR4 任務(wù)組主席期間所展現(xiàn)出的杰出領(lǐng)導(dǎo)力的高度認(rèn)可。 “卓越獎(jiǎng)”是由JEDEC頒發(fā)最具聲望的獎(jiǎng)項(xiàng)，該獎(jiǎng)項(xiàng)旨在對(duì)長(zhǎng)期服務(wù)于 JEDEC 和標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的個(gè)人予以表彰。Daniel Skinner 先生是第十位獲此殊榮的人士。 JEDEC 總裁John
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大廠偏重生產(chǎn)移動(dòng)存儲(chǔ)器 DRAM供貨吃緊
- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動(dòng)式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形下，2014下半年已有供貨吃緊的跡象。 以需求端來觀察，由于PCOEM庫存水位普遍不高，采購(gòu)策略上除了希望原廠提供的顆粒外，亦向記憶體模組廠尋求更多的支援，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)醞釀第三季合約價(jià)格上漲的氛圍;從現(xiàn)貨價(jià)格來觀察，目前4GB報(bào)價(jià)約在36美元間，5月合約均價(jià)在30.5美元，
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Ziptronix和EVG集團(tuán)展示晶圓與晶圓間混合鍵合的亞微米精度
- Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡(jiǎn)稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和 SmartView ? NT 鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲(chǔ)器、高級(jí)圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)?！ iptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquis
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趨勢(shì)大師：DRAM高成長(zhǎng) 帶旺半導(dǎo)體業(yè)
- 2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)結(jié)果出爐，與我們先前預(yù)估吻合，2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)較2012年成長(zhǎng)4.9%，扭轉(zhuǎn)2012年衰退2.4%頹勢(shì)。半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)，是由DRAM及NANDFlash帶動(dòng)，DRAM及NAND年成長(zhǎng)率分別高達(dá)32.5%及24.2%。 統(tǒng)計(jì)2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)額達(dá)3181億美元，較2012年的3031億美元成長(zhǎng)4.9%。 2013年全球前25大半導(dǎo)體公司合計(jì)營(yíng)業(yè)額2253億美元，占整體半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額71%，較2012年的69%上升2個(gè)百分點(diǎn)。2013年全球最
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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