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分析稱臺(tái)系DRAM廠明年可望大幅增長(zhǎng)
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRA
- 關(guān)鍵字： 南科 DRAM Flash
NAND Flash跌價(jià)深 上游大廠開始對(duì)模塊廠讓步
- NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對(duì)于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對(duì)庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動(dòng)，部分模塊廠開始回補(bǔ)一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因?yàn)橛刑O果(Apple)訂單的撐腰，對(duì)于價(jià)格仍是相當(dāng)強(qiáng)硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補(bǔ)丸。 近期NAND Flash價(jià)格修正頗深，除了歐洲和美國(guó)市場(chǎng)需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND Flash
分析稱臺(tái)系DRAM廠2011年可望大幅增長(zhǎng)
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRA
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臺(tái)系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)
- 根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報(bào)告指出，臺(tái)系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRAM廠之冠。
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NAND Flash市況兩極 靜待8月底補(bǔ)貨潮
- 2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強(qiáng)勁，但零售市場(chǎng)買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價(jià)給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價(jià)，與模塊廠陷入僵局。 近期大陸因?yàn)閬嗊\(yùn)因素，
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VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),0 引言
在VxWorks的應(yīng)用系統(tǒng)中，基于flash的文件系統(tǒng)通常都采用DOS+FAT+FTL的結(jié)構(gòu)。
一般情況下，磁盤文件系統(tǒng)大多是基于sector的文件系統(tǒng)，磁盤按照物理上分為柱面、磁盤、扇區(qū)，扇區(qū)是基于塊的文件系統(tǒng)操作的 - 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) TFFS Flash 文件 系統(tǒng) VxWorks
U-Boot從NAND Flash啟動(dòng)的實(shí)現(xiàn)
- 摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動(dòng)給應(yīng)用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動(dòng)。分析了U-Boot啟動(dòng)流程的兩個(gè)階段及實(shí)現(xiàn)從NAND Flash啟動(dòng)的原理和思路，并根據(jù)NAND Flash的物理結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)特點(diǎn)，增加U-
- 關(guān)鍵字： 實(shí)現(xiàn) 啟動(dòng) Flash NAND U-Boot
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