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格芯面向IoT和汽車應(yīng)用推出業(yè)界首款基于22FDX平臺且可批量生產(chǎn)的eMRAM
- 通過在ECC-off模式下的較大工作溫度范圍（-40至125℃）內(nèi)實現(xiàn)封裝級產(chǎn)品功能和可靠性，我們展示了適用于工業(yè)級MCU和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用且可用于生產(chǎn)的22nm FD-SOI嵌入式MRAM (eMRAM)產(chǎn)品。我們對磁隧道結(jié)(MTJ)堆疊、集成和蝕刻工藝進行了優(yōu)化，使其符合400℃ BEOL和HPD2后退火工藝要求，并實現(xiàn)MTJ性能，從而滿足所有產(chǎn)品要求。從封裝級數(shù)據(jù)可以確認，eMRAM產(chǎn)品通過了標準可靠性測試，如LTOL（168小時）、HTOL（500小時）、1個月周期耐久性測試以及5次焊料回流測
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體制造 eFlash
聯(lián)華電子採用晶圓專工業(yè)界第一個0.11微米eFlash製程，量產(chǎn)觸控IC
- 聯(lián)華電子今日(22日)宣佈已採用0.11微米eFlash製程量產(chǎn)觸控IC應(yīng)用產(chǎn)品。此特殊技術(shù)最初于2012年底于聯(lián)華電子推出，是為晶圓專工業(yè)界第一個結(jié)合12V與純鋁后段(BEoL)製程，以因應(yīng)次世代觸控控制器及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品的需求。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM，以便用于各尺寸觸控螢?zāi)划a(chǎn)品的微控制器時，0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的邏輯元件，并可達到更高效能。 聯(lián)華電子市場行銷處資深處長黃克勤表示：「觸控面板已是今日電子產(chǎn)品主流的操作介面。聯(lián)華電子觸控平臺解決方案其
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瑞薩電子開發(fā)28奈米嵌入式快閃記憶體技術(shù)
- 瑞薩電子(Renesas Electronics)已開發(fā)全新快閃記憶體技術(shù)，可達到更快的讀取與覆寫速度。這項新的技術(shù)是針對采用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程技術(shù)的晶片內(nèi)建快閃記憶體微控制器(MCU)所設(shè)計。 為因應(yīng)近來的環(huán)境議題，世界各國對于汽車性能的法規(guī)(CO2排放、燃油效率及廢氣)皆日趨嚴格。因此，傳動系統(tǒng)必須支援新的引擎控制方法。此外，先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)現(xiàn)在希望能創(chuàng)造安全、防護及舒適的汽車體驗。為因應(yīng)上述市場需求，汽車MCU必須進一步提升效能，甚至進一步降低
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智原發(fā)表完整硅智財，擴展聯(lián)華電子55納米eFlash制程平臺解決方案
- 聯(lián)華電子與ASIC設(shè)計服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商智原科技今日(12日)共同發(fā)表，在聯(lián)電55納米低功耗嵌入式閃存(embedded flash, eFlash)制程的基礎(chǔ)硅智財組件庫(cell library)、內(nèi)存編譯程序(memory compiler)，以及關(guān)鍵接口IP等。這套完整的55納米eFlash解決方案可同時滿足市場對低功耗與高密度的設(shè)計需求，尤其適用于各種物聯(lián)網(wǎng)(IoT, Internet of Things)與穿戴裝置(wearable devices)等應(yīng)用。 對于需要長時間待機的電子裝置，
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聯(lián)華電子驗證晶圓專工業(yè)界第一個12V eFlash解決方案
- 聯(lián)華電子近日宣布，已順利驗證晶圓專工業(yè)界第一個結(jié)合12V解決方案的高壓嵌入式閃存(eFlash)工藝。此工藝可將中大尺寸之觸控IC所需的驅(qū)動高壓，以及存放算法所需的eFlash，結(jié)合于同一顆高整合度的單芯片中，并且有效地改善信噪比(SNR)。
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)華電子 晶圓 eFlash
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