- 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產。eMRAM屬新型存儲技術，與當前占據市場主流的DRAM和NAND閃存相比，具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM的潛質。它在22nm工藝下的投產，將加快新型存儲技術的應用進程，未來發(fā)展前景看好。
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存儲 格芯 eMRAM
- 格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產流片。此次公告是一個重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯網(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應用中作為先進工藝節(jié)點的高性價比選擇。
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格芯 22FDX平臺 eMRAM
- 甫于5/24-25舉行的Samsung Foundry Forum Event發(fā)布的諸多technology roadmap中有一個乍看下不怎么起眼的消息：三星的28nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)制程有RF (射頻)與eMRAM (嵌入式磁性隨機存取存儲器)的選項，其中eMRAM的風險生產(risk production)為2018年;而18nm的FD-SOI制程風險生產將始于2020年，也有RF與eMRAM的選項。
之前于3月于
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eMRAM 晶圓
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