eeprom 文章 進(jìn)入eeprom技術(shù)社區(qū)
PIC32單片機(jī)在氣相色譜儀中應(yīng)用方案，軟硬件協(xié)同
- PIC32單片機(jī)在氣相色譜儀中應(yīng)用方案，軟硬件協(xié)同, 1 主要內(nèi)容1.1課題的目的及意義氣相色譜儀是一個精密儀器，其用途非常廣泛。他廣泛用于石油、化工、農(nóng)藥、公安、白酒、環(huán)境檢測、衛(wèi)生防疫以及高等院校、科研部門。自1952年世界上第一次創(chuàng)建實(shí)用氣液色譜法以來，在
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Flash芯片你都認(rèn)識嗎？
- Flash存儲器，簡稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn)，給大家一個全新認(rèn)識?！ ∫?、IIC?EEPROM IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn)：簡單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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新一代存儲技術(shù)漸入實(shí)用階段
- 近十年來，在高速成長的非易失性存儲器(NVM)市場的推動下，業(yè)界一直在試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好的存儲器技術(shù)，以替代閃存技術(shù)，更有效地縮小存儲器，提高存儲性能。目前具有突破性的存儲技術(shù)有鐵電RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相變RAM(PRAM)或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展。 新一代存儲技術(shù)顯現(xiàn) “多、快、省”特點(diǎn) MRAM是一種非易失性磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力及動態(tài)隨
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意法半導(dǎo)體(ST)推出全球首款內(nèi)置多I2C地址的4焊球WLCSP封裝 EEPROM
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)的M24系列EEPROM存儲器新增四款完全兼容工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4焊球WLCSP封裝(Wafer Level Chip Scale Package，晶圓級芯片封裝) 的產(chǎn)品，同時也是首個準(zhǔn)許在同一條I2C總線上連接兩顆以上4針EEPROM芯片，這是因?yàn)槊靠町a(chǎn)品都有一個獨(dú)立、內(nèi)部固化連接的I2C地址。因此設(shè)計(jì)人員可以在同一條總線上連接
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【E問E答】EEPROM工作原理是怎樣的？
- PROM是可編程器件，主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu)，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大體相同，主要結(jié)構(gòu)如圖所示： 浮柵中沒有電子注入時，在控制柵加電壓時，浮柵中的電子跑到上層，下層出現(xiàn)空穴。由于感應(yīng)，便會吸引電子，并開啟溝道。如果浮柵中有電子的注時，即加大的管子的閾值電壓，溝道處于關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達(dá)成了開關(guān)功能。 如圖2所示，這是EPROM的寫入過程，在漏極加高壓，電子從源極流向漏極溝道充分開啟。在高壓的作用下，
- 關(guān)鍵字： EEPROM 浮柵
【E問E答】EEPROM工作原理是怎樣的？
- PROM是可編程器件，主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu)，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大體相同?！ ROM是可編程器件，主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu)，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大體相同，主要結(jié)構(gòu)如圖所示： 浮柵中沒有電子注入時，在控制柵加電壓時，浮柵中的電子跑到上層，下層出現(xiàn)空穴。由于感應(yīng)，便會吸引電子，并開啟溝道。如果浮柵中有電子的注時，即加大的管子的閾值電壓，溝道處于關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達(dá)成了開關(guān)功能?！ ∪鐖D2所示，這是EPROM的寫入過程，在漏極
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Microchip新型數(shù)模轉(zhuǎn)換器集成EEPROM，可在掉電時保留設(shè)置
- 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)日前發(fā)布MCP48FXBXX系列新器件，進(jìn)一步擴(kuò)展其數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)產(chǎn)品線。MCP48FEBXX系列DAC器件一共包含6款新產(chǎn)品，內(nèi)有集成的EEPROM，可在掉電時保存DAC設(shè)置，而MCP48FVBXX系列則為不需要集成存儲器的應(yīng)用提供了成本更低的另一種選擇。這些低功耗的單通道和雙通道DAC提供8、10和12位分辨率，具有SPI串行接口，采
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用變址尋址原理突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限
- 一般地,EEPROM存儲器(如93C46/56/66系列)的擦寫次數(shù)為10萬次,超過這一極限時,該單元就無法再使用了。但在實(shí)際應(yīng)用中，可能有些數(shù)據(jù)要反復(fù)改寫。這時，可通過變址尋址的方式來突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限。 我們有一個單字節(jié)的數(shù)據(jù)要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法來做： 1、將93C56的00H單元定義為地址指針存放單元?！ ?、將要尋址的單元地址(假設(shè)為01H)放入93C56的00H地址中?！ ?、每次要對E2PROM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫時，先讀取00H中的數(shù)據(jù)，并
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實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)吐血推薦：怎樣在Linux環(huán)境下輕松實(shí)現(xiàn)基于I2C總線的EEPROM驅(qū)動程序
- 1引言 I2C (Inter-Integrated Circuit1總線是一種由Philips公司開發(fā)的2線式串行總線，用于連接微控制器及其外圍設(shè)備。它是同步通信的一種特殊形式，具有接口線少、控制方式簡單、器件封裝形式小、通信速率較高等優(yōu)點(diǎn)。在主從通信中，可有多個I2C總線器件同時接到I2C總線上，通過地址來識別通信對象。筆者在開發(fā)基于MPC8250的嵌入式Linux系統(tǒng)的過程中發(fā)現(xiàn)I2C總線在嵌入式系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，I2C總線控制器的類型比較多，對系統(tǒng)提供的操作接口差別也很大。與I2C總線相連的
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來IIC，您將看到這些公司的新產(chǎn)品（一）
- 離 IIC2015 秋季展只有一個月了，對于過去19年以來都有參觀的老工程師來說，去現(xiàn)場參觀一下參觀商，聽幾場重要的研討會，似乎是每年都會盡量安排去做的事。今年是IIC展會第20周年，展會即將來臨之前，在此先向大家推薦多家參展商預(yù)告的產(chǎn)品與技術(shù)，這樣有助于您現(xiàn)場參觀時更有針對性的去參觀了解。 廠商一：聚辰半導(dǎo)體(上海)有限公司(展位號： 3B21) 聚辰半導(dǎo)體(上海)有限公司會在現(xiàn)場推廣I2C、SPI和Microwire接口的系列EEPROM產(chǎn)品、OPA產(chǎn)品和鏡頭驅(qū)動芯片。重點(diǎn)展示非接觸射
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意法半導(dǎo)體（ST）世界首款汽車級2Mbit EEPROM讓汽車變得更環(huán)保、更安全
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出業(yè)界首款通過AEC-Q100認(rèn)證的2Mbit EEPROM芯片，為復(fù)雜的汽車系統(tǒng)模塊存儲及管理參數(shù)提供更多的應(yīng)用機(jī)會。 提升混合動力汽車、電動汽車或重型卡車發(fā)動機(jī)功率轉(zhuǎn)換效率和環(huán)保性能需要大量使用各種參數(shù)，包括進(jìn)氣量、燃油噴射、廢氣排放量或電池充電信息。同樣地，各種汽車安全應(yīng)用包括安全氣囊、行車記錄儀或制動控制器，均需要存儲并處理大量輸出參數(shù)以執(zhí)行物體檢測、3軸運(yùn)動感測、車輪速度及轉(zhuǎn)向角度等。 意法半導(dǎo)體新款M95M02
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華虹半導(dǎo)體最新推出0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺
- 華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布，最新推出0.11微米超低漏電(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平臺。該工藝平臺作為華虹半導(dǎo)體0.18微米超低漏電技術(shù)的延續(xù)，可為客戶提供一個完美兼具高性能、低功耗、低成本優(yōu)勢于一身的差異化解決方案。 新推出的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺支持低至于1.08伏的操作電壓，小于0.2pA/μm的超低漏電。該平臺的存儲器I
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意法半導(dǎo)體(ST)的寬溫串口EEPROM 提升工控和智能照明設(shè)計(jì)的靈活性
- 意法半導(dǎo)體新推出的工業(yè)增強(qiáng)版(Industrial-Plus)串口EEPROM存儲器工作溫度高達(dá)105°C，是市場上存儲容量、總線接口和芯片封裝選擇最齊全的EEPROM存儲器，為設(shè)計(jì)人員更新系統(tǒng)數(shù)據(jù)參數(shù)帶來更多的靈活性，而且無需修改印刷電路板設(shè)計(jì)。 34款新產(chǎn)品屬于M24(I2C)系列和M95(SPI)系列，存儲容量從2Kbits到512Kbits，采用引腳兼容的SO8N或TSSOP封裝，可靠性的提升讓采用新產(chǎn)品的設(shè)備能夠在惡劣的溫度環(huán)境下工作。 典型目標(biāo)應(yīng)用包括先進(jìn)工業(yè)控制和網(wǎng)絡(luò)
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FRAM存儲“多、快、省”
- 近日，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇介紹了FRAM(鐵電存儲器)產(chǎn)品在應(yīng)用中的獨(dú)特優(yōu)勢。擁有15年FRAM量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的富士通半導(dǎo)體，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特點(diǎn)?！岸唷敝傅氖荈RAM的高讀寫耐久性(1萬億次)的特點(diǎn)，可以頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);“快”指的是FRAM的高速燒寫(是EEPROM的40000倍)特性，這可以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題;“省”是FRAM超低
- 關(guān)鍵字： 富士通 FRAM EEPROM 201503
FRAM以領(lǐng)先特性解決應(yīng)用瓶頸、促進(jìn)產(chǎn)品創(chuàng)新
- 在海量的固態(tài)存儲技術(shù)已經(jīng)非常廣泛應(yīng)用、云存儲正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲技術(shù)大賣，并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、消費(fèi)電子、工業(yè)電子……幾乎所有的行業(yè)中無處不在。這種存儲技術(shù)就是鐵電存儲器(FRAM)。在近日于深圳舉辦的易維訊年度中國ICT媒體論壇上，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇分享了FRAM產(chǎn)品在應(yīng)用中的獨(dú)特技術(shù)特性優(yōu)勢，特別是FRAM RFID和認(rèn)證FRAM方面眾多的創(chuàng)新應(yīng)用案例對電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)具有很好的創(chuàng)新啟發(fā)，受到與會嘉賓的關(guān)注。
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eeprom介紹
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。
EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲器）是可用戶更改的只讀存儲器（ROM），其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。 [ 查看詳細(xì) ]
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