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          今年上半年中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展步伐放緩

          • 有關(guān)中國(guó)大陸2007年上半年半導(dǎo)體產(chǎn)銷報(bào)告日前出爐,數(shù)據(jù)顯示今年上半年大陸IC總銷售額人民幣607.2億元,年增長(zhǎng)率33.2%,相較于2006年上半年48%增長(zhǎng)率,明顯呈現(xiàn)增長(zhǎng)趨緩。其中,IC設(shè)計(jì)增長(zhǎng)減緩幅度最大,過(guò)去動(dòng)輒增長(zhǎng)逾50%榮景已不再。針對(duì)大陸晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)腳步漸趨保守,臺(tái)積電總執(zhí)行長(zhǎng)蔡力行日前表示,大陸半導(dǎo)體業(yè)正經(jīng)歷步伐調(diào)整期;大陸晶圓代工龍頭中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)張汝京則指出,對(duì)于大陸IC芯片需求仍感樂(lè)觀,尤其是消費(fèi)性IC及模擬電源管理IC需求最強(qiáng)勁。     根
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          長(zhǎng)電科技年產(chǎn)50億塊IC新廠投用

          •         江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)電科技”)年產(chǎn)50億塊IC新廠投用儀式在江陰舉行。長(zhǎng)電科技新城東廠區(qū)IC封裝測(cè)試項(xiàng)目占地面積850畝,分三期建設(shè)。本次投入使用的一期廠房已于2004年底開(kāi)工,總投資為20億元,新增年產(chǎn)IC 50億塊,在DIP系列、SOP系列、SIP系列基礎(chǔ)上向QFN、FCBGA、TCP、COF、COG、DFN、FBP等中高級(jí)IC發(fā)展。    &nbs
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  長(zhǎng)電科技  IC  

          2007年8月8日,江蘇長(zhǎng)電科技年產(chǎn)50億塊IC新廠正式投產(chǎn)

          •   2007年8月8日,江蘇長(zhǎng)電科技年產(chǎn)50億塊IC新廠正式投產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 長(zhǎng)電科技  IC  

          三星電子停電事故提前解決

          •   8月6日消息, 日前,韓國(guó)三星電子公司宣布,之前因?yàn)橥k姸黄韧V惯\(yùn)營(yíng)的芯片生產(chǎn)線,在上周六回復(fù)工作,與此同時(shí)公司表示,最終造成的實(shí)際經(jīng)濟(jì)損失,有可能低于之前的預(yù)期數(shù)字。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,作為世界最大的內(nèi)存芯片制造商,三星電子在上周五的時(shí)候,因?yàn)橥k妴?wèn)題被迫停止了六條芯片生產(chǎn)線的工作。據(jù)公司估算,此次停電造成的損失將達(dá)到400億韓元,折合4340萬(wàn)美元。據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)iSuppli透露,此次的停電,將繼續(xù)加劇如今已經(jīng)非常嚴(yán)重的NAND閃存芯片短缺,該現(xiàn)象爆發(fā)于8月上旬,據(jù)統(tǒng)計(jì)三星NAND生產(chǎn)線占
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  停電  IC  制造制程  

          飛兆半導(dǎo)體推出最高集成度“系統(tǒng)級(jí)封裝”的鎮(zhèn)流器 IC

          • 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出專為緊湊型熒光燈 (CFL) 設(shè)計(jì)而開(kāi)發(fā)、市面上集成度最高的鎮(zhèn)流器IC產(chǎn)品FAN7710。采用“系統(tǒng)級(jí)封裝”方案,F(xiàn)AN7710能在優(yōu)化性能的同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并克服了CFL照明應(yīng)用中面對(duì)空間受限的問(wèn)題。 FAN7710在超緊湊型8-DIP封裝中整合了一個(gè)625V高端柵極驅(qū)動(dòng)器電路、兩個(gè)550V MOSFET、一個(gè)頻率控制電路和一個(gè)并聯(lián)穩(wěn)壓器,并且加入了有源ZVS控制和開(kāi)燈檢測(cè)功能
          • 關(guān)鍵字: IC  單片機(jī)  飛兆半導(dǎo)體  嵌入式系統(tǒng)  鎮(zhèn)流器  封裝  

          自動(dòng)售貨機(jī)IC卡收費(fèi)模塊的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

          三星推出80nm制程移動(dòng)存儲(chǔ)器 二季度量產(chǎn)

          •   據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報(bào)道,韓國(guó)媒體Digital Daily與美國(guó)媒體Forbes報(bào)導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics)繼2006年8月將80nm制程的1Gb DDR 2標(biāo)準(zhǔn)型DRAM進(jìn)入量產(chǎn)階段后,27日又發(fā)表了針對(duì)手機(jī)與移動(dòng)設(shè)備推出的80nm制程DDR存儲(chǔ)器芯片,容量為1Gb,厚度較前代產(chǎn)品薄20%,耗電量減少30%。三星預(yù)計(jì)將在2007年第二季量產(chǎn)該產(chǎn)品,并預(yù)計(jì)屆時(shí)市場(chǎng)上對(duì)1Gb容量的手機(jī)存儲(chǔ)器芯片需求量將大幅增加
          • 關(guān)鍵字: IC  制造制程  

          65nm成為制程應(yīng)用分水嶺

          •     按照摩爾定律的說(shuō)法,2006年初半導(dǎo)體制造業(yè)就已經(jīng)進(jìn)入了65nm時(shí)代。不過(guò),令所有人始料不及的是65nm的普及遠(yuǎn)遠(yuǎn)非預(yù)期的那樣迅猛,在很多領(lǐng)域似乎根本不去考慮65nm制程的問(wèn)題,比如MCU,再如多媒體解碼芯片。于是,我們看到的結(jié)果是本該廣泛應(yīng)用的65nm制程在全面投產(chǎn)18個(gè)月之后的應(yīng)用領(lǐng)域只局限在少數(shù)幾個(gè)領(lǐng)域,這其中一向走在消費(fèi)前沿的CPU和存儲(chǔ)是最火爆的領(lǐng)域,而FPGA則是另一個(gè)熱衷于追逐65nm的擁躉。      當(dāng)90n
          • 關(guān)鍵字: IC  制造制程  

          哪些IC可以做出鮮明特色?

          •   5月底,半導(dǎo)體業(yè)又一重要事件發(fā)生了:意法半導(dǎo)體(ST)、英特爾和Francisco Partners宣布合資創(chuàng)立一家新的獨(dú)立半導(dǎo)體公司,組成新公司的原主營(yíng)業(yè)務(wù)部門去年創(chuàng)造年收入共計(jì)約36億美元。新公司的戰(zhàn)略重點(diǎn)將專注于提供閃存解決方案。   Intel是NOR閃存的數(shù)一數(shù)二廠商,ST是NOR閃存第三大公司。二虎能夠坐在一個(gè)山頭上談如何共贏,恐怕也是迫不得已的事。ST副總裁兼大中國(guó)區(qū)總經(jīng)理Bob Krysiak解釋說(shuō):“作為閃存或DRAM行業(yè),要想成功,必須量產(chǎn)和大規(guī)模的制造能力。過(guò)去兩年來(lái),兩家公司
          • 關(guān)鍵字: IC  

          數(shù)據(jù)分析:首季度中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展增速放緩

          • 進(jìn)入2007年,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)明顯呈現(xiàn)增長(zhǎng)乏力的態(tài)勢(shì)。與此同時(shí),受產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響,國(guó)內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)也出現(xiàn)增長(zhǎng)放緩、效益下滑的情況。在這兩方面因素影響下,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度也明顯放緩。據(jù)統(tǒng)計(jì),1-3月份國(guó)內(nèi)集成電路總產(chǎn)量為85.29億塊,同比增長(zhǎng)12.3%。全行業(yè)銷售收入總額為271.21億元人民幣,同比增長(zhǎng)27.4%,其增幅與2006年四季度相比回落8.7個(gè)百分點(diǎn)。   從一季度國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)、芯片制造與封裝測(cè)試三大行業(yè)的發(fā)展情況看,均不同程度的受到
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          立锜發(fā)布單節(jié)鋰離子電池充電IC─RT9502

          • 立锜科技(RichtekTechnology)針對(duì)單節(jié)鋰離子和鋰高分子電池應(yīng)用推出創(chuàng)新設(shè)計(jì)的充電IC─RT9502。該產(chǎn)品提供了簡(jiǎn)單的外部線路架構(gòu)、整合性的MOSFET、自動(dòng)選擇ADAPTER和USB雙輸入來(lái)源,且充電指示燈號(hào)不會(huì)因?yàn)槟玫綦姵囟a(chǎn)生微亮的錯(cuò)誤信號(hào),具備簡(jiǎn)單的充電電流設(shè)定,在簡(jiǎn)化了整機(jī)電路和軟件設(shè)計(jì)的同時(shí),更提供高達(dá)18V的過(guò)電壓保護(hù)。  目前便攜式的電子產(chǎn)品已經(jīng)走向輕薄短小的趨勢(shì),而鋰離子及鋰高分子電池正是符合該趨勢(shì)的應(yīng)用,RT9502正是專門為為鋰離子及鋰高分子電池而
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          IR推出低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的200V IC

          • 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列適用于低壓及中壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的200V IC,這些應(yīng)用包括電動(dòng)工具、低壓伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)園藝設(shè)備,以及像起重機(jī)、高爾夫球車和滑板車的電動(dòng)車。 IRS200x系列半橋、高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC系列是為低壓 (24V 、36V 和48V ) 及中壓 (60V 、80V 和100V ) 電機(jī)
          • 關(guān)鍵字: 200V  IC  IR  電機(jī)驅(qū)動(dòng)  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  

          盛群低電壓差電源穩(wěn)壓IC可用于多種產(chǎn)品

          • 盛群半導(dǎo)體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩(wěn)壓IC。該組件500mA電流輸出的規(guī)格,可以廣泛應(yīng)用于各種產(chǎn)品,例如PC/NBcameramodule,PC外圍產(chǎn)品,低電壓MCU,DSP等需求電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。 除了保證輸出電壓誤差在2%以內(nèi),HT1087擁有極佳的負(fù)載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達(dá)到60dB。內(nèi)建的保護(hù)功能有過(guò)電流及過(guò)熱保護(hù),為系統(tǒng)及IC提供必要的保護(hù)。  HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
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          Vishayn通道MOSFET驅(qū)動(dòng)IC可提供2A峰值匯

          • Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動(dòng)電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動(dòng)IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動(dòng)器可用于汽車中的高強(qiáng)度放電管,以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機(jī)控制及D類音頻系統(tǒng)。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓,可適應(yīng)9V~13.2V的寬泛電源電壓范圍,能夠以10ns的典型升降時(shí)間驅(qū)動(dòng)1,000pF的負(fù)載。
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