elitesic mosfet 文章 進入elitesic mosfet技術社區(qū)
使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節(jié)點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
- 關鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產(chǎn)品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
- 關鍵字： SiC MOSFET RSP
MOSFET在服務器電源上的應用
- 服務器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中，主要應用于服務器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開關電源。服務器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個規(guī)范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務器。SSI（Server System Infrastructure）規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構服務器生產(chǎn)商推出的新型服務器電源規(guī)范，SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務器電源技術，降低開發(fā)成本，延長服務器的使用壽命
- 關鍵字： MOSFET 服務器電源
功率MOSFET的工作原理
- 功率MOSFET的開通和關斷過程原理(1)開通和關斷過程實驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時，MOSFET 被驅動開通;-- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電;-- [t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
- 關鍵字： 功率 MOSFET 工作原理
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
- 關鍵字： Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創(chuàng)新的驅動器專門設計用于驅動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內(nèi)部負電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
- 關鍵字： SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動器
欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動要求時，我們經(jīng)常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
- 關鍵字： 欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
MOSFET開關損耗簡介
- 本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關模式調(diào)節(jié)器和驅動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^溝道的電流都是顯著的，導致晶體管中的高功耗。在開關模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個閉合的開關：即使大電流流過通道，功耗也會很低或中等。隨著開關模式操作接近理想情況，功耗變得可
- 關鍵字： MOSFET 開關損耗
解析LLC諧振半橋變換器的失效模式
- 在功率轉換市場中，尤其對于通信/服務器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議題。對于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開關頻率，以便降低無源器件的尺寸。零電壓開關(ZVS)拓撲因具有極低的開關損耗、較低的器件應力而允許采用高開關頻率以及較小的外形，能夠以正弦方式對能量進行處理，開關器件可實現(xiàn)軟開閉，因此可以大大地降低開關損耗和噪聲。在這些拓撲中，移相ZVS全橋拓撲在中、高功率應用中得到了廣泛采用，因為借助功率MOSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開關工作在ZVS狀態(tài)下
- 關鍵字： LLC MOSFET ZVS 變換器
談談幾種常用的MOSFET驅動電路
- 一、MOS管驅動簡述MOSFET因導通內(nèi)阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。當電源IC與MOS管選定之
- 關鍵字： MOSFET
elitesic mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條elitesic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對elitesic mosfet的理解，并與今后在此搜索elitesic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對elitesic mosfet的理解，并與今后在此搜索elitesic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
elitesic mosfet電路
elitesic mosfet相關帖子
elitesic mosfet資料下載
elitesic mosfet專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473