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選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的
- 隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進步，系統(tǒng)設(shè)計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據(jù)RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關(guān)性能指標來選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時
- 關(guān)鍵字： MOSFET 元件 制造
可測試低電流電源的簡單雙恒流載荷
- 當(dāng)今的小型家電，如洗碗機、烘干機、電爐等用開關(guān)電源代替了體積笨重的線性電源。工程師對這些電流從50mA~1A的電源進行了測試，一般使用電阻或標準現(xiàn)成的電負載。工程師會使用各種大功率電阻來檢驗多種負載條件以滿足合適的設(shè)計。多數(shù)標準的電負載都是針對平均300W功率的。在測量50mA ~ 300mA電流時，顯示結(jié)果并不準確，多數(shù)顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡單雙恒流負載設(shè)計，這種設(shè)計可以利用廉價的通用元件來構(gòu)建電路。 負載電流流過MOSFET和一個 1Ω
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 雙恒流載荷 MOSFET 運算放大器 放大器
飛兆半導(dǎo)體再獲殊榮贏得十大DC-DC 2007產(chǎn)品大獎
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產(chǎn)品大獎，獲評審小組肯定而勝出的產(chǎn)品是飛兆半導(dǎo)體全面優(yōu)化的集成式12V驅(qū)動器加MOSFET功率級解決方案FDMF8700。飛兆半導(dǎo)體的30V同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎項。 FDMF8700將驅(qū)動器IC和兩個功率MOSFET集成在一個節(jié)省空間的8mm x 8mm的56腳M
- 關(guān)鍵字： 消費電子 飛兆半導(dǎo)體 FDMF8700 MOSFET 消費電子
飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列
- 飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV的ESD(HBM)電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應(yīng)用(如筆記本電腦和手機)的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench工藝，這些低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導(dǎo)損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式
電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展
- 1 引言 人類的經(jīng)濟活動已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟時代，并正在轉(zhuǎn)入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時期。電源是位于市電（單相或三相）與負載之間，向負載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設(shè)備，是工業(yè)的基礎(chǔ)。 電源技術(shù)是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件，綜合電力變換技術(shù)、現(xiàn)代電子技術(shù)、自動控制技術(shù)的多學(xué)科的邊緣交叉技術(shù)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門多學(xué)科互相滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。他對現(xiàn)代通訊、電子儀器、計算機、工業(yè)自動化、電力工程、國防及某些
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 創(chuàng)新 高頻 MOSFET 模擬IC 電源
NEC電子推出8款汽車用功率MOSFET產(chǎn)品
- NEC電子近日完成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開發(fā)，并將于即日起開始發(fā)售樣品。 此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機等通過電流為數(shù)十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導(dǎo)通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品；另外4款產(chǎn)品與現(xiàn)有的60V耐壓品相比，導(dǎo)通阻抗最大可減至一半。 對于汽車廠商及器件廠商等用戶而言，使用低導(dǎo)通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時產(chǎn)生的熱量，從而減輕電路設(shè)計時的負擔(dān)。 新產(chǎn)品的樣品價格因耐壓及導(dǎo)通阻抗的不同而有
- 關(guān)鍵字： NEC電子 MOSFET 汽車電子
高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： MaximIntegratedProducts MOSFET DC/DC
如何計算高功率電源中MOSFET的功耗
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- 關(guān)鍵字： MOSFET
功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹
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- 關(guān)鍵字： MOSFET 美國國家半導(dǎo)體
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