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NI推出LabVIEW數(shù)字濾波器設計工具包 8.20版本
- NI推出全新LabVIEW數(shù)字濾波器設計工具包 8.20版本 工程師們現(xiàn)在可以選擇圖形化或文本方式進行數(shù)字濾波器設計、分析和實現(xiàn) 美國國家儀器有限公司（National Instruments，簡稱NI）宣布推出最新版本的NI LabVIEW數(shù)字濾波器設計工具包（Digital Filter Design Toolkit），這是一個用于設計和實現(xiàn)數(shù)字濾波器的綜合工具集。作為LabVIEW圖形化系統(tǒng)設計平臺的一個組成部分，數(shù)字濾波器設計工具包提供的
- 關(guān)鍵字： 8.20 LabVIEW數(shù)字濾波器 NI 版本 單片機 嵌入式系統(tǒng) 設計工具包
感恩節(jié)美國消費電子銷售額達20.9億美元
- 感恩節(jié)周黑色星期五當天美國零售商降價，吸引購物者掏腰包大買消費電子產(chǎn)品，不過整體銷售額的增長率不如去年同日。 NPD Group 日前發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，11月25日截止的一周內(nèi)，美國零售廠商的科技產(chǎn)品銷售額達20.9億美元，雖比去年同期增長11.8%，但增長率已縮小。2005年同期銷售額為18.7億美元，比2004年同期增加15.4%。 果如預期，在大肆宣傳和大折扣促銷的攻勢下，液晶電視和等離子電視的銷售業(yè)績亮麗。30寸或更大尺寸的液晶電視銷售額躍升2
- 關(guān)鍵字： 20.9億美元 感恩節(jié) 美國 消費電子 銷售額 消費電子
TVS器件信息設備ESD防護中的應用
- 引言 隨著電子信息技術(shù)的迅速發(fā)展，當前半導體器件日益趨向小型化、高密度和多功能化，特別是像時尚消費電子和便攜式產(chǎn)品等對主板面積要求比較嚴格的應用，很容易受到靜電放電(ESD)的影響。電路保護元件的選擇根據(jù)所要保護的布線情況、可用的電路板空間以及被保護電路的電特性來決定。因為利用先進工藝技術(shù)制造的IC電路里氧化層比較薄，柵極氧化層更易受到損害。而且一些采用深亞微米工藝和甚精細線寬布線的復雜半導體功能電路，對電路瞬變過程的影響更加敏感，這將導致上述問題加重。因此要求保護器件必須具備低箝位電壓以提供有效的ESD
- 關(guān)鍵字： ESD TVS 電源技術(shù) 靜電放電 模擬技術(shù)
飛兆半導體µSerDes™產(chǎn)品具有ESD保護
- 飛兆半導體公司宣布推出基于 µSerDes™ 技術(shù)的重要強化產(chǎn)品FIN224AC。與備受歡迎的前代產(chǎn)品FIN24AC相比，全新的FIN224AC占用相同的占位面積和基礎(chǔ)架構(gòu)，但卻提供增強的靜電放電 (ESD) 保護功能并能降低EMI。對任何手持式電子產(chǎn)品而言，ESD損害都是重要的考慮問題。飛兆半導體將FIN24AC的8kV ESD保護性能提升至 FIN224AC的15kV ESD，因而解決了這一難題。另一項改進
- 關(guān)鍵字： µ SerDes™ 15kV ESD 保護 單片機 電源技術(shù) 飛兆半導體 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng)
EFT/ESD問題的測量和定位
- 大部分電子產(chǎn)品需要通過電快速瞬變脈沖群（EFT）（根據(jù)IEC61000-4-4）和靜電放電（ESD）(根據(jù)IEC61000-4-2)等項目的標準測試。EFT和ESD是兩種典型的突發(fā)干擾，EFT信號單脈沖的峰值電壓可高達4kV，上升沿5ns。接觸放電測試時的ESD信號的峰值電壓可高達8kV，上升時間小于1ns。這兩種突發(fā)干擾，都具有突發(fā)、高壓、寬頻等特征。 在進行標準的EFT/ESD測試時，把干擾脈沖從設備外部耦合到內(nèi)部，同時監(jiān)視設備的工作狀態(tài)。如果設備沒有通過這些標準的測試，測試本身幾乎不能提
- 關(guān)鍵字： EFT/ESD 測量 測試
ESD保護器件產(chǎn)品詳解
- 泰科電子旗下的Raychem電路保護部推出PESD0402和0603靜電放電（ESD）保護器件產(chǎn)品。PESD保護器件專為高速數(shù)據(jù)傳輸應用中的輸入/輸出接口保護而設計，能使電子設備中的敏感電路免受靜電放電影響。 Raychem的PESD器件優(yōu)于傳統(tǒng)的保護器件，比如齊納二極管和多層壓敏電阻器（MLV）。傳統(tǒng)保護器件，不能在不引起信號質(zhì)量下降或失真的情況下持續(xù)應用于高速數(shù)據(jù)傳輸中。另一方面，瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管和微型氣體放電管對目前體積日趨減小的緊湊信息設備而言，顯得過大或過于昂貴。 R
- 關(guān)鍵字： ESD
減小ESD引起的停機時間
- 減小ESD引起的停機時間 半導體器件常常因靜電放電而失效。弄清楚失效的根源并遵守設計規(guī)則，就有助于避免這種失效?！ SD（靜電放電）是導致電子器件失 效的主要原因，它可以在任何階段——從制造到測試、組裝、生產(chǎn)、現(xiàn)場運行以及現(xiàn)場 PC 裝配等——影響電子器件的功能。專家估計，1994 年全世界電子行業(yè)因 ESD 造成的損失超過 900 億美元（參考文獻 1）。ESD 的發(fā)生原因是電荷在某一表面的累積，如摩擦生電。但是，由于電子產(chǎn)品的快速小型化，導致器件的幾何尺寸縮小，其中包括層厚度，因此這些高密
- 關(guān)鍵字： ESD
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