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          飛兆半導(dǎo)體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

          • 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列,提供高達(dá)8kV 的ESD (HBM) 電壓保護(hù),較市場(chǎng)現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用 (如筆記本電腦和手機(jī)) 的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的Power Trench®工藝,這些低導(dǎo)通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  飛兆半導(dǎo)體  MOSFET  ESD  模擬IC  電源  

          PulseGuard ESD抑制器在便攜式設(shè)備中的應(yīng)用

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: Littelfuse公司  HDMI  ESD  

          淺析ESD防護(hù)與ESD防護(hù)器件

          •   日常生活中,ESD (Electro-Static Discharge,靜電放電)對(duì)于我們來(lái)說(shuō)是一種常見的現(xiàn)象,然而對(duì)電子產(chǎn)品而言,ESD往往是致命的——它可能導(dǎo)致元器件內(nèi)部線路受損,直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命,甚至造成產(chǎn)品的損壞。因此,ESD防護(hù)一直以來(lái)都是工程師們的工作重點(diǎn)。對(duì)于剛開始職業(yè)生涯的電子工程師而言,在掌握專業(yè)技能之前通常都要接受一些ESD相關(guān)知識(shí)的培訓(xùn),足見ESD防護(hù)的地位與重要性。     圖1 電子顯微鏡下IC內(nèi)部損毀的照片   一般,ESD保護(hù)一般通過(guò)
          • 關(guān)鍵字: ESD  TVS  安森美  

          恩智浦有最高水平ESD保護(hù)功能的超薄EMI濾波器

          • 4月25日訊,恩智浦半導(dǎo)體 (由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司) 日前推出突破性的 EMI 濾波器,它具有業(yè)界最高的 ESD 保護(hù)水平--可擔(dān)負(fù)正負(fù)三萬(wàn)伏的接觸電壓;該濾波器采用了恩智浦獲獎(jiǎng)的超薄無(wú)鉛封裝 (UTLP)。IP4253 和 IP4254 以 0.5mm 的高度和 0.4mm 的焊點(diǎn)間距置身當(dāng)前市場(chǎng)上最薄的 EMI 濾波器行列 。
          • 關(guān)鍵字: ESD  超薄EMI  電源技術(shù)  恩智浦  濾波器  模擬技術(shù)  

          Vishay推出采用LLP1713封裝的8二極管ESD保護(hù)陣列

          •   Vishay推出在超小型無(wú)鉛 LLP1713 封裝中整合了八個(gè)二極管的ESD 保護(hù)陣列。   憑借 0.55mm 的超薄厚度,VESD05A8A-HNH在提供 ESD 保護(hù)的同時(shí)可節(jié)省面向移動(dòng)計(jì)算、移動(dòng)通信、消費(fèi)類、工業(yè)、汽車及醫(yī)療應(yīng)用的便攜式電子設(shè)備中的板面空間。   這種新型器件可在雙向非對(duì)稱 (BiAs) 模式下保護(hù)八條信號(hào)或數(shù)據(jù)線,并且還可在雙向?qū)ΨQ (BiSy) 模式下作為七線保護(hù)器件。該 ESD 二極管陣列具有 30pF 的低典型電容,以及在 5V 時(shí)不到 1uA 的低最大漏電電流。
          • 關(guān)鍵字: ESD  Vishay  單片機(jī)  封裝  

          掌握ESD保護(hù)技巧,提高電子產(chǎn)品可靠性

          •   電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中必須遵循抗靜電釋放(ESD)的設(shè)計(jì)規(guī)則,因?yàn)榇蠖鄶?shù)電子產(chǎn)品在生命周期內(nèi)99%的時(shí)間都會(huì)處于一個(gè)ESD環(huán)境中,ESD干擾會(huì)導(dǎo)致設(shè)備鎖死、復(fù)位、數(shù)據(jù)丟失或可靠性下降。在ESD的破壞中,靜電會(huì)對(duì)I/O端口造成毀滅性損害,有可能造成數(shù)據(jù)位重影、產(chǎn)品損壞直至造成電子設(shè)備“硬故障”或元器件損壞。所以工程師需要考慮設(shè)計(jì)中的ESD問(wèn)題并掌握解決之道。     電子工程專輯網(wǎng)站邀請(qǐng)安森美半導(dǎo)體集成電源器件部亞太區(qū)市場(chǎng)策略經(jīng)理吳錦嘉賓,主持了有關(guān)《便攜式和USB應(yīng)用中的ESD保護(hù)》的網(wǎng)上專題研討,以幫助工程
          • 關(guān)鍵字: ESD  單片機(jī)  嵌入式系統(tǒng)  

          Linear推出具可通斷終止電阻±25kV ESD 3.3V RS485收發(fā)器

          •   Linear推出兩個(gè)新的 RS485 收發(fā)器系列,這兩個(gè)系列的器件用于采用 3.3V 的電源系統(tǒng)。LTC2854/LTC2855 RS485 收發(fā)器集成了可通斷終止電阻,而 LTC2850/LTC2851/ LTC2852 可提供工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)管腳引出線,支持 20Mbps 的最高數(shù)據(jù)速率。增強(qiáng)的 ESD 保護(hù)允許 LTC2854 的接口引腳在承受高達(dá)&nbs
          • 關(guān)鍵字: ±25kV  3.3V  ESD  Linear  RS485收發(fā)器  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  電阻  電位器  

          NXP推出適用于最高分辨率筆記本電腦和電視顯示器的 ESD 保護(hù)芯片

          使用新技巧 設(shè)計(jì)PCB時(shí)抗靜電放電的方法

          • 在pcb板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過(guò)分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。...
          • 關(guān)鍵字: ESD  布線  PN結(jié)  

          TVS器件信息設(shè)備ESD防護(hù)中的應(yīng)用

          • 引言 隨著電子信息技術(shù)的迅速發(fā)展,當(dāng)前半導(dǎo)體器件日益趨向小型化、高密度和多功能化,特別是像時(shí)尚消費(fèi)電子和便攜式產(chǎn)品等對(duì)主板面積要求比較嚴(yán)格的應(yīng)用,很容易受到靜電放電(ESD)的影響。電路保護(hù)元件的選擇根據(jù)所要保護(hù)的布線情況、可用的電路板空間以及被保護(hù)電路的電特性來(lái)決定。因?yàn)槔孟冗M(jìn)工藝技術(shù)制造的IC電路里氧化層比較薄,柵極氧化層更易受到損害。而且一些采用深亞微米工藝和甚精細(xì)線寬布線的復(fù)雜半導(dǎo)體功能電路,對(duì)電路瞬變過(guò)程的影響更加敏感,這將導(dǎo)致上述問(wèn)題加重。因此要求保護(hù)器件必須具備低箝位電壓以提供有效的ESD
          • 關(guān)鍵字: ESD  TVS  電源技術(shù)  靜電放電  模擬技術(shù)  

          飛兆半導(dǎo)體µSerDes™產(chǎn)品具有ESD保護(hù)

          •  飛兆半導(dǎo)體公司宣布推出基于 µSerDes™ 技術(shù)的重要強(qiáng)化產(chǎn)品FIN224AC。與備受歡迎的前代產(chǎn)品FIN24AC相比,全新的FIN224AC占用相同的占位面積和基礎(chǔ)架構(gòu),但卻提供增強(qiáng)的靜電放電 (ESD) 保護(hù)功能并能降低EMI。對(duì)任何手持式電子產(chǎn)品而言,ESD損害都是重要的考慮問(wèn)題。飛兆半導(dǎo)體將FIN24AC的8kV ESD保護(hù)性能提升至 FIN224AC的15kV ESD,因而解決了這一難題。另一項(xiàng)改進(jìn)
          • 關(guān)鍵字: µ  SerDes™    15kV  ESD  保護(hù)  單片機(jī)  電源技術(shù)  飛兆半導(dǎo)體  模擬技術(shù)  嵌入式系統(tǒng)  

          EFT/ESD問(wèn)題的測(cè)量和定位

          • 大部分電子產(chǎn)品需要通過(guò)電快速瞬變脈沖群(EFT)(根據(jù)IEC61000-4-4)和靜電放電(ESD)(根據(jù)IEC61000-4-2)等項(xiàng)目的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。EFT和ESD是兩種典型的突發(fā)干擾,EFT信號(hào)單脈沖的峰值電壓可高達(dá)4kV,上升沿5ns。接觸放電測(cè)試時(shí)的ESD信號(hào)的峰值電壓可高達(dá)8kV,上升時(shí)間小于1ns。這兩種突發(fā)干擾,都具有突發(fā)、高壓、寬頻等特征。  在進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)的EFT/ESD測(cè)試時(shí),把干擾脈沖從設(shè)備外部耦合到內(nèi)部,同時(shí)監(jiān)視設(shè)備的工作狀態(tài)。如果設(shè)備沒(méi)有通過(guò)這些標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試,測(cè)試本身幾乎不能提
          • 關(guān)鍵字: EFT/ESD  測(cè)量  測(cè)試  

          ST推出ESD二極管陣列微型封裝

          •  意法半導(dǎo)體(ST)日前推出一系列ESD二極管陣列,采用外廓極小的微型引線框架封裝。該設(shè)計(jì)可保護(hù)易受靜電攻擊的設(shè)備,防止過(guò)壓瞬變損壞設(shè)備或降低性能。由于封裝尺寸極小,新器件的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)適用于手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器等便攜應(yīng)用以及計(jì)算機(jī)和電信產(chǎn)品,并都提供1到5線的ESD保護(hù)功能。   ESDALC6V1M3是一個(gè)在SOT883封裝內(nèi)集成了兩個(gè)ESD二極管的低電容器件,適用于各種應(yīng)用的1線或2線ESD保護(hù)功能。該二極管電容為7pF(Vr為2.5V), 因此適合高速數(shù)據(jù)線路或其它I/O接口。
          • 關(guān)鍵字: ESD  ST  二極管  封裝  

          ESD保護(hù)器件產(chǎn)品詳解

          •   泰科電子旗下的Raychem電路保護(hù)部推出PESD0402和0603靜電放電(ESD)保護(hù)器件產(chǎn)品。PESD保護(hù)器件專為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用中的輸入/輸出接口保護(hù)而設(shè)計(jì),能使電子設(shè)備中的敏感電路免受靜電放電影響。   Raychem的PESD器件優(yōu)于傳統(tǒng)的保護(hù)器件,比如齊納二極管和多層壓敏電阻器(MLV)。傳統(tǒng)保護(hù)器件,不能在不引起信號(hào)質(zhì)量下降或失真的情況下持續(xù)應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)傳輸中。另一方面,瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管和微型氣體放電管對(duì)目前體積日趨減小的緊湊信息設(shè)備而言,顯得過(guò)大或過(guò)于昂貴。   R
          • 關(guān)鍵字: ESD  

          減小ESD引起的停機(jī)時(shí)間

          • 減小ESD引起的停機(jī)時(shí)間 半導(dǎo)體器件常常因靜電放電而失效。弄清楚失效的根源并遵守設(shè)計(jì)規(guī)則,就有助于避免這種失效。  ESD(靜電放電)是導(dǎo)致電子器件失 效的主要原因,它可以在任何階段——從制造到測(cè)試、組裝、生產(chǎn)、現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行以及現(xiàn)場(chǎng) PC 裝配等——影響電子器件的功能。專家估計(jì),1994 年全世界電子行業(yè)因 ESD 造成的損失超過(guò) 900 億美元(參考文獻(xiàn) 1)。ESD 的發(fā)生原因是電荷在某一表面的累積,如摩擦生電。但是,由于電子產(chǎn)品的快速小型化,導(dǎo)致器件的幾何尺寸縮小,其中包括層厚度,因此這些高密
          • 關(guān)鍵字: ESD  
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