晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預料由臺積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報道稱，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場效晶體管」(FinFET)的新技術，目前看來似乎較占上風。
Android Authority報導，制程不斷微縮，傳統(tǒng)微影技術來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長更短的EUV， 才能準確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。 三星明年生產7nm時，就會率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競
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4nm EUV
一時之間，仿佛EUV成為了衡量中國半導體設備產業(yè)發(fā)展水平的標桿，沒有EUV就無法實現(xiàn)半導體強國之夢？
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EUV 5nm
近日，TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創(chuàng)新時重點提及極紫外光刻，也就是我們常說的EUV。他認為，EUV令人著迷的原因是其極富挑戰(zhàn)性及對世界的重要影響。
Peter Leibinger
“如果我們無法實現(xiàn)EUV突破，摩爾定律將失效” Peter Leibinger表示：“其影響范圍不僅僅是芯片行業(yè)，智能手機產業(yè)乃至整個電子裝備產業(yè)都將改變運作方式。”
什么是EUV?
極紫外光刻(Ex
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TRUMPF EUV
新的光刻工具將在5nm需要，但薄膜，阻抗和正常運行時間仍然存在問題。
Momentum正在應用于極紫外(EUV)光刻技術，但這個談及很久的技術可以用于批量生產之前，仍然有一些主要的挑戰(zhàn)要解決。
EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了，EUV已經遇到了一些延遲，將技術從一個節(jié)點推向下一個階段。
如今，GlobalFoundries，英特爾，三星和臺積電相互競爭，將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
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EUV
Brewer Science, Inc. 很榮幸宣布參加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司將與業(yè)界同仁交流臺灣半導體制造趨勢的見解，內容涵蓋前端和后端的材料，以及次世代制造的流程步驟。 今日的消費性電子產品、網絡、高效能運算 (HPC) 和汽車應用皆依賴封裝為小型尺寸的半導體裝置，其提供更多效能與功能，同時產熱更少且操作時更省電。透過摩爾定律推動前端流程開發(fā)，領先的代工和整合組件制造商(IDM
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晶圓 EUV
臺積電(2330)南京廠今日上午正式舉行進機典禮，由董事長張忠謀親自主持，大陸中央及地方貴賓云集，顯示對臺積電南京投資案重視。
海思及聯(lián)發(fā)科將是首批客戶
張忠謀表示，大陸集成電路在中國制造，臺積電可助一臂之力。 南京廠預計2018年下半年量產，陸媒預估中國海思及聯(lián)發(fā)科(2454)將是首批客戶。
工程師已陸續(xù)由臺灣進駐
今年上半年臺積電工程師已經陸續(xù)由臺灣進駐南京廠協(xié)助建廠事宜，8月16奈米大型機臺陸續(xù)透過華航包機，由臺灣運往南京祿口機場，而南京市政府為了迎接重量級貴賓，加快浦口
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臺積電 EUV
晶圓代工龍頭臺積電將在今年10月23日盛大舉辦「臺積公司30周年慶」論壇，以及于國家音樂廳舉辦音樂會。 臺積電30周年慶活動將由當天下午舉行的半導體論壇揭開序幕，由董事長張忠謀親自主持，將邀請包括高通、博通、輝達(NVIDIA)、ADI、ASML、ARM、蘋果等重量級客戶及合作伙伴， 與張忠謀一起暢談半導體產業(yè)未來10年展望。
臺積電今年歡度30周年，活動當天將盛大舉辦「臺積公司30周年慶」論壇，由董事長張忠謀親自主持，與談人包括了NVIDIA執(zhí)行長黃仁勛、高通執(zhí)行長Steve Mollenko
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臺積電 EUV
對于7nm制程工藝，三星和臺積電兩大晶圓代工領域巨頭都早已入手布局以便爭搶IC設計業(yè)者們的訂單。
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7nm EUV
今天，KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*檢測產品線。自從1978年公司推出第一臺檢測系統(tǒng)以來，KLA-Tencor一直是圖案光罩檢測的主要供應商，新的FlashScan產品線宣告公司進入專用空白光罩的檢驗市場。光罩坯件制造商需要針對空白光罩的檢測系統(tǒng)，用于工藝開發(fā)和批量生產過程中的缺陷檢測，此外，光罩制造商(“光罩廠”)為了進行光罩原料檢測，設備監(jiān)控和進程控制也需要購買該檢測系統(tǒng)。 FlashScan系統(tǒng)可以檢查針對光學或極紫外(EUV)光刻的空白光罩。
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KLA-Tencor EUV
張忠謀曾比喻說：“三星是一只700磅的大猩猩”，表示它十分強悍。然而在現(xiàn)階段的代工業(yè)中三星尚是“新進者”，需要時間的積累。
01、引言
據(jù)IC Insight公布的今年Q2數(shù)據(jù)，三星半導體依158億美元，同比增長46.5%，超過英特爾而居首。
全球半導體三足鼎立，英特爾、臺積電、三星各霸一方，近期內此種態(tài)勢恐怕難以有大的改變，但是一定會此消彼長，無論哪家在各自領域內都面臨成長的煩惱。
然而在三家之中三星謀求改變的勢頭最猛，而臺積電
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三星 EUV
全球最大芯片光刻設備市場供貨商阿斯麥 (ASML) 公布最新2017第二季財報。ASML表示，由于不論邏輯芯片和DRAM客戶都積極準備將EUV導入芯片量產階段，EUV光刻機目前第二季已累積27臺訂單總計28億歐元。
ASML 第二季營收凈額 (net sales)21億歐元，毛利率(gross margin)為45%。在第二季新增8臺EUV系統(tǒng)訂單，讓EUV光刻系統(tǒng)的未出貨訂單累積到27臺，總值高達28億歐元。
ASML預估2017第三季營收凈額(net sales)約為22億歐元，毛
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ASML EUV
全球最大芯片光刻設備市場供貨商阿斯麥(ASML)近日公布2017第二季財報。ASML第二季營收凈額21億歐元，毛利率為45%。在第二季新增8臺EUV系統(tǒng)訂單，讓EUV光刻系統(tǒng)的未出貨訂單累積到27臺，總值高達28億歐元。
預估2017第三季營收凈額約為22億歐元，毛利率約為43%。因為市場需求和第二季的強勁財務表現(xiàn)，ASML預估2017全年營收成長可達25%。
ASML總裁暨執(zhí)行長溫彼得指出:“ASML今年的主要營收貢獻來自內存芯片客戶，尤其在DRAM市場需求的驅動下，這部分的
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EUV ASML
據(jù)日經中文網報道，7月11日，韓國三星電子在首爾舉行的說明會上，向客戶等各方介紹了半導體代工業(yè)務的技術戰(zhàn)略。新一代7納米半導體將采用最尖端的制造技術，從2018年開始量產。此次說明會上，三星展示了發(fā)展藍圖，記載了決定性能好壞的電路線寬的微細化進程。三星表示，采用“極紫外光刻(EUV光刻)”新技術的7納米產品計劃從2018年開始接單，5納米產品和4納米產品分別將從2019年和2020年開始接單。EUV能大幅提高電路形成工序的效率，7納米以下的產品曾被認為難以實現(xiàn)商用化，而EUV是
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三星 EUV
臺積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開始導入EUV微影技術，以做為5奈米全面采用EUV的先期準備。 盡管目前EUV設備曝光速度仍不如期待且價格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術相比，EUV的投資對解決先進制程不斷攀升的成本問題仍是相對有力的解決方案。
每一季的臺積電法說會上，張忠謀董事長或是共同執(zhí)行長對于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進度必會對臺下觀眾做一專門的報告，法人代表對于EUV的導入時程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對于臺積電未來發(fā)展甚至
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摩爾定律 EUV
摩爾定律在過去52年中一直是“更小，更快，更便宜”的代名詞，但越來越多的人認為它只是諸多選擇之一，芯片行業(yè)開始針對特定的市場需求進行調整。
這并沒有使得摩爾定律失去意義。眾多行業(yè)人士透露，從16/14nm沖擊7nm的公司數(shù)量要多于直接沖擊16/14nm finFET的公司。但是，這種遷移也需要考慮到：
· 當代工廠利用16/14nm finFET進行相同度量時，節(jié)點命名在20nm之后就變得無意義。因此，對于10nm或7nm并沒有一致的定義。更有價值的數(shù)
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摩爾定律 EUV
euv 極紫外光刻機介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條euv 極紫外光刻機!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對euv 極紫外光刻機的理解，并與今后在此搜索euv 極紫外光刻機的朋友們分享。
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