f-ram存儲器 文章 進(jìn)入f-ram存儲器技術(shù)社區(qū)
Ramtron和奧地利微電子公司合作提供MaxArias無線存儲器套件
- 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設(shè)計商與生產(chǎn)商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評測第三代數(shù)據(jù)豐富自動識別應(yīng)用的MaxArias無線存儲器套件。Ramtron的MaxArias無線存儲器評測套件在德國慕尼黑electronica 2010展會上首次展出。
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F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設(shè)計之比較
- 引言 高性能和環(huán)保是當(dāng)前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動半導(dǎo)體元器件的發(fā)展，同時也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。 若系統(tǒng)設(shè)計需要采用半導(dǎo)體存儲器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機(jī)存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠自動化和電信到計量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設(shè)計考慮事項。
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Ramtron發(fā)布具射頻功能之無線存儲器MaxArias
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前宣布，現(xiàn)正向數(shù)個行業(yè)的客戶提供首款MaxArias™無線存儲器產(chǎn)品的beta測試樣品。Ramtron的MaxArias™無線存儲器產(chǎn)品將無線存取功能與其非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結(jié)合，能夠在廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域中，實現(xiàn)創(chuàng)新性數(shù)據(jù)采集功能。 Ramtron首個無線存儲器系列稱作MaxArias WM71
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Ramtron推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA，進(jìn)一步擴(kuò)大其符合AEC-Q100汽車標(biāo)準(zhǔn)要求的F-RAM存儲器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲器，可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車溫度范圍工作，是Ramtron不斷增長的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的汽車存儲器產(chǎn)品的新成員。
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關(guān)于V系列F-RAM的技術(shù)說明
- 全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、幾
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Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。 與nvSRAM相比，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪問、無延遲(NoDelay™)
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Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)28腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、無乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗特點。FM28V020可用于工業(yè)控制、
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Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件擴(kuò)展V系列產(chǎn)品線
- 全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation，發(fā)布了兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay&t
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Ramtron 4Mb F-RAM器件獲選用于工業(yè)用固態(tài)硬盤
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布，其4Mb F-RAM器件FM22L16已獲深圳市盛博科技嵌入式計算機(jī)有限公司采用，以生產(chǎn)創(chuàng)新的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備—固態(tài)硬盤 (solid-state disk, SSD)。 盛博科技專門研究、開發(fā)和生產(chǎn)基于國際標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式硬件和軟件系統(tǒng)，瞄準(zhǔn)工業(yè)自動化市場，終端客戶遍及軌道運輸、電力、醫(yī)療設(shè)備和運動控制等應(yīng)用領(lǐng)域。 除了能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)
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Ramtron推出32Kb器件擴(kuò)展F-RAM串口存儲器
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速讀/寫性能、低電壓運行，以及出色的數(shù)據(jù)保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲器，工作電壓為2.7V至3.6V，采用8腳SOIC封裝，使用二線制 (I2C) 協(xié)議;并提供快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀/寫次數(shù) (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
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混合動力是新能源汽車切入點 IGBT成驅(qū)動核心
- 目前，混合動力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。 節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內(nèi)日益引起業(yè)界的重視，在最近的國際汽車展上，多家汽車企業(yè)推出了電動和混合動力汽車，這預(yù)示著新能源汽車即將進(jìn)入真正的商用階段。如今，中國對于新能源汽車的推廣也進(jìn)入了一個關(guān)鍵時期，今年2月，財政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開展節(jié)能與新能源汽車示范推廣試點工作的通知》，推廣節(jié)能與
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RAMTRON 宣布與 IBM 達(dá)成代工協(xié)議
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議，兩家企業(yè)計劃在 IBM 位于美國 佛蒙特 州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設(shè)施內(nèi)增設(shè) Ramtron 的 F-RAM 半導(dǎo)體工藝技術(shù)，一旦安裝完畢，這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)。 Ramtron首席運營官 Bob Djokovich 稱：“我們期
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RAMTRON 宣布與 IBM 達(dá)成代工協(xié)議
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議，兩家企業(yè)計劃在 IBM 位于美國 佛蒙特 州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設(shè)施內(nèi)增設(shè) Ramtron 的 F-RAM 半導(dǎo)體工藝技術(shù)，一旦安裝完畢，這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導(dǎo)體產(chǎn)品的基
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f-ram存儲器介紹
F-RAM存儲器
鐵電隨機(jī)存儲器（F-RAM），相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易于使用，高性能，但它們有著共同的弱點：在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。
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