在各種單片機應用系統(tǒng)中,存儲器的正常與否直接關系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性,對系統(tǒng)的可靠性 ...
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單片機系統(tǒng) RAM
自從OLED顯示技術面世以來,可彎曲折疊的“顯示器”并不算少見,不過可以卷曲的RAM你見過么?近日,韓國科學技術研究院(KAIST)的研究人員制造出了柔性、非揮發(fā)(斷電不丟數(shù)據(jù))的RRAM(阻抗式內(nèi)存)。研究結果發(fā)表在10月末的美國化學會期刊《納米通訊》上。
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OLED RAM
摘要:為了提高PCI總線與AVR單片機之間的數(shù)據(jù)傳輸速度,利用雙口RAM通過共享的方式實現(xiàn)PCI總線與AVR單片機之間的高速數(shù)據(jù)交換。利用有限狀態(tài)機方法將PCI接口芯片局部端邏輯轉(zhuǎn)換為雙口RAM讀寫控制信號和地址數(shù)據(jù)信號,
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接口 設計 應用 AVR 總線 RAM PCI 雙口
RAM讀寫時序限制解決方案,本文為了提高AVS解碼器的處理速度,綜合了國內(nèi)外學者的設計思想提出了一種逆掃描、反量化與反變換模塊結構,在消耗邏輯資源允許的情況下提高了處理速度,做到速度和面積的平衡。 本文將逆掃描、反量化和反變換模塊
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解決方案 限制 時序 讀寫 RAM
世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片,新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器工藝制造,具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲(NoDelay? )寫入特性。
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Ramtron F-RAM存儲器
圖2.2 (1)靜態(tài)RAM結構組成原理圖靜態(tài)RAM的結構組成原理圖如圖2.2(1)所示,存儲體是一個由64×64=4096個六管靜態(tài)存 ...
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靜態(tài) RAM 原理圖
法拉電容也叫超級電容器,雙電層電容,其體積小、容量大、電壓記憶特性好、可靠性高。與充電電池相比,具有充電時間短、功率密度高、使用壽命長、低溫特性好及無環(huán)境污染等優(yōu)勢[2]。在數(shù)據(jù)保護電路中采用法拉電容取代
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應用 保護 數(shù)據(jù) RAM 電容
這款全新的大功率高亮度產(chǎn)品實現(xiàn)了可用于舞臺和景觀照明的全彩性能。需要說明的是,對于戶外照明包括舞臺照明在內(nèi)的景觀照明來說,全彩性能是進行情感照明設計創(chuàng)作時必不可少的因素。而目前,市場對大功率高亮度全彩LED的需求正在不斷增加,可預見的是,首爾半導體的Z7-F新品將能有效滿足市場需求。
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首爾半導體 LED Z7-F
世界領先的低功耗鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布,現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片。該新產(chǎn)品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件,以總線速率運行且無寫入延遲,并支持高達1萬億次 (1e12)的讀/寫循環(huán),這相比同等EEPROM器件高出100萬倍。FM24C64C具有低功率運作特性,有效電流為100 μA (在100
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Ramtron F-RAM存儲器
摘要:介紹一種基于雙口RAM的LonWorks現(xiàn)場總線智能通信節(jié)點的設計方法,并給出詳細的設計步驟、硬件及軟件實現(xiàn)。通過此LonWorks智能通信節(jié)點,能夠完成RS-232-C/RS-485標準與LonTalk協(xié)議間的轉(zhuǎn)換提供RS-232-C/RS-485
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通信 節(jié)點 設計 智能 LonWorks 雙口 RAM 基于
Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布,現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品,這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay?)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。
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Ramtron F-RAM
世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布,現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品,這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay)寫入、高讀/寫耐
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Ramtron F-RAM樣片
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,存儲芯片廠商華邦電子公司日前決定將部分高端移動設備用RAM芯片產(chǎn)品交由其伙伴公司力晶代工,華邦目前正在努力提高此類產(chǎn)品的產(chǎn)能,預計今年年底前華邦外包給力晶生產(chǎn)的移動RAM芯片產(chǎn)品將可開始供貨。
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華邦 RAM
摘要:介紹在采集交流永磁同步電機母線電流時,為防止外界的各種干擾,必須將霍爾傳感器測量系統(tǒng)和DSP數(shù)字微處理器進行電氣隔離。為了能更精確地傳送模擬信號,進行電壓檢測,用線性光耦(IL300-F-X009)隔離是最好的選
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300 009 F-X IL
從3月23日開始,三星出貨4Gb容量的LPDDR2 RAM,該芯片為30納米制程,采用該芯片的設備主要為手機和平板電腦,有望帶來手機和平板運行速度上的提升。
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三星 RAM
f-ram介紹
非易失性鐵電存儲器
F-RAM廣泛用于計量、計算、工業(yè)、科研和醫(yī)療領域的各種要求嚴苛的場合。F-RAM的獨特性質(zhì),使它特別適合用于廣范的關鍵性任務諸如:電信應用(比如橋接、路由器和電信交換機) 和要求高可靠性和可用性的工業(yè)應用中
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