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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> f-tpk

          基于FPGA的高精度頻率電壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

          • 摘要 設(shè)計(jì)了一種線性F/V轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。傳感器輸出的脈沖頻率信號(hào)經(jīng)信號(hào)調(diào)理電路調(diào)理后輸入FPGA,F(xiàn)PGA測(cè)量脈沖信號(hào)的頻率,根據(jù)系統(tǒng)精度要求,需設(shè)計(jì)Q格式定點(diǎn)運(yùn)算,測(cè)得的頻率經(jīng)FPGA定點(diǎn)運(yùn)算后得到與頻率大小成線性關(guān)系
          • 關(guān)鍵字: F/V轉(zhuǎn)換  精度  FPGA  Q8定點(diǎn)運(yùn)算  DAC7551  

          基于T-F變換的多點(diǎn)流體溫度測(cè)量系統(tǒng)

          • 摘要:針對(duì)一般測(cè)溫方法在進(jìn)行流體多點(diǎn)溫度測(cè)量時(shí)存在系統(tǒng)復(fù)雜,準(zhǔn)確度和速度難以兼顧的問(wèn)題,提出了一種基于溫度-頻率(T-F)變換的測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)使用PIC18F6722單片機(jī)控制MOS管開關(guān)陣列,使多個(gè)測(cè)點(diǎn)的熱敏電阻分別
          • 關(guān)鍵字: T-F  變換  多點(diǎn)  流體    

          利用F-RAM打造汽車安全氣囊應(yīng)用

          •   鐵電RAM(F-RAM)存儲(chǔ)器被用在一系列廣泛的應(yīng)用中,其中包括工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用和汽車系統(tǒng)等。未來(lái)幾年,汽車的安全系統(tǒng)將會(huì)變得更加復(fù)雜。推動(dòng)該趨勢(shì)的一個(gè)主要?jiǎng)恿κ穷A(yù)期的監(jiān)管措施,它們將對(duì)汽車安全氣囊和穩(wěn)定控制系統(tǒng)的配售率和成熟度產(chǎn)生影響。本文探討在這些系統(tǒng)中使用F-RAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的主要技術(shù)優(yōu)勢(shì)。   “安全氣囊系統(tǒng)”正在發(fā)生兩大變化。首先,所有新型安全氣囊都配有一個(gè)智能傳感器,用于檢測(cè)車內(nèi)是否有乘客。安全氣囊的每一次誤彈出都會(huì)導(dǎo)致極高的更換成本
          • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  F-RAM  

          Ramtron推出飛思卡爾Tower System一起使用的F-RAM

          • 通過(guò)在基于飛思卡爾系統(tǒng)的解決方案中采用F-RAM存儲(chǔ)器快速構(gòu)建原型,新增模塊化平臺(tái)可加快開發(fā)速度世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)和
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM存儲(chǔ)器模塊  

          串并口F-RAMW系列存儲(chǔ)器

          • 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲(chǔ)器,W系列器件帶有串口I2C
          • 關(guān)鍵字: F-RAM  存儲(chǔ)器  Ramtron  FM24W256  

          賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售支持

          •   賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票交易代碼:CY)宣布其領(lǐng)先業(yè)界的非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器((NVRAM)產(chǎn)品組合新增晶圓產(chǎn)品。賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合包括鐵電RAM(F-RAM™)和非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM),可在斷電時(shí)為重要數(shù)據(jù)提供可靠保護(hù)。很多關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)之外,還需要能夠?qū)崿F(xiàn)小巧、獨(dú)特封裝選項(xiàng)的裸片。有關(guān)賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合的更多信息,敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn):http://www.cypress.com/nonvolatile。   賽普
          • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  F-RAM  

          電源控制芯片廠F-矽力展開并購(gòu)

          •   電源控制芯片廠F-矽力去年?duì)I收直逼47億元,再創(chuàng)歷史新高,加上去年底已向美商Maxim Integrated(美信)購(gòu)買智慧電表與能源監(jiān)控業(yè)務(wù)部門,預(yù)期對(duì)第2季業(yè)績(jī)貢獻(xiàn)顯著,營(yíng)運(yùn)可望再上層樓,今年開春以來(lái)股價(jià)上漲逾14%,上周五(8 日)漲7.5元,收388元,受全球股災(zāi)影響不大。   F-矽力是一家陸資企業(yè),產(chǎn)品以電源控制芯片為主,終端應(yīng)用包括LED照明、消費(fèi)性電子及網(wǎng)路 通訊產(chǎn)品等,公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理陳偉為中國(guó)大陸海歸派精英之一,他的第一份工作是在美國(guó)太空總署(NASA)從事研發(fā),后來(lái)轉(zhuǎn)到美國(guó)民
          • 關(guān)鍵字: F-矽力  美信  

          首屆5G算法創(chuàng)新大賽:F-OFDM賽事評(píng)述

          •   萬(wàn)物互聯(lián)的5G定位,如圖1所示的5G總體愿景,帶來(lái)了一系列需要解決的重大技術(shù)難題。比如,如何支持擁有大量連接數(shù)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,如何支持對(duì)時(shí)延和可靠性要求極高的車聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù),如何支持內(nèi)容越來(lái)越多樣速率越來(lái)越高的智能手機(jī)業(yè)務(wù)。為了全面實(shí)現(xiàn)5G預(yù)期的各項(xiàng)指標(biāo)和功能,5G關(guān)鍵技術(shù)的研究正如火如荼的開展著。   圖表 1:5G總體愿景(IMT2020)   就在這時(shí),由Altera、西安電子科技大學(xué)、友晶科技主辦,華為、英特爾、展訊通信贊助的第一屆5G算法創(chuàng)新大賽應(yīng)運(yùn)而生了。我有幸作為三大算法的評(píng)委之一參與
          • 關(guān)鍵字: 5G  f-OFDM  

          電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路(V/I、V/F電路)

          •   1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路   電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換,是將輸入的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號(hào),轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個(gè)輸出可調(diào)的恒流源,其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會(huì)隨負(fù)載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。        由圖1可見,電路中的主要元件為一運(yùn)算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成,V0為偏置電壓,Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓,R為負(fù)載電阻。其中運(yùn)算放大器起比較器作用,將正相端電壓輸入信號(hào)與反相端電壓V-進(jìn)行比較,經(jīng)運(yùn)算放大器放大后再經(jīng)三極管放
          • 關(guān)鍵字: V/I  V/F  

          5G:標(biāo)準(zhǔn)未行,算法等研發(fā)已開始預(yù)熱

          • 2015年5月21日,“第一屆5G算法創(chuàng)新大賽”在西安電子科技大學(xué)啟動(dòng),其由Altera、西安電子科技大學(xué)、友晶科技主辦,華為、英特爾、展訊等公司贊助。大賽面向全國(guó)大專院校碩士和博士研究生以及高年級(jí)本科生開放,預(yù)計(jì)將有百支隊(duì)伍參加。在啟動(dòng)儀式上,部分企業(yè)家談了5G的發(fā)展規(guī)劃及研發(fā)布局。
          • 關(guān)鍵字: 5G  算法  SCMA  F-OFDM  Polar Code  201507  

          賽普拉斯推出業(yè)界首款4Mb 串行F-RAM

          •   賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,推出一系列4Mb串行鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM™),這是業(yè)界容量最大的串行F-RAM。該款4Mb串行F-RAM擁有40-Mhz串行外設(shè)接口(SPI),工作電壓范圍是2.0至3.6V,采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝方式。賽普拉斯所有的F-RAM均可提供100萬(wàn)億次的讀寫壽命,85?C溫度下的數(shù)據(jù)保存時(shí)間可達(dá)十年,65?C下則長(zhǎng)達(dá)151年。   對(duì)于需要連續(xù)頻繁高速數(shù)據(jù)讀寫,并要求保證數(shù)據(jù)的絕對(duì)安全性的應(yīng)用而言,賽普拉斯的F-RAM是理想選擇。這一4
          • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  F-RAM  

          意法半導(dǎo)體(ST)向美國(guó)證券交易委員會(huì)提交2014年度Form 20-F報(bào)告

          •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)宣布已于2015年3月3日向美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC, Securities and Exchange Commission)提交了截至2014年12月31日的公司年度Form 20-F報(bào)告。投資者可在意法半導(dǎo)體官方網(wǎng)站www.st.com 查看2014年度Form 20-F報(bào)告和審計(jì)完成后的完整財(cái)務(wù)報(bào)告,也可以訪問(wèn)美國(guó)證券交易委員會(huì)網(wǎng)站www.sec.gov查看相關(guān)信息。   意法半導(dǎo)體為投資
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  Form 20-F  

          TPK與業(yè)成或?qū)⒋罂诔韵耰Phone觸控訂單

          •   下一代iPhone可能采用4K 2K屏幕,以及3D觸控,因此需要四層的觸控貼合,可望帶動(dòng)F-TPK 宸鴻及鴻海旗下的業(yè)成,產(chǎn)能滿載,重返過(guò)去大口吃iPhone觸控訂單的榮景。   外資指出,蘋果正在研究規(guī)劃,采用3D觸控感應(yīng)器,也就是在原有觸控面板上的X軸Y軸,另外又加上Z軸,讓整個(gè)觸控屏幕,呈現(xiàn)3D立體的感覺。一旦采用3D觸控,就必須使用到貼合技術(shù),全球貼合良率最佳的蘋果觸控供應(yīng)商TPK受惠大。   另外,目前iPhone 6與iPhone 6 Plus,均采用內(nèi)嵌觸控(in-cell),若是下
          • 關(guān)鍵字: TPK  iPhone  觸控  

          宸鴻 Q4營(yíng)收看增40%

          •   F-TPK宸鴻第4季受惠蘋果新平板計(jì)算機(jī)、Apple Watch及觸控筆電等產(chǎn)品出貨帶動(dòng)下,單季營(yíng)收有機(jī)會(huì)季增40%,隨著良率提升,獲利也可望恢復(fù)正常水平,在觸控廠持續(xù)倒閉整并下,TPK將以質(zhì)量、技術(shù)與規(guī)模勝出。   TPK本周四(23日)將辦法說(shuō),外界預(yù)估第3季本業(yè)在損益兩平之間,若良率提升,獲利可望改善。美系外資預(yù)估,TPK第4季營(yíng)收將達(dá)到470億元,季增率45%、年增13%,主要是因?yàn)樾缕烦鲐?,帶?dòng)營(yíng)收成長(zhǎng)。   WitsView資深協(xié)理邱宇彬昨(20)日表示,勝華重整,顯示出觸控產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)一
          • 關(guān)鍵字: TPK  觸控  

          賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的高容量F-RAM產(chǎn)品線增添新的封裝方式和溫度范圍選項(xiàng)

          •   賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,其鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM™)產(chǎn)品系列中的1Mb并行異步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封裝方式,其2 Mb串行外設(shè)接口(SPI)F-RAM的溫度范圍擴(kuò)展為-40?C 至 +105?C。   新封裝方式可在替代標(biāo)準(zhǔn)的電池供電的SRAM時(shí)實(shí)現(xiàn)管腳兼容,應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)和汽車電子應(yīng)用中的關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)中。F-RAM與生俱來(lái)的非易失性可以實(shí)現(xiàn)瞬間數(shù)據(jù)捕獲,無(wú)需電池即可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)達(dá)百年的保存時(shí)間。棄用電池可以降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。2 Mb SP
          • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  F-RAM  SRAM  
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