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Ramtron推出64Kbit串口F-RAM存儲器樣片
- 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片。該新產(chǎn)品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件，以總線速率運行且無寫入延遲，并支持高達1萬億次 (1e12)的讀/寫循環(huán)，這相比同等EEPROM器件高出100萬倍。FM24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100
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Ramtron出貨首批使用新IBM制造的F－RAM樣片
- Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay?)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。
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Ramtron出貨首批用新IBM生產(chǎn)線制造的F-RAM樣片
- 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay)寫入、高讀/寫耐
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Ramtron和奧地利微電子公司合作提供MaxArias無線存儲器套件
- 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設(shè)計商與生產(chǎn)商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評測第三代數(shù)據(jù)豐富自動識別應(yīng)用的MaxArias無線存儲器套件。Ramtron的MaxArias無線存儲器評測套件在德國慕尼黑electronica 2010展會上首次展出。
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F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設(shè)計之比較
- 引言 高性能和環(huán)保是當前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動半導體元器件的發(fā)展，同時也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。 若系統(tǒng)設(shè)計需要采用半導體存儲器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠自動化和電信到計量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設(shè)計考慮事項。
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Ramtron發(fā)布具射頻功能之無線存儲器MaxArias
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前宣布，現(xiàn)正向數(shù)個行業(yè)的客戶提供首款MaxArias™無線存儲器產(chǎn)品的beta測試樣品。Ramtron的MaxArias™無線存儲器產(chǎn)品將無線存取功能與其非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結(jié)合，能夠在廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域中，實現(xiàn)創(chuàng)新性數(shù)據(jù)采集功能。 Ramtron首個無線存儲器系列稱作MaxArias WM71
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Ramtron推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA，進一步擴大其符合AEC-Q100汽車標準要求的F-RAM存儲器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲器，可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車溫度范圍工作，是Ramtron不斷增長的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標準的汽車存儲器產(chǎn)品的新成員。
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關(guān)于V系列F-RAM的技術(shù)說明
- 全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標準8腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、幾
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Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務(wù)器及主機總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。 與nvSRAM相比，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標準300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪問、無延遲(NoDelay™)
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