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          Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

          • 近日,分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用,柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V,工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導(dǎo)通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m?)以及快速的開關(guān)切換;效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場,包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件  

          對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案

          • 電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流(BLDC)解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據(jù)雙向開關(guān)的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。另一方面,三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應(yīng)管(FET),因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無刷電流意味著全球電動工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍(見圖1)。圖1:從有刷拓撲轉(zhuǎn)換到無刷拓撲意味著FET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設(shè)計在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如,若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
          • 關(guān)鍵字: FET  BLDC  

          看看國外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

          •   每年十二月,在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇,在其中報告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,縮寫:IEDM)  在每一界的IEDM上,全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進內(nèi)存、顯示、感測器、微機電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
          • 關(guān)鍵字: DRAM  GAA-FET  

          集成智能——第1部分:EMI管理

          •   智能集成電機驅(qū)動器和無刷直流(BLDC)電機可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?! D1所示為集成電機驅(qū)動器結(jié)合驅(qū)動電機所需的一切要素,如場效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動器和狀態(tài)機。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機的布線距離過長,并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點?! LDC電機在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗以及更好的EMI性能?! D1:智能集成BLDC電機驅(qū)動器  集成智能系列博
          • 關(guān)鍵字: BLDC  FET  

          使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

          • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
          • 關(guān)鍵字: FET  雙極性晶體管  緩沖電路  寬帶  

          如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

          • 如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時,你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。
          • 關(guān)鍵字: FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

          揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

          • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進步推動了這一進展,并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動汽車。隨著技術(shù)的最新進展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
          • 關(guān)鍵字: 電池管理系統(tǒng)  FET  FET驅(qū)動器  

          FET知識:采用結(jié)型FET實現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

          •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接,以構(gòu)成CR的連接方式。此時,為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式?! ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反。  FET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
          • 關(guān)鍵字: FET  放大電路  

          使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

          • 該電路采用衰減場效應(yīng)晶體管(FET)分流信號到地面。這個R2是用來控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來源的電壓信號來控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負面的信號電壓會(你可以用DAC采用對稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
          • 關(guān)鍵字: FET  壓控衰減器  

          單片機設(shè)計注意要點

          • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點:采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿足時序的要求,這樣單片機的工作電流可以變得更低,最重要的是VDD到VSS的電流峰值會更小。
          • 關(guān)鍵字: 單片機  FET  穿通電流  工作頻率  

          學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET

          •   導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體   硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間,用于制造半導(dǎo)體器件的原材料,具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量,并可控制電流動的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。        根據(jù)電流流動的構(gòu)造,可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類。   半導(dǎo)體的電流流通原理   (1) N型半導(dǎo)體   圖1是在硅晶
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  FET  

          宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù),結(jié)果表明器件的失效率很低

          •   EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非??煽?,為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案?! ∫似针娫崔D(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告,展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結(jié)果,以及提供在累計超過700萬器件-小時的應(yīng)力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應(yīng)力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復(fù)合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個數(shù)值與我們直至目前為止所取得
          • 關(guān)鍵字: 宜普電源  FET  

          TI推出業(yè)界首款100V高壓側(cè)FET驅(qū)動器可驅(qū)動高電壓電池

          •   近日,德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動器。該驅(qū)動器可提供先進的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅(qū)動能量存儲系統(tǒng),以及電機驅(qū)動型應(yīng)用中常用電池里的高壓側(cè)N溝道充放電FET,包括無人機、電動工具、電動自行車等等。如需了解更多詳情,敬請訪問:http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。   電感性
          • 關(guān)鍵字: TI  FET  

          詳解LED PWM調(diào)光技術(shù)及設(shè)計注意點

          •   無論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅(qū)動,連接每一個驅(qū)動電路最常見的線程就是須要控制光的輸出。現(xiàn)今僅有很少數(shù)的應(yīng)用只需要開和關(guān)的簡單功能,絕大多數(shù)都需要從0~100%去微調(diào)亮度。目前,針對亮度控制方面,主要的兩種解決方案為線性調(diào)節(jié)LED的電流(模擬調(diào)光)或在肉眼無法察覺的高頻下,讓驅(qū)動電流從0到目標(biāo)電流值之間來回切換(數(shù)字調(diào)光)。利用脈沖寬度調(diào)變(PWM)來設(shè)定循環(huán)和工作周期可能是實現(xiàn)數(shù)字調(diào)光的最簡單的方法,原因是相同的技術(shù)可以用來控制大部分的開關(guān)轉(zhuǎn)換器。   PWM調(diào)光能調(diào)配準(zhǔn)確色光
          • 關(guān)鍵字: PWM  FET  
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