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finfet 文章 進(jìn)入finfet 技術(shù)社區(qū)
胡正明：技術(shù)創(chuàng)新可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍
- “半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷由技術(shù)推動(dòng)到需求推動(dòng)的轉(zhuǎn)變。而半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新，可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間?！苯?，美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校教授、國(guó)際微電子學(xué)家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪時(shí)表示?！ ∽?965年摩爾定律提出以來(lái)，歷經(jīng)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，如今越來(lái)越遭遇挑戰(zhàn)，特別是新世紀(jì)以來(lái)，每隔十年，摩爾定律以及半導(dǎo)體的微型化似乎便會(huì)遭遇到可能終止的危機(jī)?！ 『靼l(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創(chuàng)新為半導(dǎo)體帶來(lái)新契機(jī)。 2011年5月
- 關(guān)鍵字： FinFET 7納米
格芯技術(shù)大會(huì)攜最新技術(shù)突出中國(guó)市場(chǎng)重要地位
- 近日，格芯2017技術(shù)大會(huì)（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數(shù)百位半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、客戶、研究專(zhuān)家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會(huì)者準(zhǔn)備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場(chǎng)推進(jìn)方向與創(chuàng)新成果，以及包括制程工藝、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時(shí)代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會(huì)，本次大會(huì)格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設(shè)計(jì)和生態(tài)系統(tǒng)、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò)和汽車(chē)解決方案智能應(yīng)用，F(xiàn)DX?、Fi
- 關(guān)鍵字： GTC FDSOI FINFET 制程
詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET
- 詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET-FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
- 關(guān)鍵字： FinFET 半導(dǎo)體工藝
三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導(dǎo)入EUV
- 隨著臺(tái)積電宣布全世界第一個(gè) 3 奈米制程的建廠計(jì)劃落腳臺(tái)灣南科之后，10 奈米以下個(gè)位數(shù)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)就正式進(jìn)入白熱化的階段。 臺(tái)積電的對(duì)手三星 29 日也宣布，將開(kāi)始導(dǎo)入 11 奈米的 FinFET，預(yù)計(jì)在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設(shè)備。 根據(jù)三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
- 關(guān)鍵字： 三星 FinFET
FD SOI生態(tài)持續(xù)完善，與FinFET分庭抗禮局勢(shì)形成
- FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲(chǔ)、高性能等優(yōu)勢(shì)獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動(dòng)下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國(guó)大力發(fā)展集成電路的當(dāng)口，F(xiàn)D-SOI技術(shù)還給中國(guó)企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機(jī)遇，如何充分利用FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)差異化創(chuàng)新成了眾IC設(shè)計(jì)企業(yè)的探討重點(diǎn)。此外，5G網(wǎng)絡(luò)與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進(jìn)化，對(duì)RF技術(shù)革新的強(qiáng)烈需求，對(duì)RF SOI技術(shù)帶來(lái)更廣大的市場(chǎng)前景。 FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完
- 關(guān)鍵字： FinFET 物聯(lián)網(wǎng)
格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項(xiàng)雙方共同開(kāi)發(fā)的工藝專(zhuān)為IBM提供所需的超高性能和數(shù)據(jù)處理能力，從而在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知計(jì)算的時(shí)代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品。 14HP是業(yè)內(nèi)唯一將三維FinFET晶體管架構(gòu)結(jié)合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結(jié)構(gòu)，每個(gè)芯片上有80多億個(gè)晶體管，通過(guò)嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)以及其它創(chuàng)新功能，達(dá)到比前代
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計(jì)劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過(guò)10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)。這項(xiàng)技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
模擬技術(shù)的困境
- 在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來(lái)處理對(duì)它們不利的過(guò)程。但這個(gè)現(xiàn)象可能正在改變?！ ∥覀兩钤谝粋€(gè)模擬世界中，但數(shù)字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)?；旌闲盘?hào)解決方案過(guò)去包含大量模擬數(shù)據(jù)，只需要少量的數(shù)字信號(hào)處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統(tǒng)應(yīng)用中，在系統(tǒng)中第一次產(chǎn)生了模數(shù)轉(zhuǎn)換過(guò)程?！ ∧M技術(shù)衰落有幾個(gè)原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數(shù)字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數(shù)字電路。但這對(duì)模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 FinFET
格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即
- 格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù)，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動(dòng)處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用的需求。設(shè)計(jì)套件現(xiàn)已就緒，基于7LP技術(shù)的第一批客戶產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！ ?016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無(wú)可比擬的技術(shù)積淀，來(lái)研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計(jì)劃。由于晶體管和工藝水平的進(jìn)一步改進(jìn)，7LP技術(shù)的表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于最初的性能目標(biāo)。與先前基于14納米FinFET技術(shù)的產(chǎn)品相比，預(yù)
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
ALD技術(shù)在未來(lái)半導(dǎo)體制造技術(shù)中的應(yīng)用
- 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開(kāi)始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來(lái)ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展出愈來(lái)愈廣泛的應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： ALD 半導(dǎo)體制造 FinFET PVD CVD
FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)
- 隨著高級(jí)工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計(jì)實(shí)施過(guò)程帶來(lái)了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復(fù)雜，因?yàn)樗鼘?duì)擺設(shè)和布線流程帶來(lái)了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn) 隨著高級(jí)工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)
- 關(guān)鍵字： FinFET
英特爾推全新低功耗FinFET技術(shù) 22納米制程戰(zhàn)場(chǎng)煙硝起
- 英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動(dòng)全新22納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關(guān)開(kāi)發(fā)套件(PDK)在接下來(lái)幾個(gè)月也將陸續(xù)到位，市場(chǎng)上認(rèn)為22 FFL的推出，顯然是針對(duì)GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動(dòng)裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用所生產(chǎn)之同類(lèi)芯片而來(lái)。 據(jù)EE Times Asia報(bào)導(dǎo)，英特爾稱(chēng)自家22 FFL是市場(chǎng)上首款為低功耗IoT應(yīng)用及移動(dòng)裝置產(chǎn)品而開(kāi)發(fā)出來(lái)的FinFET技術(shù)，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
- 關(guān)鍵字： 英特爾 FinFET
finfet 介紹
FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長(zhǎng)已可小于25奈米，未來(lái)預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類(lèi)頭發(fā)寬度的1萬(wàn)分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來(lái)芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]
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