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          西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展,新任CEO揭曉

          • 月5日,西部數(shù)據(jù)宣布,在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后,將保留原名,專注經(jīng)營核心HDD業(yè)務(wù),并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時,將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱,現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO,繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運營?,F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門成立的新公司,出任新公司執(zhí)行長。圖片來源:西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進(jìn)展如何?據(jù)悉,自2021年以來,西部數(shù)據(jù)及
          • 關(guān)鍵字: 閃存芯片  NAND Flash  西部數(shù)據(jù)  

          淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效

          • 前言半導(dǎo)體產(chǎn)品老化是一個自然現(xiàn)象,在電子應(yīng)用中,基于環(huán)境、自然等因素,半導(dǎo)體在經(jīng)過一段時間連續(xù)工作之后,其功能會逐漸喪失,這被稱為功能失效。半導(dǎo)體功能失效主要包括:腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中,電遷移引發(fā)的失效機(jī)理最為突出。技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現(xiàn)象進(jìn)行了分析。?1、?背景從20世紀(jì)初期第一個電子管誕生以來,電子產(chǎn)品與人類的聯(lián)系越來越緊密,特別是進(jìn)入21世紀(jì)以來,隨著集成電路的飛速發(fā)展,人們對電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
          • 關(guān)鍵字: 電遷移  半導(dǎo)體失效  世健  Microchip  Flash FPGA  

          一季度 NAND Flash合約價預(yù)計上漲15%-20%

          • 供應(yīng)商為了盡量減少損失,正在推高 NAND Flash 價格。
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          閃存芯片將掀起新一輪漲價潮

          • 2023 下半年,以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價逐步止跌回升。近期,NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢,供應(yīng)鏈人士透露,2024 年 1 月,預(yù)計 NOR Flash 價格將上漲 5%,并保持上漲態(tài)勢,到第二季度,漲幅將達(dá)到 10%。過去幾年,隨著整個半導(dǎo)體市場的變化,NOR Flash 的供需和價格也是起起落落。2018 年,NOR Flash 市場需求較為疲軟,而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升,導(dǎo)致當(dāng)年的價格進(jìn)入下行周期。經(jīng)過一年的低迷期后,NOR Flash 價格在 2
          • 關(guān)鍵字: NOR Flash  

          NAND Flash和NOR Flash的異同

          • NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型NOR Flash是Intel于1988年首先開發(fā)出來的存儲技術(shù),改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面;NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NAND=NOT AND(與非門) &?NOR=NOT OR(或非門)相同點· 兩者都是非易失性存儲器,可以在斷電后保持存儲的數(shù)據(jù)?!?兩者都可以進(jìn)行擦寫和再編程?!?兩者在寫之前都要先
          • 關(guān)鍵字: NAN  Flash  NOR  存儲結(jié)構(gòu)  

          預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢,但為避免缺貨,買方持續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)品采購以建立安全庫存水位,而供應(yīng)商為減少虧損,對于推高價格勢在必行,預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是,NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅,但由于短期內(nèi)漲幅過高,需求腳步卻跟不上,后續(xù)價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復(fù)。2024年第一季供應(yīng)商的投產(chǎn)步伐不一,隨著部份供應(yīng)商產(chǎn)能利用率提早拉升
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  TrendForce  

          DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

          • IT之家 12 月 21 日消息,根據(jù)韓媒 ETNews 報道,三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣),比 2023 年投資預(yù)算增加 25%;而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元(當(dāng)前約 290.97 億元人民幣),比今年的投資額增長 100%。報道中指出,三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外,還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
          • 關(guān)鍵字: 存儲  DRAM  NAND Flash  

          集邦咨詢稱 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%

          • IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布報告,預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)環(huán)比增長 18-23%,而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健,由于存儲器價格漲勢明確,帶動買方積極擴(kuò)大購貨需求,以建設(shè)安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫存降低,加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用,這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲器價格的強(qiáng)勁漲勢。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
          • 關(guān)鍵字: 存儲  DRAM  NAND Flash  

          明年半導(dǎo)體暴增20%,哪些賽道市場回暖?

          • 今年的半導(dǎo)體可謂寒風(fēng)瑟瑟,市場下滑的消息從年頭傳到年尾,半導(dǎo)體企業(yè)也疲于應(yīng)對蕭瑟的市場環(huán)境,不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過冬就是春,最近的半導(dǎo)體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預(yù)測,認(rèn)為半導(dǎo)體市場已經(jīng)觸底,明年開始半導(dǎo)體將會加速恢復(fù)增長。在它的預(yù)測中,2023 年全球半導(dǎo)體市場收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元,2024 年收入預(yù)期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年,全球半導(dǎo)體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈技術(shù)情報研究經(jīng)理 Rudy Tor
          • 關(guān)鍵字: NAND flash  射頻前端  CPU  模擬芯片  

          市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

          • NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈,DRAM價格也在9月開始回升,內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn),帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報,內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損;內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益(EPS)皆有1元以上,宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務(wù)指標(biāo)來看,第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商,則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安,財務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外,威剛14日公告10月自結(jié)財務(wù)數(shù)
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  ?NAND Flash  DRAM  

          兆易創(chuàng)新車規(guī)閃存產(chǎn)品成功應(yīng)用于懸架控制器,在奇瑞多款車型實現(xiàn)量產(chǎn)

          • 兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布,搭載了兆易創(chuàng)新GD25F128F車規(guī)級SPI NOR Flash的明然科技國產(chǎn)化主動懸架控制器(CDC)出貨量已超數(shù)萬臺,并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車型上量產(chǎn)。在汽車底盤懸架系統(tǒng)等安全性要求較高的場景中穩(wěn)定運行,標(biāo)志著兆易創(chuàng)新車規(guī)級SPI NOR Flash的可靠性得到進(jìn)一步驗證。懸架是車架(或車身)與車轎(或車輪)之間的傳力連接裝置,分為傳統(tǒng)被動式、半主動式和主動式三類,而主動式懸架系統(tǒng)能根據(jù)車輛的運動狀態(tài)和路面情況自適應(yīng)調(diào)節(jié)減振器阻尼力,使其更好地適用于當(dāng)前路段,懸架
          • 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新  懸架控制器  SPI NOR Flash  

          預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低,因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個原因,供應(yīng)方面:三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等,持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎(chǔ)。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動,華為Mate
          • 關(guān)鍵字: Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce  

          第四季NAND Flash合約價季漲幅預(yù)估8~13%

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示,由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出,NAND Flash第四季合約價全面起漲,漲幅約8~13%。展望2024年,除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略,且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫,否則在缺乏需求作為支撐的前提下,NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。Client SSD方面,由于原廠及模組廠均積極漲價,促使PC OEM欲在價格相對低點預(yù)備庫存,采購量會較實際需求量高。而供應(yīng)商為擴(kuò)大位元出貨量,已在第三季推出促銷,故Client SSD價格沒有
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  TrendForce  

          消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格

          •  10 月 6 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 報道,三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價格過低,公司計劃今年四季度起,調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價格,漲幅在 10% 以上,預(yù)計最快本月新合約便將采用新價格?!?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來,三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略,IT之家此前曾報道,三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%,最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域,之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量,眼下正試圖推動
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  flash  漲價  

          集邦咨詢:2023Q4 NAND 價格預(yù)估增長 3-8%,DRAM 要開啟增長周期

          • IT之家 9 月 27 日消息,存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道,伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn),已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn),預(yù)估 NAND Flash 價格回暖之后,DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損,2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn),目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
          • 關(guān)鍵字: 存儲  DRAM  NAND Flash  
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