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2008：巨型晶圓廠初露鋒芒
- 以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低，價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數(shù)字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段，一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。 大舉擴產NAND閃存 低價同時也推動了需求的增長，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
- 關鍵字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
采用AVR Flash微控制器的電動車窗防夾系統(tǒng)
- 汽車上可自動關閉的電動車窗或車門設備潛藏著卡死，擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。 由于成本和簡化的原因，本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應傳感器的刷式馬達?；谒俣群团ぞ貙?shù)的檢測算法已通過健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉換器和通過變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應用筆記有關于實現(xiàn)的詳細描述。 現(xiàn)代
- 關鍵字： AVR Flash 微控制器 汽車電子控制裝置
NAND Flash進軍NB/PC應用領域 借以擴大市占率
- 拓墣產業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產品型態(tài)，逐步擴大市場占有率，市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴充產品應用領域，從2004年產品應用比例最高的數(shù)碼相機，到2006年MP3 Pla
- 關鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點，在眾多領域中也獲得了廣泛應用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會丟失，因此成為設計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA Flash 串 MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點，在眾多領域中也獲得了廣泛應用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會丟失，因此成為設計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA Flash 存儲器 MCU和嵌入式微處理器
大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡存儲中的應用
- 1 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理則成為設計人員考慮的重點。在許多現(xiàn)場不可達數(shù)據(jù)采集應用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲，必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡傳輸技術集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲，選擇介質存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
- 關鍵字： 通訊 無線 網(wǎng)絡 NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器
年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價短期平穩(wěn)
- 11月上旬NAND Flash合約價格大致跌幅約為0-5%，比前兩個月跌幅明顯縮小，主要是因為下游客戶在10月已陸續(xù)進行降低庫存的動作，加上市場預期11月中旬要開始準備年底旺季的備貨需求，根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察，NAND Flash價格走勢在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。 隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產品供應量提高后，下游客戶采購顆粒開始轉向以8Gb和16Gb MLC為主流，導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND Flash microSD 嵌入式
奧地利微電子為代工用戶擴展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項目晶圓服務
- 奧地利微電子的全方位服務晶圓代工廠業(yè)務部推出一份更加全面的 2008 年度時間表，擴展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務，即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復運行(shuttle run)。該服務將來自不同用戶的若干設計結合在一個晶圓上，有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。 RF多項目晶圓服務 奧地利微電子的 MPW 服務包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
- 關鍵字： 消費電子 奧地利微電子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微處理器
07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元
- 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言，三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。 由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
單片機的FLASH引導裝載系統(tǒng)設計
- 前言DSP系統(tǒng)的引導裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內部資源的高速效能。因此，引導裝載系統(tǒng)的性能直接關系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FLASH 裝載系統(tǒng) DSP 單板計算機
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